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  • 英特尔/英伟达夹击 AMD芯片如何突围？

    据国外媒体报道，AMD今年有相当大的优势。但是，英伟达最近推出的数款产品或者传言中的英特尔即将推出的Broadwell和Braswell芯片的规格则是AMD的“心头之痛”。笔者在本文中将利用已发售产品或传言中的产品，分析这些产品对AMD的影响。需要指出的是，部分信息基于传言中的信息，但它们的来源还是相当可靠的。英伟达的Maxwell架构英伟达Maxwell架构的效率超级高。Maxwell的进步之一是晶体管密度的提高。英伟达大幅度增加了L2缓存区尺寸和内核数量，但内核面积只增长了25%。Maxwell在完成大多数任务时所使用的资源都少于Kepler。通常情况下，英伟达在硬件效率方面都领先于AMD，AMD的图形芯片则尺寸更小，在高端产品领域有优势，并因此获得价格上的优势。如果Maxwell在晶体管密度和效率方面取得进展，英伟达将蚕食AMD的部分优势，并进一步扩大自己的优势。通过把GPU(图形处理单元)群划分为更小的组，增加缓存尺寸和其他措施，英伟达还缩小了在OpenCL和挖矿(虚拟币)等计算密集型应用方面与AMD的差距。笔记本版Maxwell将使AMD为提高市场份额而采取的部分措施“成为哑弹”。英特尔的Broadwell和Braswell芯片与英特尔的类似产品相比，AMD的APU芯片的图形性能相当棒。但是，AMD的APU芯片的带宽受到严重限制。大多数泄露的信息都表明，AMD即将推出的CarrizoAPU芯片仍然支持DDR3。据悉，英特尔将把更多资源用于增加GPU的相对尺寸，以及以与高端IrisProGPU更为相似的方式使用图形缓存。对于Broadwell来说，英特尔这些措施的作用是双重的。其一，增加带宽是IrisPro图形性能超过AMD产品的一个手段。通过为更多芯片增加缓存，英特尔能有效地保持其产品的竞争优势。其次，14纳米工艺也使英特尔集成显示芯片的性能大幅提升。另外，英特尔还可能对GPU架构本身进行微调，只是这一举措对GPU性能的影响尚不得而知。据悉，Braswell面向低性能产品，Braswell集成采用新架构的GPU，GPU集群的数量4倍于BayTrail。BayTrail支持双通道内存，但AMD的Puma和Jaguar只支持单通道内存。在低端市场上，AMD产品的图形性能大幅领先于英特尔。但是，如果英特尔采用14纳米工艺，把用于图形处理的资源增加3倍，双方的形势可能易位。结论AMD拥有大量图形处理技术知识产权，低端的APU系列产品极具竞争力。AMD可以将更多资源用于开发20纳米集成GPU，保持在低端APU领域针对英特尔的优势。但是，根据已披露的信息，AMD令人担忧之处在于：1、MaxwellGPU将使AMD对产品的部分改进“成为哑弹”，增加AMD提高笔记本市场份额的难度。2、更高的集成显卡性能可以削减AMD在显卡方面的优势。英特尔已经展现了提高集成显卡性能的能力，问题是英特尔能在多大程度上通过增加Broadwell的GPU缓存尺寸来提高图形处理性能，以及芯片价格。

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  • 东芝的实用化突飞猛进，有望实现“发光的线”

    东芝的实用化突飞猛进最近情况有了变化。因为美国普瑞光电公司开发出了能减轻GaN晶体与Si基板的不匹配问题的技术，东芝采用该技术快速推进了GaNonSi技术的实用化。东芝与普瑞光电于2011年展开合作。2012年12月开始以月产1000万个的规模共同量产采用8英寸（200mm）硅晶圆的白色LED封装。利用石川县加贺东芝电子公司的IGBT等Si制功率半导体的部分生产线来生产GaNonSi。2013年4月，东芝收购了普瑞光电的LED开发部门。2014年3月发布了第二款产品。还计划2015年4月之前推出第三款～第五款产品。东芝分立半导体业务部业务部长助理福冈和雄介绍说，“我们在LED芯片的开发方面起步较晚。出战市场需要武器，我们的武器就是GaNonSi”。普瑞光电开发的减轻Si基板与GaN晶体间不匹配问题的缓冲层技术非常优秀注1）。福冈表示，“也考虑过自主开发，不过本着花钱买时间的原则，最终收购了普瑞光电”。注1）某白色LED技术人员对此表示怀疑，称“如果普瑞光电的技术真那么优秀，会卖给其他公司吗”。不过，普瑞光电将LED的量产全部委托给了东芝，利用东芝制造的LED开展业务。东芝还在快速提高LED的发光效率等性能。2012年12月推出的首款产品，发光效率在施加350mA电流时为112lm/W，而2014年3月提高到了135lm/W。另外，还计划使2014年10月推出的第四款产品达到170lm/W，使2015年4月推出的产品达到190lm/W。如果能实现，那么只用一年半就实现了以往的白色LED技术用5年多时间提高的性能。考虑利用300mm晶圆福冈介绍说，“Si基板上的GaN缺陷密度高达5～8×108个/cm2，是采用普通蓝宝石基板时的约2倍。不过，通过研究开发，削减到了与蓝宝石基板差不多的3×108个/cm2。在不久的将来，性能将追上蓝宝石基板。成品率也比较高”。顺便一提，在东芝等的技术中，吸收光的Si基板会在中途去除，因此不会出现问题。此外，东芝还打算在不久的将来使用12英寸（300mm）晶圆。福冈表示，“针对功率半导体的GaNonSi技术也在开发之中，有望与该技术一起利用300mm晶圆制造。可能会利用四日市的工厂”。微细加工存在制约不过还有课题。东芝等的技术采用的Si基板是半导体不常用的（111）晶体面的Si。福冈说，这是“为了提高与GaN的匹配性”。但这样的话，利用现有半导体制造装置对Si基板面进行微细加工等的工序就无法使用了。比如，在蓝宝石基板的表面形成凹凸以提高LED光提取效率的“PSS（PatternedSapphireSubstrate）”技术就难以用于Si基板。在GaNonSi技术的研究中，还有人在开发能消除这种制约，从而全面发挥利用现有半导体制造装置的优势的方法。名古屋大学天野研究室开发出了在普通半导体技术采用的Si（001）面上生长GaN晶体的技术。重点是在Si与AlN之间夹住某金属层。而且，由于金属层会反射GaN的光，因此也不用去除Si。另外还有一些其他优点，比如“与金属层掺杂的Si基板能直接作为电极使用”（天野）。天野研究室正以该金属层技术为基础，开发在硅晶圆上实施微细凹凸加工，然后在上面形成GaN半导体层的GaN纳米线技术（图8（d））。目标是2020年之前在300mm硅晶圆上实现（图9）。可实现“发光的线”目前，在GaNonSi技术注2）上，除东芝外，还有很多其他企业纷纷参战。但东芝已经超越了单纯的LED芯片制造，又出了新招。该公司开发的CSP（ChipScalePackage）技术已于2014年3月实用化，该技术是在晶圆上封装利用GaNonSi技术制作的LED芯片（图10）。图10：封装也采用Si技术东芝CSP技术的制造流程概要（a）以及与以往封装的不同（b）。即使采用相同尺寸的LED芯片，封装的面积也只有1/10。注2）抢在东芝之前全球率先量产采用GaNonSi技术的LED芯片的中国晶能光电、继东芝之后于2013年3月开始生产8英寸晶圆的法国Aledia、德国欧司朗光电半导体、NTT、荷兰飞利浦流明等。韩国三星电子也开发出了采用8英寸硅晶圆的技术。坚持进行研究开发的日本企业就更多了。以往的采用蓝宝石基板的LED也开发出了CSP技术，但据称东芝的LED使用Si基板，CSP工序也可沿用现有半导体制造技术，制造更容易。例如，在基板的去除工序中，蓝宝石基板需要使用激光，而Si基板只需蚀刻即可。目前，LED封装的制造成本的约60％都由封装工序所占据。利用东芝的CSP技术有望大幅降低这一成本。尤其是，东芝将CSP技术定位为LED的新附加值，而非单纯的成本削减技术。虽然与以往的封装采用相同的LED芯片，但封装面积只有0.65mm见方，还不到原来的1/10。因此，不用提高电流密度就能在维持发光效率的情况下将亮度较大幅提高。东芝设想将其用于发挥其超小型、超薄型特点的薄型智能手机和超小型照明器具等。另外，“还考虑在金属线上安装该LED，形成线光源”（福冈）。（

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  • 德国近半数用电来自于光伏带给我们的启示

    德国近半数用电来自于光伏，受到了行业内外的广泛关注，但也有专家认为，没有综合考虑发电负荷、用电负荷、电力交换等因素，就不能全面理解德国含高比例光伏发电的电力系统运行特性。对此，本文进做了更进一步剖析。 上周一篇《6月9日德国光伏出力超过系统负荷50%背后的故事》一文，受到了行业内外的广泛关注，但也有专家认为，没有综合考虑发电负荷、用电负荷、电力交换等因素，就不能全面理解德国含高比例光伏发电的电力系统运行特性。为此，能源研究院有关专家对6月9日德国电力系统运行特点做了更进一步剖析，这对于我们更好地认识光伏、理解新能源发电或许有所帮助。 问题一：新能源装机和发电量快速增长，未来是否不再需要那么多的常规电源？ 回答一：否。在能源资源枯竭预期、环境保护、应对气候变化等客观约束下，摆脱化石能源依赖成为人们对未来能源图景的最美好愿望，但实现远比愿望残酷。由于光伏和风电受天气条件影响，发电出力具有间歇性和不稳定性，用专业术语讲，就是容量可信度（capacity credit）很低。以德国为例，2014年第1-24周（2013年12月30日-2014年6月15日）德国各类型发电量构成如图1-1所示。可以看出，光伏电量在每一周里所占的比例差别非常大。尤其是在第四周（1月20-26日，如图1-2），光伏最大瞬时出力仅为410万千瓦，仅占光伏总装机容量的11%。该周内光伏发电量仅为8000万千瓦时，相当于每天光伏满负荷运行时间仅为18分钟。在光伏、风电均不给力的情况下，需要煤电、气电、核电等常规电源顶上。 图1-1 2014年1-24周德国发电量构成 图1-2 2014年第四周德国各类型发电出力情况 回到6月9日，这一天，光照条件非常好，光伏发电从早上六点开始，从17万千瓦快速攀升至中午13时的2300万千瓦（注：如果算上自发自用部分，光伏发电出力应该在2600万千瓦左右），随后逐步下降至20时的8万千瓦。除了出力的变化之外，光伏给电力系统带来的最大挑战，正如德国柏林电网公司工程师廖宇先生所言，是夜幕降临后的晚上。当夜间光伏出力为零，或者连续阴雨天时，电力系统要维持安全稳定运行，满足用电负荷需求，必须依靠能够灵活响应的常规电源。因此，新能源越来越多地进入电力系统之后，主要是发挥电量替代作用，而要满足电力系统实时平衡要求，对常规电源的需求不仅不会大幅度减少，反而对其灵活性的要求越来越高。 问题二：新能源和分布式电源大多接入配电网，就地消纳，对输电网或者跨区域电网的需求会削弱吗？ 回答二：否。首先需要说明的是，分布式电源是一个相对概念，配电网和输电网也不存在严格的区分。目前，德国风电和光伏发电装机总量约7000万千瓦，其中约90%接入110千伏及以下电压等级的配电网。这些新能源发电项目分布不均，在局部地区的特定时段（如日照条件非常好的中午），光伏发电出力有可能超过当地用电负荷，此时配电网向输电网反向送电，光伏电量通过输电网输送至其他地区甚至跨国消纳。德国6月9日光伏发电运行特点也正好说明了这一特点。6月9日德国发电、用电及进出口情况如图2-1所示。 图2-1 6月9日德国发电、用电及进出口情况 从图2-1可以看出，6月9日中午光伏出力非常大，至中午13时光伏出力达到最高值，约2300万千瓦。从上午8点到下午18点，其他电源，包括常规电源（火电、核电、水电）、风电、生物质发电的出力，并没有发生很大波动，变化较大的是出口电力，这一点值得关注。我们发现，9日全天德国均处于电力净出口状态，而从早上6时开始，出口电力逐渐增大，至中午13时净出口电力达到最大值，约1253万千瓦。随后净出口电力逐渐减少，至晚上18时降至302万千瓦。净出口电力的增加与减少，与光伏出力曲线高度吻合。换言之，光伏大发的同时，伴随着出口电力的增加，德国光伏消纳依托了欧洲大电网。 众所周知，德国电网处于欧洲大陆互联电网枢纽位置，也是欧洲输电运营商联盟（ENTSO-E）的重要成员之一。德国与欧洲其他国家通过30条跨国联络线实现互联。通过1条220kV以下线路、2条220kV线路、3条380kV线路与丹麦互联；通过2条220kV线路、4条380kV线路与法国互联；通过8条220kV线路与卢森堡互联；通过5条380kV联络线与荷兰互联；通过1条220kV以下线路、2条220kV线路、2条380kV线路与波兰互联；通过1条380kV线路与瑞典互联；通过20条220kV以下线路、11条220kV、3条380kV联络线与奥地利互联；通过2条220kV以下线路、通过5条220kV线路、7条380kV联络线与瑞士互联；通过4条380kV联络线与捷克互联。6月9日13时德国与周边国家电力进出口情况如图2-2所示。 图2-2 6月9日13时德国与周边国家电力进出口情况 可以看出，德国光伏出力最大时，大量向荷兰、丹麦、法国、捷克、奥地利、瑞士出口电力。这一点不难理解，德国与周边国家通过莱比锡电力市场进行交易。当德国中午光伏大发之时，电力系统供应充足，电力市场价格大幅下跌，周边国家可以按照非常便宜的价格从德国进口电力。以此，光伏电量是消纳了，争议和问题也就产生了。德国光伏是得到高额政策补贴的，大量电量出口德国也就意味着德国将昂贵的光伏电量廉价卖给了周边国家【注：2012年全年有56个小时的交易电价为负】，国内光伏补贴也就随之流出国外。但笔者认为，尽管光伏发电与出口电量存在明显的正相关性，但光伏上网之后就无法分辨出是光伏电还是煤电，所以，将出口电量视为光伏电量，似乎也有不妥。此为后话，这里暂且不论。[!--empirenews.page--] 问题三：德国电力系统已经相对成熟完善，未来电力需求增长有限，将来电力系统主要是更新替代退役设备，电力投资需求不会有特别大的增加？ 回答三：否。作为发达国家，德国未来电力系统仍然有非常大的投资需求。主要包括两个方面：一是电源投资需求仍然很大。正如前面分析的那样，由于光伏等新能源发电具有不确定性，为了保证新能源发电几乎为零的极端条件下，也能满足用电需求，必须要有充足的常规电源作为备用，也就是说未来装机裕度会越来越大。常规电源的投资需求仍然存在。二是电网投资需求仍然很大。新能源的大规模发展，不仅国内配电网要进行相应的改扩建，输电网也需要扩容建设。此外，跨国互联电网也是未来德国电网建设的重点领域之一，以便充分利用欧洲大系统资源，提高本国新能源开发比重。 图3-1 德国规划建设的三条南北走向高压输电通道示意图 根据有关研究，到2024年，德国需要新建2100公里直流线路和1500公里的交流线路，并对4900公里的现有交流线路进行优化加强，预计总投资约220亿欧元。德国规划建设的三条南北走向高压输电通道示意图。国际能源署（IEA）研究表明，未来能源、电力及电网投资不仅要发挥市场资源优化配置功能，更重要的是需要政府发挥引导作用，制定出吸引投资的政策机制框架。

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  • 英飞凌科技拟创建“工业 4.0 试点基地”

    2014年7月7日，英飞凌科技股份公司正在扩展其在奥地利的菲拉赫工厂规模。提升面向未来制造的专业知识与扩大研发规模是此次扩展方案的重心所在。在“工业4.0试点基地”(“PilotSpaceIndustry4.0”)项目中，互联式知识密集型生产创新理念将付诸实践并投入测试，同时也将加强对新材料与技术的研究力度。根据英飞凌的扩展计划，预计相关投资和研究费用总计达2.9亿欧元，可在2014年至2017年创造约200个新的就业机会，主要在研发领域。英飞凌科技运营总裁兼全球生产基地负责人PeterSchiefer解释道：“菲拉赫基地的持续发展是我们集团性生产战略的组成部分。在该基地，将推进诸多重要的开发任务，为生产服务的创新型技术也将由英飞凌转让给其他基地。同时我们的战略也包括扩大德累斯顿300毫米薄晶圆与马来西亚居林200毫米薄晶圆的生产。”英飞凌科技奥地利股份公司的首席执行官SabineHerlitschka谈到：“借助此次扩展计划，菲拉赫正在提升它作为创新型工厂与英飞凌企业集团功率电子技术中心双重角色的重要作用。我们将菲拉赫创新型工厂与德累斯顿基地用于功率半导体的300毫米薄晶圆生产的量产技术相结合，为公司取得成功做出重要贡献。”Herlitschka还提到，这一举措也将推动奥地利与德国独特的生产集群的发展，该集群在整个欧洲令人瞩目。“工业4.0试点基地”(Industry4.0PilotSpace)项目英飞凌将建造一座一流的综合大楼，供研究、生产和测试技术工作站用。物流、各种基础设施及工厂设备也将扩充以满足未来需求。这将助力英飞凌大力提高生产率和自动化程度，应对国际竞争，同时提升灵活度。英飞凌自一开始便一直致力于积极推动“工业4.0”战略项目；它在菲拉赫的试点基地是助力实现这一愿景的又一举措。“工业4.0”体现了在价值创造上具有示范意义的变迁，为欧洲工业带来大量的机遇。英飞凌奥地利项目是提升欧洲竞争实力的一大重要举措。菲拉赫试点运营中，生产将采用信息物理系统，包含高度现代化生产控制与自动化系统。在数据安全与数据完整性水准达到最高等级的前提下，人机互动在试点工厂中将提升至一新的层次。与此同时，英飞凌将一如既往地在生产中追求高能效的目标。新材料与新技术在材料、工艺流程、技术和系统专业知识上进行各种创新的大规模研发项目是菲拉赫基地扩展的又一支柱，有力支持了新一代高能效产品的开发。该项目的重点放在氮化镓和碳化硅等创新型基片在MEMS（微电子机械系统）上的集成、传感器技术以及300毫米薄晶圆技术的不断开发上。区域行业洞见多年来英飞凌科技奥地利股份公司的发展受益于架构精密的密切合作网络，这一网络将其与奥地利菲拉赫市、克恩滕州、奥地利共和国和欧洲各国机构紧密联系在一起。凭借此有利条件，它将南奥地利变身为高科技地区，对提升该地区的知名度和“智能化专业技术”竞争实力做出了重要贡献。通过“工业4.0试点基地”项目，英飞凌进一步提升其开发力度，这意味着它也将与研究合作伙伴、各所大学、技术学院和创新系统中的中小企业展开更加密切的合作。奥地利克恩滕州的州长PeterKaiser这样评价到：“克恩滕州与英飞凌在创新、投资与国际化领域是绝佳的合作伙伴。创新、投资与国际化（在英文中这三个词的词首均为I，即三个I）是克恩滕州参与国际竞争的核心策略，也恰如其分地代表着英飞凌作为我们州的享誉全球的成功领军企业的身份。我们将同心协力，共同谱写“工业4.0试点基地”等一系列辉煌篇章。此类投资体现了我们在革新方面的信心，同时体现了对持续发展蓝图的信心，将推动奥地利——这一迷人、面向未来的商业区的发展。

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  • 5月全球半导体销售年增8%，下半年可期

    全球半导体景气持续增温，半导体产业协会(SIA)7日公布，2014年5月份全球半导体销售额(3个月移动平均值)年增8%至268.6亿美元，若和4月相比，亦成长2%。SIA总裁兼执行长BrianToohey表示，在美洲地区的引领下，全球半导体各个市场均有不错表现，连同5月在内，半导体销售月增率已逾一年呈现正成长，在可预见未来里，有望维持此趋势不变。5月全球各地半导体市场无论是年增率或月增率均呈现正成长，为2010年8月以来首见，其中美洲年增10.6%、月增1.8%;欧洲年增10.1%、月增2.1%;亚太地区年增8.6%、月增2.1%。

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  • 预测：全球光伏市场规模2018年将达792.496亿美元

    美国调查公司MicroMarketMonitor公司6月发表预测称，全球光伏发电相关市场2018年将达到792.496亿美元的规模。2014年～2018年的年均增长率将达11.7％.调查显示，全球光伏发电相关市场扩大的理由有：对可再生能源发电系统的投资意愿，对能源供给安全相关领域的投资增加，旨在降低成本的投资旺盛等。其中，中国厂商的全球份额扩大，发电运营商的利润率降低，光伏发电系统和部分领域向垂直整合型业务的过渡表现较为鲜明。预计2014年-2018年，年均增长率最高的地区将是北美，增长率约为15%。其结果，2018年北美的市场规模将由2013年的28.748亿美元扩大到57.789亿美元。北美2013年在全球市场所占份额约为6%。亚太市场2014年-2018年的年均增长率将为11.1%，市场规模将由2013年的46.315亿美元扩大到2018年的78.416亿美元。亚太地区2013年在全球市场所占的份额约为10%。中国和日本在亚太市场的总份额约为71%。欧洲市场2013年在全球市场上的份额最大，约为82%。2014年-2018年欧洲市场的年均增长率将为10.7%，市场规模将由2013年的383.884亿美元扩大到2018年的638.864亿美元。德国和意大利在欧洲市场的总份额约为72%。

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  • 飞利浦将设子公司 合并LED及汽车照明部

    昨日(7月1日)，《每日经济新闻》记者获悉，6月30日晚间，荷兰照明及医疗设备制造商飞利浦宣布，公司将合并旗下LED零组件和汽车照明事业部，设为独立子公司，未来可能将这部分业务进行剥离。据悉，飞利浦汽车照明事业部主要为大众、奥迪及宝马等客户供应汽车灯具。LED和汽车灯具业务2013年的综合营收约14亿欧元(约合人民币119亿元)，占飞利浦照明业务总营收的17%。飞利浦方面表示，此次合并成立新公司后，其照明事业部仍将保持新公司的关键客户，但飞利浦将寻找第三方投资者，同时也不排除成为新公司少数股东的可能。中投顾问高级研究员贺在华对《每日经济新闻》记者表示，目前LED产业竞争非常激烈，飞利浦通过扩大生产规模能够降低平均成本，而引入第三方投资者可以为公司提供更多资金用以扩充生产线。据了解，此次合并预计将于2015年上半年完成，新公司将由LumiledsLED现任CEO雷沙切尔(PierreYvesLesaicherre)执掌，飞利浦预计将为此支出约3000万欧元的成本。不过，飞利浦并未公布新公司的估值。对于飞利浦的价值是否会因此次业务分拆有所增长，贺在华表示，“飞利浦CEO万豪敦曾表示，计划于2016年达成营收年增率4%~6%、营利率11%~12%的目标，未来预计该公司价值将达到20亿欧元左右。”飞利浦此前发布的财报显示，其2014年第一季度销售额为50.2亿欧元，同比下降4.5%；净利润1.37亿欧元，同比下降15%“飞利浦通过分拆业务能够更好地引进投资伙伴，但又不会与公司其他有竞争力的业务产生关联，对公司来说更容易进行管理，产权也更加明晰。”贺在华指出，欧司朗与飞利浦都将该业务从集团分拆下来，目的是在LED业务上拼规模、拼成本，更好地抵抗市场风险。

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  • 英特尔八核处理器将在秋季推出

    根据国外媒体报道，英特尔或将正式发布首批基于Haswell-E的处理器，加入对DDR4内存和八核的支持。其中首批三款Haswell-ECorei7处理器中，只有i7-5960X配备了八个处理核心，售价高达999美元（约合人民币6220元）。而另外两款i7-5930K和i7-5820K仅采用了与上代IvyBright-E处理器相同的六核设计。作为英特尔Haswell-E产品线中的旗舰型号，Corei7-5960X高级版也是英特尔首款消费级PC八核处理器，采用22nm制程Haswell架构，能够在功耗与上代基本持平的同时实现提升进程间通信。此外，Corei7-5960X八颗处理核心的默认主频为3.0GHz，超频后能够达到3.3GHz，并且支持最新主频为2133MHz的DDR4内存和20MB三级缓存。在散热方面，Corei7-5960X的散热设计功耗为140瓦，仅比上代六核心的Corei7-4960X高10瓦。与上代电压为1.65伏或1.5伏的DDR3内存相比，DDR4的电压仅为1.2伏，功耗更低。与上代IvyBridge-E相同，本次英特尔Haswell-E处理器面向专业用户提供了丰富的超频选项，内存和CPU都可以通过多种方式实现超频。除了Corei7-5960X之外，首批亮相的Haswell-E处理器还包含两款六核十二线程的处理器Corei7-5930K和Corei7-5820K。其中Corei7-5930K处理器核心主频为3.5GHz，超频后可达3.9-4.0GHz，售价为550美元，约合人民币3411元；而Corei7-5820K处理器核心主频为3.3GHz，超频后为3.6-3.8GHz，售价为300美元，约合人民币1861元，两款处理器都支持15MB的三级缓存以及最新的X99主板。据悉，这三款处理器都将在今年第四季度或者明年年初上市，而在处理器上市之后，搭载这三款处理器的相关PC机型也将很快与消费者见面。

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  • 传三星承接苹果A9芯片订单：明年初小规模量产

    7月3日上午消息，据台湾电子时报报道，三星电子以及Globalfoundries公司已经获得了苹果公司14纳米A9移动处理器订单，据悉将于2015年初开始量产。据消息源透露，此次14纳米移动处理器将在位于美国纽约的三星Fab8工厂生产，该工厂月产量6万片晶圆。根据三星和Globalfoundries线路图显示，两家公司均将推出自己的14纳米低功耗处理器，并将在今年第四季度进行风险试产，明年早期开始小规模量产。此前报道中显示，苹果A9芯片将由三星和台积电共同生产，其中三星承接三成订单数量。而三星和Globalfoundries则是在过去一年合作良好，共同建立Fab8工厂，其中三星建厂，Globalfoundries提供技术支持。与此同时，台积电也正在试图通过16纳米FinFET处理器挽回苹果A9订单，FinFET称为鳍式场效晶体管（FinField-EffectTransistor；FinFET）是一种新的互补式金氧半导体晶体管。台积电计划在2015年到2016年期间，生产20纳米以及16纳米处理器共90万到130万片。即将在今年发布的iPhone6将会搭载全新的A8处理器，而明年的新款iPhone以及iPad便会搭载14纳米的A9芯片。

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  • 2014年英国光伏市场的机遇与挑战

    根据NPDSolarbuzz最新出版的英国项目追踪数据库报告UKDealTracker显示，2014年英国大型电站的迅速成长将促使英国成为欧洲最大的太阳能光伏市场。1.最近超过120座大型电站项目获得了建设批准，而且其中很大一部分计划将于一年内完工。2.半年内，英国能源和气候变化部发布《太阳能光伏发展蓝图》和《太阳能光伏发展战略》报告，强调到2020年，英国光伏累积容量将达20GW。3.到2014年4月底，英国将建成325座以上MW级电站项目，且超过60个不同地点的项目装机容量在10MW以上。4.还有444座大型地面电站处于各个不同的规划阶段，其中124座已获得建设批准且计划在2015年4月英国可再生能源义务法案支持力度减弱之前完成安装。5.除了英国计划要新建的几GW项目储备之外，已完工电站的交易已经形成一个蓬勃发展的二级市场。根据最近对已完工电站的收购数据显示，英国现有的太阳能电站的投资估值约为25亿英镑(42亿美元)。6.NPDSolarbuzz副总裁FinlayColville表示："虽然完成上述目标需要兼顾屋顶系统和地面电站建设，2014年10MW以上的大型地面电站将占主导地位。"随着英国即将成为2014年欧洲最大的光伏市场，全球零部件供应商和项目开发商需要快速了解英国太阳能光伏行业的动态，以选择合适的合作方式及最具潜力的光伏项目。但是英国光伏市场还存在着政策上的变数，包括2015年英国将迎来大选，另外英国可再生能源义务法案也将在2017年终止。首先，英国地面太阳能发电厂当前正在面临补贴调整的风险。根据NPDSolarbuzz英国项目追踪数据库报告UKDealTracker显示，215个超过5MW的地面安装太阳能发电厂，现在正重新评估，这涉及到2015年4月开始调整对地面安装的太阳能发电厂补贴政策。其次，5MW规模以下的太阳能发电厂面临的政策风险，将是很难拿到的可再生能源责任证书(ROCs)。英国政府能源和气候变化部门(DECC)的修改建议包括，自2015年4月起限制颁发可再生能源责任证书(ROCs)给予5MW以下规模的新太阳能发电厂。根据报道，低于5MW的小规模太阳能农场至2015年3月31日为止仍有机会获得ROCs，并不设累积容量上限。但根据政策趋势，2015年4月和2017年3月之间，政府有意减少ROCs机制下的地面安装发电厂。因此，据此预测，未来的市场焦点将是更小规模的太阳能发电厂，特别是对从ROCs转移到未经测试的CFD计划的经营风险持谨慎态度的中小企业(SMEs)。除此之外，介于5MW到30MW的中等规模的太阳能发电厂，预计也将是受DECC建议影响最大的的类别。2015年3月之后，这个规模类别也将无法再申请ROCs，并且有可能因为容量太小，以致于不被项目开发商列入CfD拍卖流程;因此，许多介于5MW到30MW的中等规模的太阳能发电厂，有可能在2015年3月31日中止。作为英国的主流规模类别，5MW到30MW的中等规模的太阳能发电厂专案储备已成长至198个项目。超过80个项目有充分的规划同意书，NPDSolarbuzz英国项目追踪数据库报告显示这80个项目大部分会在2015年4月前完成。

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  • 韩媒：OLED正迎头赶上，性能越来越接近LED

    根据一份韩国调查公司UBI的市场报告：OLED面板在明年的表现将接近LED。该报道称，虽然到2015年OLED照明市场将仍然非常小，但其性能将与LED相接近，UBI预测认为OLED面板明年将达到100LM/W和30,000小时的使用寿命。该报告认为，性能的提升将鼓励OLED照明市场的快速增长，预计将在2020年达47亿美元。但询问一些照明厂商，是否认同报告的预测，有些人认为OLED的进展不会很迅速。欧司朗OLED团队产品经理KarstenDiekmann说：“市场调研是一个复杂的项目，真的很难说5至10年后会有怎样的情况。我们的关键表现一年是2016年，我们预计突破100lm/W的障碍，并能与LED技术相比有竞争力。今年在法兰克福展上我们展示了一个65lm/W的OLED，这达到了紧凑型荧光灯相同的性能，但遗憾的是没人有兴趣节能灯层次的性能表现，能显现LED的性能才是真正的标杆。”OLED正迎头赶上，Diekmann认为OLED的技术进步速度是LED的两倍。自欧司朗在2010年推出200lm/W、5000小时寿命的L50OLED以来已有了巨大的进步，今天的L70OLED已达到65lm/W和15000小时寿命，亮度也提升了3倍。这些相比较LED，需要退回六、七年才能看到性能翻一番。他还指出，LED相比OLED当涉及到热性能和光学时具有更大量的损耗。要考虑LED的光学损失、散热片的热损失。因此，在一个系统层面上，预计OLED在两年后就可实现与LED的竞争。欧司朗的OLED当然，价格是另一回事，Diekmann预测OLED能与LED在价格上相比有竞争力至少要到2018年，甚至2020年。而这也要依赖之前几年的适应市场。Diekmann说：“我们的目标很明确，OLED必须要在价格上有竞争力，才能在照明市场上获得成功。之后两年要实现良好的技术性能，并不意味着我们就可以开始销售OLED以与LED相同的价格，首先，我们需要优质项目、新的基础设施、标准化工作，然后才可以开始OLED的规模化经济。”欧司朗希望汽车行业会推动OLED市场，并推动成本降低，实现普通照明市场的普及。“我们认为在汽车行业的OEM厂商拼命地寻找机会使自己与众不同，希望用灯光营造品牌形象，”狄克曼说，“他们将是OLED技术的第一批用户。有了这一点，我们可以增加我们的经济规模，然后让OLED进入通用照明市场。”

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  • 产业专家：MRAM的时代还没来！

    磁阻式随机存取记忆体(MRAM)或许在许多应用领域有取代DRAM与SRAM的潜力，但就连市场上唯一家生产这种非挥发性记忆体的供应商都认为，这种取代的过程得花上好一段时间。一份来自资料储存产业顾问机构CoughlinAssociates的报告指出，全球MRAM市场复合年成长率(CAGR)可达50%，包括MARM与STT-MRAM在内的整体市场营收将由2013年的1.9亿美元，在2019年达到21亿美元。CoughlinAssociates创办人TomCoughlin表示，MRAM一个最显著的优势是能与CMOS制程相容，此外因为该制程技术成熟，相关的整合与3DNAND技术比起来比较不那么令人却步。他指出，MRAM技术的演进可能会追随快闪记忆体的脚步──也就是在被广泛采用以及价格下降、储存密度提升之前，先在一些利基型应用领域赢得青睐。Coughlin并指出，STT(Spin-Torque-Transfer，自旋力矩转移)-MRAM特别能提供在读取/写入以及耐久性方面的优势。而Gartner分析师BradyWang则表示，MRAM被发现用来做为固态硬碟(SSD)的快取记忆体，但其密度仍然太低，通常应用在工业领域。MRAM胜过DRAM的优势在于其非挥发性；Wang表示，，就像NOR或NAND快闪记忆体一样，STT-MRAM能在没有持续外部供电的情况下保存资料，而且其耗电量很低。此外由于结构简单，MRAM的扩展性也优于SRAM，能提升微缩程度并可望进一步降低制造成本。而Wang也指出，与NAND快闪记忆体相较，STT-MRAM能在没有中间的抹除步骤情况下，在储存0与1之间切换；而该抹除步骤在快闪记忆体内是不可少的，也增加了写入延迟。这使得设计STT-MRAM控制晶片相对比设计NAND快闪记忆体控制晶片简单许多。Wang表示，目前市场上唯一生产MRAM晶片的厂商是EverspinTechnologies，目前产品最大记忆体容量为64Mb；而128Mb甚至1Gb的MRAM可能会在未来两年内问世，其中1Gb产品将可望让MARM进军消费性应用。Everspin产品行销总监JoeO"Hare表示，其MRAM产品(该公司在5年多前就开始推出)，一开始应用在工业领域；而Everspin也已看到包括工业自动化、机器人、交通运输以及医疗等应用领域对MRAM的广泛采用。不过MRAM最大的成长动力是来自企业储存。随着容量提升，Everspin将MRAM视为非挥发性记忆体获得进一步采用的桥梁，在能提供媲美DRAM的性能同时，也能有更多像快闪记忆体一样的储存记忆体。O"Hare表示，随着各种新兴技术出炉，MRAM可望成为永久性、高性能储存技术的关键选项。MRAM在企业储存领域的应用案例之一是RAID系统，O"Hare指出，这类应用的考量是要在电力丧失时迅速复原；MRAM被应用于储存元资料(metadata)以及储存系统资料，因此如果电力中断，系统资讯仍能被保存在非挥发性MRAM，让RAID系统能更快自我重建。O"Hare也表示，Everspin还看到MRAM在其他企业储存领域的许多应用，那些应用不需要DRAM的容量密度，但可利用非挥发性记忆体的优势；这个市场的规模很够分量，而且并不是以价格来竞争，系统的可靠度才是重要推手。不过ObjectiveAnalysis首席分析师JimHandy表示，最终价格与容量密度才是决定MRAM是否能大规模取代DRAM或SRAM的关键，虽然其低功耗特性很吸引人，但大多数企业组织并不会去做那样的整体拥有成本(TCO)估算；MRAM能在某些应用领域取代SRAM，以免除很容易出现故障的备用电池需求。Handy指出，看重MRAM非挥发特性的产业(例如将其应用在ATM的金融业)，会愿意为这种记忆体付出较高的代价；可是在目前，DRAM与快闪记忆体搭配各自的技术演进，仍扮演称职的角色，因此并没有立即性的理由被取代。

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  • 2014年太阳能光伏组件出货量有望增长30%

    根据NPDSolarbuzz出版的组件追踪季度报告ModuleTrackerQuarterly显示，光伏行业前20大组件供应商2014年的组件出货量指引平均比前一年增长30%以上。其中，领先的中国组件供应商天合光能、阿特斯、昱辉和晶科出货指引的增长幅度最大，上限都超过了40%。在近期公布2014年第一季度财报时，这些厂商都表示2014年全年组件出货量指引保持不变。NPDSolarbuzz高级分析师廉锐表示：“前20大组件供应商的组件出货量占全球组件出货量的三分之二，并且他们是行业增长和价格趋势的风向标。如果领先的组件供应商可以达到预期的增长幅度，2014年太阳能组件的供应量将接近50GW。”图一、2014年太阳能光伏组件供应商出货量增长指引 来源：NPDSolarbuzz组件追踪季度报告ModuleTrackerQuarterly2014年英利给出的组件出货量指引最高，上限达到4.2GW。达到这一出货水平将使英利连续第三年保持组件出货量第一的位置。日本领先的晶硅组件供应商夏普和京瓷2014年的组件出货量预计将增长约15%，反映了日本光伏市场的持续成长。这两家在日本国内市场占据主要的市场份额，虽然其中一家已经将大部分组件生产外包。廉锐补充道：“2014年，前20大组件供应商除了在组件出货量方面有强势增长外，利润率也将有所提高，这主要是由于生产成本的下降以及对新工厂资本支出的谨慎。”

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  • LG定今年底明年初试产16纳米AP

    LG电子(LGElectronics)为了强化行动应用处理器(AP)业务，计划挑战16奈米制程，以提升该公司智慧手机的竞争力，并强化在半导体界的重要性，据传16奈米晶片将在今年底或明年初交由台积电(2330)试产。韩媒etnews1日报导，消息人士透露，LG电子继28奈米的Odin晶片之后，再接再厉开发16奈米，预定今年底或明年初台积电量产16奈米FinFET(鳍式场效电晶体)时，开始投入试产。LG电子先前研发的28奈米晶片，也由台积电代工，将在第三季或今年底前用于LG智慧手机。一般认为，LG电子完全仰赖高通(Qualcomm)供应AP，自行研发是为了分散供应链，并取得议价优势。不过内情人士指出，LG电子推动AP业务，是为了中长期开发高阶AP晶片，将会持续提升独立研发的AP性能；要是该公司一如预期顺利量产16奈米AP，可望在韩国半导体业更有影响力。三星电子也研发AP，但是近年来三星高阶智慧机越来越少采用三星自制AP。韩国时报(KoreaTimes)6月22日报导，LG零件供应商表示，LG电子最近决定将旗下Odin行动应用处理器(AP)从7月延至10月量产，这款晶片仅支援fullHD画质。这名人士透露，Odin晶片原本计划用于G3，但是G3提前推出，画质高达quadHD(2k)，只好改用高通(Qualcomm)的Snapdragon801晶片。LG电子内部人士指出，Odin八核心晶片有过热问题，这款晶片采用安谋(ARM)的big.LITTLE架构，以CortexA15四核搭配低功耗的CortaxA7四核。他表示，LG必须提升Odin晶片效能，支援quadHD画质，因为智慧机大厂争相推出quadHD行动装置。LG最近才并购了SiliconWorks，拓展晶片相关业务。

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  • 全球十大太阳能电池组件企业产量排名

    电池组件对太阳能发电系统而言，至关重要，电池组件的质量和成本将直接决定整个系统的质量和成本。太阳能电池组件领域也是众多企业辛辛苦苦想要征服、想要突破的领域。太阳能电池组件是由高效晶体硅太阳能电池片、超白布纹钢化玻璃、EVA、透明TPT背板以及铝合金边框组成。具有使用寿命长，机械抗压外力强等特点。其作用是将太阳能转化为电能，或送往蓄电池中存储起来，或推动负载工作。2013年全球电池片生产规模保持增长势头，产能超过63GW(不含薄膜电池)，产量达到40.3GW。与2012年相比，增长7.5%，多晶硅电池和单晶硅电池的比例约为3∶1。太阳能电池呈逐年增长发展态势，但近几年发展趋于平缓。从发展区域看，中国大陆以25.1GW的产量位居全球第一，产量约占全球总产量的63%。据悉，截至2013年年底，多数电池骨干企业扭亏为盈。回顾参考2013年电池组件市场，依照2013年光伏电池组件企业的产量排名，OFweek太阳能光伏网为大家盘点出全球十大电池组件企业，以及其产能、产量概况。NO.1英利国别：中国产能：2800MW产量：3100MW英利绿色能源控股有限公司是一家全球领先的太阳能公司，也是全球最大的垂直一体化光伏发电产品制造商之一。总部位于中国保定，并在全球设有十多个分支机构及办事处，涵盖全球40多个国家，员工总数超过6，000人。英利集团成立于1987年，1999年承担国家"年产3兆瓦多晶硅太阳能电池及应用系统示范项目"，填补了国家不能商业化生产多晶硅太阳能电池的空白。2007年6月在美国纽交所上市。2012年，集团组件出货量达2300兆瓦，位居全球第一位。截止到2013年10月，英利共提交国内专利申请1176项，授权专利共777项。基于公开数据显示，英利在国内的专利申请数量和授权数量已超越国内其他同行企业，位居行业第一。在品牌打造方面，英利也从来都是精心、不遗余力。比如，2013年1月末，英利以世界第一家光伏、中国首家企业的身份，加入了世界自然基金会的"碳减排先锋"项目，而这也正为英利争取海外市场赢得了一张环保牌。最值得一提的是，2014年，作为巴西世界杯上唯一的中国赞助商，英利绿色能源的广告"中国英利、光伏入户"等中国汉字在赛场上交替出现，十分醒目，轰动全球。当然，体育营销，对英利的业绩贡献不可小觑。NO.2天合光能国别：中国产能：2450MW产量：2471MW天合光能，即天合光能有限公司（TSL），是一家专业从事晶体硅太阳能组件生产的制造商。天合光能大量生产多种类型的单晶和多晶光伏组件，产品输出功率从165W到230W不等。1997年12月，高纪凡与几位科研人员在中国太阳能光伏行业起步之时成立了天合光能有限公司。1999年10月成功通过ISO9002认证，并在同年，天合光能成立了自己的研发中心。2000年8月天合光能成功建成了中国首个太阳能光伏建筑，并凭借此成就，一跃成为中国太阳能光伏行业的领军者。2005年初，天合光能筹建了一家组件生产厂。此后不久，2005年8月，天合光能开始向上游扩展，生产出首批单晶硅棒，2006年2月开始制造硅片。2006年12月，天合光能在纽约证券交易所（NYSE）上市，并于2007年6月成功引入资本。2009年1月20日公司收到国家科技部文件，在天合率先建设企业国家重点实验室，并将实验室命名为："光伏技术国家重点实验室"。这是国家科技部通过的第一个有关在光伏技术方面建设国家重点实验室的正式文件。2010年天合光能出货量为1GW，占全球6.5%的市场份额;当年销售额18.6亿美元，同比增长119.8%，稳定成为全球十大出货量之一。2014年4月，天合光能宣布，其单晶硅太阳能光伏组件（60片156mm×156mm单晶硅电池）创造了P型单晶硅组件输出功率新的世界纪录。该项成果经第三方TUVRheiland（莱茵）权威认证机构测试，峰值输出功率高达326.3瓦，表明其量产PERC单晶硅高效组件达到世界领先水平。此次天合光能研发的HoneyUltra单晶硅高效组件，拥有全部自主知识产权。作为新一代HoneyUltra组件产品，集成了多项自主研发的先进电池背钝化技术、组件减反射技术及组件低电阻连接技术。NO.3阿特斯国别：中国产能：2600MW产量：1800MWCSI阿特斯（CanadianSolarInc.），是在一家加拿大注册的光伏公司。公司致力于将太阳能转换为电能的光伏产品的研发、制造、销售和售后服务。自2001年以来，CSI阿特斯先后在中国建立了三家独资企业：CSI阿特斯光伏电子（常熟）有限公司，CSI阿特斯光伏科技（苏州）有限公司，CSI阿特斯太阳能光电（苏州）有限公司。CSI阿特斯为全球客户生产在住宅、商用、工业等领域有着广泛应用的太阳能光伏产品及太阳能发电应用产品，同时还以公司的专业品牌为汽车行业、通讯行业等特殊市场提供太阳能光伏产品的解决方案，CSI阿特斯也为世界领先的太阳能光伏厂商进行OEM加工。CSI阿特斯太阳能公司（CanadianSolarInc.）于2006年11月9日正式在美国纳斯达克挂牌上市。阿特斯不仅拥有国内第一家通过CNAS认可的企业级光伏实验室--阿特斯光伏组件测试中心，同时也建立了省级太阳能电池片工程技术研究中心。2011年推出的ELPS高效电池片，将单晶电池片的转换效率提升到了19.8%（多晶电池片19%）；自主研发设计的CommercialAC组件，是全球首款商用系统的三相交流组件。NO.4晶科能源国别：中国产能：2000MW产量：1700MW晶科能源控股有限公司(纽交所代码：JKS)成立于2006年，是全球为数不多的拥有垂直一体化产业链的光伏制造商，业务涵盖了优质的硅锭，硅片，电池片生产以及高效单多晶光伏组件制造，2011年垂直产能达到1.5吉瓦。公司员工总数超过10000余人，生产基地位于江西省上饶以及浙江省海宁，生产面积总占67万平方米。公司的全球营销中心位于中国上海浦东新区，此外公司建立了全球化的营销布局，在瑞士楚格，德国慕尼黑、意大利博洛尼亚、法国蒙彼利埃、美国旧金山、加拿大多伦多、澳大利亚昆士兰以及日本东京均设立了子公司。晶科能源2006年成立，迅速成为硅锭、硅片的领先制造商。2009年，晶科能源收购浙江太阳谷，开始电池片与组件生产。晶科能源大力引进国际先进的技术、设备，包括美国GTSolar多晶炉，日本NTC线切机，涂装设备Roth&Rau，机器人解决方案生产设备Jonas&Redman，意大利Baccini电池片生产线、伯格测试技术以及日本NPC技术全自动生产线等。晶科能源生产的单晶多晶组件获得了UL,CSA,CEC,T?V,VDE,MCS,CE,ISO9001:2008,ISO14001:2004等多项国际专业认证，工厂也通过了Achilles测试认证。[!--empirenews.page--]NO.5FirstSolar国别：美国产能：2560MW产量：1628MWFirstSolar公司是世界领先的太阳能光伏模块制造商之一，生产基地位于美国、马来西亚和德国等地。公司于1999年在亚利桑那州的坦佩市成立，其前身为SolarCell公司（SCI），这一公司被TrueNorthPartners公司（该公司由沃尔顿家族拥有，沃尔顿家族是沃尔玛集团的所有人）所收购。自2002年起，FirstSolar开始涉足光伏模块业务，其后制造能力一直稳步上升，公司也得到了长足发展。2005年，公司年产率达到25兆瓦峰值（MWp）。之后几年，公司继续扩大规模，在俄亥俄州的佩里斯堡新增了一条生产线，并在德国陆续设立了四条生产线。2006年FirstSolar的年产率达到75兆瓦，并宣布在马来西亚的居林（Kulim）再建设16条生产线。同年，FirstSolar在纳斯达克（Nasdaq）首次上市,并是纯太阳能行业中首家被列入史坦普500股价指数（S&P500）的公司。至2009年，公司产能已超过1千兆瓦峰值（GWp）。与此同时，FirstSolar也是全球最重要的碲化镉(CdTe)薄膜光伏模块制造商。与传统的晶硅技术相比，使用碲化镉专利技术的太阳能发电量更大，并拥有更低廉的生产成本。FirstSolar在业内率先实现了每瓦成本低于一美元（85美分），并于2009年6月宣布：到2014年，公司会将每瓦的制造成本降至52-63美分。NO.6韩华国别：韩国产能：1620MW产量：1300MW韩华新能源有限公司，注册成立于美属开曼群岛，生产基地位于江苏省启东市，是在美国纳斯达克上市的中国背景公司之一。实际控制人为韩国十大财团之一的韩华集团，持股比例约为49.9%。目前韩华新能源有限公司的总产能达到组件1.5GW，电池1.3GW，硅片1.1GW。2012年，母公司韩华化学斥资4000万欧元收购德国第一大太阳能电池生产商Q-cells。与韩华新能源有限公司合并电池产能达到2.3GW，为全球第二。韩华新能源有限公司是一家全球性能源公司，提供从晶体硅、硅锭、硅片、太阳能电池及太阳能组件到项目开发与融资--全面的纵向一体化解决方案。目标对纵向一体化公司进行重新定义，借此建立创新和价值的新标准。韩华新能源有限公司也与第三方经销商、OEM制造商和系统集成商进行合作，提供大型公共事业、商业及住宅/小型商业用途的太阳能装置。其在全球范围内保持强劲的发展势头，业务遍及欧洲、北美和亚洲，同时掌握有必要的本土市场知识，提供区域性技术和销售支持服务。NO.7晶澳国别：中国产能：1800MW产量：1218MW晶澳太阳能有限公司成立于2005年5月18日，主要从事高性能太阳能产品的设计、开发、生产和销售。2007年2月7日，晶澳太阳能在美国纳斯达克证券交易所挂牌上市（交易代码：JASO）。晶澳太阳能立足于专业化、规模化、国际化发展之路，引进具有国际先进水平的太阳能电池生产设备，聘请世界各地行业内的资深科学家和工程师实现我们战略性的目标。晶澳太阳能在河北宁晋、江苏扬州拥有两大电池生产基地，合计电池产能超过3GW；在安徽合肥、上海奉贤拥有两大组件生产基地，组件产能超过1.7GW，在河北廊坊、江苏东海拥有多晶硅片生产基地，硅片产能超过1GW。位于江苏扬州的研究中心致力于开发新一代高效太阳能电池技术。通过不懈的努力，已经研发出转换效率超过19%的电池片。2014年5月，晶澳太阳能与光伏技术自动化生产线供应商FormularE签订协议，在开发晶体硅光伏组件背接触应用方面进行合作，将利用FormularE自动生产平台开发背接触组件技术。6月20日，晶澳太阳能宣布博秀高效电池正式量产，量产电池平均转换效率达到20.4%，在业内率先实现P型电池量产转换效率超过20%。NO.8SunPower国别：美国产能：1270MW产量：1134MWSunPower（太阳能电力）成立于1985年，公司总部位于加州的SanJose，于2005年在NASDAQ上市，是一家集开发、设计、生产和销售高效、高可靠性太阳能电池片、组件和系统为一体的光伏公司。SunPower拥有5千多名员工，在中国、瑞士、德国、意大利、西班牙、韩国、美国、澳大利亚、英国、希腊、以色列和菲律宾均有办事机构，2010年的销售额超过22亿美金，在光伏行业名列第三。SunPower不仅提供业界高效的太阳能电池板，同时也考虑太阳能电池板的美观。打破了传统太阳能电池板格线布局的模式，Sunpower开发的全黑太阳能电池板充分体现了性能与美观绝妙的组合。由于美观上的优势，Sunpower太阳能电池板不但广泛应用于工业，而且也广泛应用于屋顶太阳能发电系统中。2011年6月，法国石油巨头道达尔石油公司以14亿美元收购了Sunpower公司60%的股份。2014年4月，SunPower表示，通过其大股东石油巨头道达尔（Total）约300MW项目的提振，对于其光伏组件供不应求，并且其光伏项目储备量已经超过7.5GW。NO.9京瓷国别：日本产能：1200MW产量：1100MW日本京瓷公司创立于1959年，最初为一家技术陶瓷生产厂商。技术陶瓷是指一系列具备独特物理、化学和电子性能的先进材料。如今，京瓷公司的大多数产品与电信有关，包括无线手机和网络设备、半导体元件、射频和微波产品套装、无源电子元件、水晶振荡器和连接器、使用在光电通讯网络中的光电产品。京瓷面向全球大型太阳能发电站供应着太阳能电池组件。例如，向西班牙的3所发电站供应50MW以上的组件、为泰国供应204MW组件、为日本东部的发电站供应13MW组件等。NO.10SolarFrontier国别：日本产能：980MW产量：920MWSolarFrontier是日本昭和壳牌石油(ShowaShellSekiyuK.K.)旗下全球最大CIS薄膜太阳能电池生产子公司。SolarFrontier于2013年6月18宣布，该公司在位于日本宫崎县的国富工厂生产的CIS类太阳能电池模块的转换效率达到了14.6％，最大输出功率达到179.8W，实现了"与多晶硅型太阳能电池模块的转换效率基本相同的水平"。输出功率是从事产品安全试验和认证试验的UnderwritersLaboratories认证的数值。2013年12月，SolarFrontier宣布该公司制造出效率为12.6%的CZTS电池，打破了同类太阳能电池世界纪录。

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