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  • 实现弯道超车，独立生产最先进的芯片的可能性

    周星驰说：人总是要有点梦想，要不然和咸鱼有什么分别呢?那么如果我们能够弯道超车完全独立生产最先进的芯片，世界会有什么变化呢? 因此，我们带着这个疑惑，来说说弯道超车的可能性。 可能性一：碳基芯片 我们知道北大张志勇教授和彭练矛教授课题组碳基芯片上有了一定的成绩。并且，这项技术一旦成功，一定会将我国集成电路的技术，推进到3nm节点以下，甚至于超过硅基芯片的可能性并不少。 有传闻，华为积极和该团队合作，共同探索碳基芯片的新路。现在这种技术我们认为还在理论阶段，离实践还是有点偏早，但是我们不得不说，这是有可能完成弯道超车的可能。如果，这种技术真的能够用于手机上，可能带来的技术优势确实令人惊喜。 (材料来源于5月22号，《科学》杂志发表的关于北大的张志勇-彭练矛教授课题组制备出了一种高密度、高纯度的半导体碳纳米管阵列。) 可能性二：中芯国际的N+1方案 我们知道中芯国际虽然现在量产的14nm芯片，这种芯片的优势确实和台积电相比还是有些差异，但是在目前来看，它确实是我国在芯片制造领域中属于佼佼者。 并且，我们也知道它的N+1确实是值得我们去期待的，这种期待我相信很多人都充满了喜悦，虽然我们也知道这种技术可能还是离真正的7nm工艺有些距离，但是这也是一种进步，不是吗? 可能性三：上海微电子的22nm工艺制程光刻机 我们知道的是上海微电子技术再次获得突破，并且，已经成功研发出22nm的光刻机，它是通过借助紫外线光源实现22nm分辨率，这推动国产光刻机的发展朝前迈进一大步。 我们确实还是很期待的是，上海微电子的优势确实还是在于光刻机，弯道超车的前提，一定是能够解决光刻机，芯片设计及各种材料等。

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  • 为何在电脑芯片称霸的英特尔在手机芯片存在感极低？

    英特尔处理器可谓称霸电脑，但是很少有听到英特尔手机处理器。 我们其实得知道的是，英特尔是做个手机处理器的。这一款名叫摩托罗拉新锋丽i的手机，使用的就是英特尔的处理器，这款使用了英特尔凌动(Atom)处理器，主频高达2.0GHz，虽然在处理各种游戏、音影等等游刃有余，但是我们也知道，因为使用的是X86架构，其实它的功耗确实比ARM的架构要厉害的多。 因此，这款处理器也成了小火龙的代名词，这种情况下，这款手机即使被赋予厚望，却也陷入了一种无奈的退出中。 其实，早在之前，苹果自己是不做芯片的，第一款芯片是三星代工的;其实，苹果准备和英特尔合作，但是英特尔放弃了苹果，或者是拒绝了苹果。在当时，英特尔在PC领域的一枝独秀，确实给了它很多底气，自然也有很多傲娇的成分在内。 我们可以细细的分析几点。 第一点：英特尔满意当时PC处理器的现状，认为手机处理器是小儿科，自己没有必要在其中掺和 第二点：英特尔错失了最好的时机，让低功耗的ARM架构迅速崛起，英特尔想通过X86架构打入到手机处理器端出现困难 第三点：傲慢让别人做大，自己的X86处理器芯片虽然做过手机芯片，事实上证明出了问题，最终选择了放弃

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  • 衡宇科技加速存储芯片国产化

    随着信息化数据时代的到来，物联网、5G通信、AI(人工智能)等技术兴起，将产生大量的数据流，使得数据存储需求与日俱增。目前半导体作为优先发展产业，阶段性目标是自给率从20%提高到40%，然后在2025年提高到70%。 然而，目前国产关键存储器芯片DRAM、NAND的市场份额基本为零。 在国外技术牵制不断升级的当下，填补技术空白，构建产业链条，降低海外依赖的行动刻不容缓。与此同时，在国家战略上，中国把集成电路作为重点发展领域，尤其是在存储国产化发展目标下，大批国产企业如浪潮般涌来，正在快速推进存储国产化进程的发展。如今，存储芯片国产化已被提升到国家战略层面，面对如此情形，国产存储芯片应该如何发力? 深圳衡宇芯片科技有限公司(以下简称“衡宇科技”)是由闪存业界超过十多年经验的同仁组合而成，目前是一家集成电路服务提供商，专注于集成电路、微电子产品、快闪记忆体模块的研发及销售服务，为用户提供应用于通讯、消费电子及数据处理行业的闪存主控芯片产品。 据悉，衡宇科技全系列控制芯片，包括SSD、eMMC、SD等。2019年发表了带有LDPC + AI 除错引擎的PCIe SSD和eMMC芯片来支持3D TLC和QLC内存，目前已经完成PCIe SSD控制芯片的发布与量产。 天眼查信息显示，衡宇科技成立于2017年5月，注册资本达9954.08万元，颜池男为法定代表人，且担任董事长兼总经理，StorArt Technology Co., Ltd.持股63.32%为最大股东，深圳衡宇芯片科技有限公司旗下100%控股衡宇芯科技(合肥)有限公司和南京衡宇芯片技术有限公司，前者融资正处于天使轮，交易金额未披露。衡宇科技已于2017和2018年分别完成A轮与A+轮融资，其中A轮融资投资方有TCL、中兴等，A+轮融资投资方有OPPO等公司，交易金额暂未披露。 研发团队方面，衡宇科技长期保持在研发人力上的大量投入，目前研发人员超过100人，均在半导体领域平均经验超过8年，数字、固件、测试环境也均为自主开发，可以自主创新开发控制芯片设计、验证、测试流程，流片成功率较高，基本很少二次流片，衡宇科技除SerDes PHY外购外，其余IP皆为自主开发，目前累积硬件和固件专利达100项以上。 产品方面，衡宇科技于2017年6月推出首颗SSD控制芯片—SA3801，支持PCIe 3.0x2通道，与先进的NVMe 1.2技术，传输效能可高达2GB/s，大幅度提高带宽与IOPS，以及低延迟的性能表现。SA3801支持所有主流厂商的2D与3D-NAND Flash，本身具有的4个通道和32个CE，最高容量可达2TB;搭配SA3801内建的衡宇科技新一代LDPC错误校正，具备优良的瞬间断电回复 (SPOR) 功能，该芯片的Wear leveling与WAI可以延展NAND Flash 寿命。适用于个人计算机及超大型数据中心之快速启动设备，可以提供实时运算与海量数据处理的解决方案。 2019年11月20日，宏旺半导体股份有限公司与深圳衡宇芯片科技有限公司达成举行战略合作签约仪式，本次战略合作以“携手同行、共创芯生”为主题，双方将通过嵌入式存储、SSD、TF/SD卡等存储类产品的合作，进行资源共享和优势互补，提升产品品质，积极参与并推动中国存储生态发展。 在宏旺半导体PM严坤看来，企业要解决日益增长的存储需求，一是需要丰富完善的产品线，二是拥有专业的销售团队，三是能为客户提供极致的体验，四是寻找紧密的合作伙伴。而此次宏旺半导体与衡宇科技的合作，将会优化资源，打造更多元化的存储类产品，利用双方优势互补，为客户提供更高品质的存储服务，为存储芯片国产化替代发力。 目前来看，衡宇科技虽在SSD领域已有一番建树，但与国内SSD领域的一线厂家相比，技术方面还是稍显不足。联芸科技 MAS0901 固态硬盘主控芯片的企业级固态硬盘解决方案，性能已达国际同类固态硬盘主控芯片及固态硬盘解决方案领先水平，成为继美国 MARVELL、台湾 SMI 之后全球第三家也是国内唯一能够大规模量产 SSD 主控芯片厂商。 国科微发布的SSD控制芯片GK2101，一举成为全球可对外供应固态硬盘控制器芯片的少数厂商之一，第二代芯片GK2301具备完全自主知识产权，并通过了国家密码管理局、中国信息安全测评中心双重认证。忆芯科技发布的高端消费级STAR1000P NVMe SSD 控制器，采用忆芯科技自研StarLDPC/StarNVMe/StarUCC等多项核心技术。

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  • 一个没有电池的远程图像传感器并且能进行时间管理

    如果一个小型、廉价的设备可以观察停车场，寻找车位。或者可以发现交通堵塞，提醒他人改变路线，甚至可以留意公共场所的危险情况。 卡内基梅隆大学电气和计算机工程助理教授布Brandon Lucia和他的博士生Harsh Desai以及来自意大利特伦托大学的合作者一起构思了这样一个装置，他们以一种小巧而勤劳的鸟类命名为Camaroptera。 Camaroptera是一个完全由太阳能电池板供电的无电池远程图像传感器，即使在拥挤的城市环境中，也能将图像无线传输到数公里之外。Camaroptera收集图像并通过所谓的边缘计算进行处理，即传感器设备自行进行数据分析，而不是花费大量时间和精力将数据发送到遥远的云服务器进行处理。 利用边缘计算，Camaroptera将机器学习应用到其收集的图像中。根据机器学习的结果，设备可以通过无线电发送有趣的图像，而不理会无趣的数据，从而节省了原本用于发送图像的能源。 "Camaroptera "的神奇之处在于它可以独立运行，并且可以在大面积的地理区域内运行。该设备可以在偏远地区收集图像，然后在本地处理图像，"Lucia说。"在本地进行计算的好处之一是，它避免了使用无线电。从能源的角度来看，使用无线电是非常昂贵的。" 那么，设备应该如何管理其能量呢?有些必须用于收集数据，有些用于计算，有些用于通过无线电发送数据。另外，它还需要找闲置时间来收集能量。它应该在什么时候做这些任务呢?面对这个问题，Lucia和博士生Kiwan Maeng创造了一种新的算法和系统，用于调度能量收集设备如何使用它的时间和能量。 设备必须确保每个应用的需求都能及时得到满足，而且设备永远不能耗尽能量。例如，如果是阴天，设备就很难采集太阳能。因此，它就没有足够的能量来完成平时的任务。调度算法可以纠正这种情况。 与其让设备执行复杂的能源密集型任务，不如让它执行更简单的任务。 "如果你不能满足系统应该做什么的原始规范，你可以在有限的可用资源下做一些仍然有用的事情，"Lucia说。"设备会以可预测和可控制的方式变得更糟。" 像Camaroptera这样的设备的另一个好处是，它们比执行相同功能的传统设备更便宜。如果你要用这个来监控民用基础设施，那就真的很便宜，因为你可以大量制造它们，能量收集的一个重要好处是消除了设备维护成本。

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  • vivo手机的一亿像素：将图像传感器与算法完美组合

    在vivo举行的vivo X50 Pro+品鉴会，正式推出了vivo X50 Pro+手机。vivo X50 Pro+尺寸长158.5mm，宽73mm，厚度9.48mm，重量为191g。 vivo X50 Pro+屏幕采用6.56英寸双曲面OLED挖孔幕，支持120Hz高刷新率240Hz采样率。而支撑着vivo X50 Pro+名字里这个“+”号的，是vivo围绕全新一代的三星“ISOCELL GN1”打造的，在vivo产品史上是空前强大的主相机模组。 在图像传感器领域，有一个很牛的的技术在领跑，那就是三星的“ISOCELL GN1”，ISOCELL的意思就是“隔离(isolate)”和“细胞(cell)”。如图所示，像细胞一样排列在一起，就是像素层。一个像素下面是一个感光二极管，将接收到的光信号转化为电信号，隔离就是相互之间的物理隔离，降低像素间的光污染，更细腻，提高感光量，夜视能力也就更强了。 5000万个像素就是5000万个格，如果一个像素下面对应两个感光二极管呢?当然是感光能力更快更准确了，和人眼一样，相互合作，捕捉动态物体速度更快。5000万个格子乘以2个感光二极管，那就是一亿像素。 这就是三星的“ISOCELL GN1”，实打实的影像旗舰。在1亿像素拍照模式输出加持下，单张照片可以输出11536*8690分辨率。通过超高像素模式，拍出来的照片可以满足后期随意裁剪的同时，保留更多信息量。 为了挖掘这么牛的传感器的潜力，vivo X50 Pro+配有3200万人像镜头+1300万长焦+1300万广角微距镜头，为了让超高清像素模式下图片的处理速度更快，vivo X50 Pro+搭载了高通骁龙旗舰级处理器865，运行速度提升的同时，功耗下降。 vivo X50 Pro+没法在保证机身纤薄轻巧的前提下采用和vivo X50 Pro一样的微云台结构，而是选择了普通光学防抖这个折中的方案。可因为GN1这块大型传感器感光能力的大幅度提升，X50 Pro+也能在光线不佳的环境下拍出好照片。 vivo X50 Pro后置主摄搭载有微云台，占据空间比较大。因此主摄在上面是居中设计，闪光灯只能放到镜头下面。而vivo X50 Pro+主摄是没有搭载微云台的，因此占据空间相对来说要小一点，主摄采用左侧对齐设计，闪光灯也有位置能直接放置在镜头旁边。

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  • Apple Pencil新专利，自动切换采集颜色

    Apple Pencil是一款智能触控电容笔，又称为苹果牌“铅笔”，是iPad2018、iPad mini5、iPad Air 3和iPad pro(除2018款)的专用笔。Apple Pencil拥有压力传感器，搭载一个Lightning接口，可以插到Apple设备上来充电。 而近期外国媒体又报道了Apple Pencil的新专利，据介绍，新专利是在2019年11月提交的。这个专利就是通过一组特殊的光传感器，对现实物体的颜色进行检测和采样。在美国专利部门(USPTO)授予苹果的一项名为“带触觉反馈的输入设备”专利中，苹果介绍了一款可以向用户提供触觉反馈，同时还能够读取使用者抓握力度等握持方式数据的设备。 苹果认为，通过同时在不同方向施加力可以抵消相互的作用，有效地将手写笔保持在原处，此外还要向用户提供触觉反馈。 报道称，这个色彩传感器配备了可探测相应颜色通道的多个光电探测器，并且还有多个发光器件，控制电路可让它照亮外部物体，然后根据光的反射来检测外部物体的颜色。简单来讲就是Apple Pencil搭载了一个颜色采集器，用户通过Apple Pencil与物体接触后，在用户绘图的时候，就能自动切换采集的到颜色。 当然这个专利对于产品设计师，以及艺术家们来说，这显然是一项梦寐已久的功能，除了有硬件，也需要软件和第三方的配合才能最终起效。 Apple Pencil手写笔借助蓝牙技术以及笔尖和触控技术感知位置和力度以及角度，实现最大限度的笔迹还原，这根触控笔还解决了延迟的问题，几乎做到零延迟，最大限度还原真实的书写体验，Apple Pencil后面的笔帽带有一枚Lightning接头，可以插在iPad Pro上充电。借助Apple Pencil，设计师和艺术家可以在iPad Pro上进行更直接的创作。

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  • 可穿戴设备：华为的AR眼镜专利曝光

    今年4月初，华为上线了其最新的AR地图APP，据介绍，这款基于华为河图技术的APP，能够对现实的画面提供增强虚拟信息。如在莫高窟，打开相机对准壁画，可以出现实时的信息框讲解，还可以投射出虚拟的壁画中形象。甚至能让人和虚拟的壁画合影。 而事实上，华为在AR 领域的深耕远不止于此，近日，据相关媒体报道，中国国家知识产权局最近批准了华为申请的AR智能眼镜专利。 华为申请的AR眼镜包括了摄像头组件、伸缩组件、旋转组件和控制系统。除此之外这款AR眼镜配置的还有弹出式的摄像头，并且这款摄像头能通过手机上的应用程序连接，用户可以通过手机控制其开关和旋转方向。 无独有偶，早在之前苹果的AR眼镜就被曝光出来，并且有可能在今年的秋季发布会上和iPhone 12一同发布。苹果的这款AR眼镜可能又是一款革命性的产品。这款AR眼镜有可能将电影中产经搬进了现实。我们在AR眼镜中看到情景，通过我们的手势就可操作。比如我们在AR眼镜中，一张图片我们看不清，我们的手只要有一个放大的动作，AR眼镜中的图片就会放大。这个场景可谓是科幻十足。 除了华为和苹果外，OPPO也有AR眼镜的计划，看样子，AR眼镜是继智能手表和无线耳机，下一个争夺的焦点。当然除了上面三家外，其他的手机也在研发中，只不过目前还没有相关的消息。 鉴于目前裸眼全息投影技术尚未成熟，独立AR设备最佳的解决方案，可能仍然还是眼镜。华为仍然采用眼镜的形态来作为AR的显示设备，眼镜上应该集成了显示屏、扬声器、陀螺仪等设备，用于感知运动变化并与用户进行实时交互。

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  • 小米：可穿戴设备成为全国第一

    智能手机发展了这么多年，整体市场基本上已经呈现了饱和状态。于是，不少厂商也开始将目光转向可穿戴设备。当下无论是耳机，手环，手表等都是热门产品。那么在全民发力可穿戴设备的当下，谁能成功在可穿戴设备领域占据一席之地? 13年的时候，小米刚做手机还没多久，生态链布局连影子都没有，可有一位网友就对小米进行了预测，简而言之就是小米并不是一家手机公司，而是一家互联网公司，小米的产品会慢慢渗透乃至占据你的生活。 从现在看，这个预言真的是神了，小米目前在电视、可穿戴设备等方面都做到了全国第一的水平，小米生态链也迎来了爆发期。 不过，前几年好多人都这么预测了，实话实说小米所图很大，一直在下一盘大棋。雷军绝不可能指着一部手机赚钱而是生活，十几亿的市场手机只是一部分，改变生产运营模式，冲击原有产业，这个就很可怕了。 很多人不知道，雷军投资了几百家公司，身价万亿，我们熟知的腾讯系，阿里系，虽然也很牛，但是雷军系也不差，雷军可是天使投资人啊!一句话说就是，小米倒了雷军一个人也能推起来，何况小米怎么会倒。 目前雷军最近投资的全是小米的周边，而且已经布局芯片领域，让子弹飞一会儿吧，未来的手机不会是百花齐放，就是国产四大家的事了。Oppo vivo也在布局芯片。到时候他们自己用一个芯片。小米用一个芯片。华为本身就有一个芯片。国产就有4个芯片。 总的来说，小米全面的产品链，品质也是行业翘楚。另外，小米的AI系统比较稳定，那个小爱同学音响有问必答，不会的，人家也很俏皮的回答不会。要说智能家居，朋友前段时间给了我一个海尔的小优智能音箱，说是可以和海尔的冰箱电视连接，那个播放音乐就一个渣，大半夜偶尔还会自己说话。 小米不仅用互联网和性价比普及了智能手机，还大力发展各类互联网产品。参与到了制造业，带动了制造业的发展，促进了制造业的竞争，以后小米还会扩张自己的版图，参与到各行各业。

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  • 新基建下，功率半导体器材趋势

    功率半导体器材有电力电子的“CPU”之称。本质上，它是运用半导体的单向导电性能，在电力电子设备中完成变频、变相、变压、逆变、整流、增幅、开关等电能转化，到达对电能(功率) 的传输、处理、存储和操控。 跟着电力电子设备越来越遍及，电气化、信息化、数字化越来越深化地影响着社会的开展。在此背景下，功率半导体器材所发挥的效果也就越来越巨大，特别是今年年初以来，我国大力推进新基建，这为功率半导体器材工业的开展又添了一把火。 新基建本质上是信息数字化的根底设施建造，这些设施都绕不开电力和电子设备的运用。依据我国工程院院士丁荣军介绍，新基建首要包含信息、融合、创新三个方面的根底设施建造。以5G、物联网为代表的通讯网络根底设施，以云核算、区块链、数据中心为代表的数据根底设施等，这些设施均为用电大户，对用电的需求量和质量(供电电源稳定性、功率放大和动力运用功率)都有更高要求。这必定要依托于功率半导体器材作为底层技能。 而在新基建关注的融合根底设施涵盖智能交通、才智动力等范畴，比如高速列车、城际列车和城市轨道交通等，功率半导体器材作为电能转化的要害核心部件，能够大幅度进步电能转化和传输过程功率，降低动力的消耗。在重大科技根底设施、科教根底设施、工业技能创新根底设施等，功率半导体器材技能支撑着很多工业开展的根底与共性核心技能。能够说，功率半导体器材是新基建布置和施行的底层保障和根底支撑。 比亚迪功率器材总经理杨钦耀也指出，功率半导体器材广泛运用于新基建的各个范畴，尤其在特高压、新动力轿车充电桩、轨道交通及工业互联网方面起到核心支撑效果，在5G基建和大数据中心建造的电源模块中是十分要害的元器材。 正是因为功率半导体器材在5G基建、特高压、新动力轿车充电桩、大数据中心等傍边发挥着要害效果，功率半导体器材在 这些范畴有着广泛的运用。跟着新基建的快速施行，功率半导体器材厂商将迎来巨大的生长机遇。 依据IHS数据，2018年我国功率半导体器材商场规模138亿美元。2021年我国功率半导体器材商场规模有望到达159亿美元，年复合添加率4.83%，超过全球功率半导体器材的添加速度。中金公司研究部认为，在“新基建”以及进口代替推进下，预计2025年我国仅通讯基站用电源类功率半导体器材商场将到达126亿元。 明星产品IGBT与MOSFET占比快速进步 功率半导体器材通过60多年的开展，产品种类繁多，首要包含功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等。其间，MOSFET和IGBT因为产品性能优越，近年来商场规模添加迅速，占比不断进步。IC Insights 报告中指出，在各类功率半导体器材中，未来最看好的产品是 MOSFET 与 IGBT 模组。 简单来说，MOSFET是一种能够广泛运用在模仿与数字电路的场效应晶体管。MOSFET具有导通电阻小、损耗低、驱动电路简单、热阻特性佳等优点，合适用于 PC、手机、移动电源、车载导航、电动交通工具、UPS 电源等电源操控范畴。IHS预估，2022 年全球 MOSFET 商场规模接近 75 亿美元。 IGBT 是由双极型三极管 (BJT) 和 MOSFET 组成的复合式功率半导体器材，兼有 MOSFET 的高输入阻抗和 BJT 的低导通电阻的优点。IGBT 驱动功率小，十分合适运用于直流电压为 600V 及以上的变流体系，如新动力轿车、变频器、开关电源、照明电路、交流电机等，预估2020年全球IGBT商场空间到达60亿美元左右。 新基建的施行无疑将进一步强化MOSFET和IGBT的商场抢先优势。杨钦耀指出，新动力轿车、轨道交通等多个范畴加速崛起，将带动功率半导体器材工业迎来开展机遇。以新动力轿车为例，新动力轿车作业时电流范围在-100A到+150A之间，如此巨大的电流需求被电控单元精准操控，以完成轿车的制动，而傍边最核心的零部件就是IGBT。 有数据显现，新动力中轿车功率半导体器材的价值量约为传统燃油车的5倍以上，IGBT约占新动力轿车电控体系本钱的37%。未来新动力轿车商场的快速添加，有望带动IGBT运用量的明显进步，然后有力推进IGBT商场的开展。 通讯职业是功率半导体器材运用的另一大范畴。华润微电子功率器材工作群总经理李虹指出，5G是新基建的核心，AI在5G根底大将得到快速开展，两者相得益彰，是未来最具潜力的添加范畴。 半导体工业尤其是功率半导体器材工业，既是技能驱动的工业，也是运用需求拉动的工业。5G建造所需的基站设备及其遍及后带来物联网、云核算的快速开展，将对功率半导体器材发生长时间很多需求。以5G的核心技能MassiveMIMO为例，它的广泛部署将大大进步关于MOSFET构成的射频器材需求。 第三代半导体具备开展潜力 从技能开展来看，跟着硅基器材的趋近本钱效益临界点，近年来主流功率半导体器材厂商纷繁环绕碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等第三代半导体资料进行探索。第三代半导体资料具备宽禁带、低功率损耗等特性，迅速在高压高频率等新场景下开展壮大，成为功率半导体器材范畴未来的重要开展趋势之一。 不过，第三代半导体也存在着制作本钱较高以及长时间可靠性疑虑等问题，因而还需求更加广泛地推广运用，以降低本钱、进步性能。而新基建的施行无疑对第三代半导体资料在功率器材傍边扩展浸透率有着极大的帮助。 对此，意法半导体亚太区功率分立和模仿产品器材部区域营销和运用副总裁沐杰励就指出，新基建关于SiC和GaN器材而言，是一个巨大的时机。SiC器材相关于Si器材的优势之处在于能够降低能量损耗、更易完成小型化和更耐高温。 SiC器材在直流充电桩及智能电网、工业用电等范畴运用，能够带来高功率、大功率、高频率的优势。GaN器材也有其商场空间。GaN的优势在于其开关频率十分高。高开关频率意味着能够运用尺度更小的无源元件。如果需求减小器材的外形尺度，这时GaN将发挥重要效果。 以新动力轿车充电桩为例，沐杰励指出，充电桩建造已经成为新基建的一部分，车桩比及充电桩的有效分布会直接影响新动力轿车顾客的运用体验。跟着新动力轿车运用率进步，顾客对方便、快速充电的需求也越来越高，因而需求扩展根底设施建造，添加充电站数量并提供更快的充电服务。 先进的功率技能和新资料如SiC在新动力轿车中起着重要效果。车载充电器和逆变器正在推进半导体公司出资新的宽禁带半导体技能和新式IGBT，并研制新的功率封装解决方案，以最大极限地运用这种高端硅技能的优势。

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  • IGBT，半导体皇冠上的明珠

    IGBT (Insulated GateBipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由 BJT(双极型三极管)和 MOSFET (绝缘栅型场效应管)组成的全控电压驱动的功率半导体。 一、IGBT的壁垒 功率分立器件的演进路径基本为二极管-晶闸管-MOSFET-IGBT，其中，IGBT是功率半导体新一代中的典型产品。 IGBT既有MOSFET的开关速度快、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点，又有BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点，在高压、大电流、高速等方面是其他功率器件不能比拟的。因而是电力电子领域较为理想的开关器件，被誉为“电力电子器件里的CPU”，也被称为半导体皇冠上的明珠! IGBT 领域技术更迭较慢，部分产品可以用到 5-10 年之久，同时IGBT的进入壁垒是功率半导体里最高，从芯片设计到模组都需要很长时间技术积累以及在实际应用中不断调试，注重资深工程师的经验积累，高壁垒重积累的特性利于业内玩家持续强化护城河。 二、IGBT的应用领域 全球的IGBT应用来看，工控占比37%，为最大的应用领域，电动汽车28%，新能源发电9%，消费领域8%。 而在国内，由于我国高铁发达，下游应用领域工业控制29%，轨道交通28%，新能源汽车12%，新能源发电8%，不过随着我国新能源领域的不断发展，新能车和光伏风电这两块需求占比未来将持续上升。 2017年全球IGBT市场规模为52.55亿美元，同比2016年增长16.5%，2018年全球IGBT 市场规模在58.36亿美元左右，同比增长11%，在功率半导体各个细分中属于景气度最高的。 国内的IGBT需求增长远超全球增长。根据智研咨询的数据，2018年中国IGBT市场规模为161.9亿元，同比增长22.19%，增速显著高于全球平均水平。 受益于新能源车、风电和光伏等我国强势领域的持续发展，预计未来国内IGBT的复合增速继续保持 20%以上。 这符合我们选择高成长行业的基本指标，行业年增速超过20%，属于行业的初级且处于高速成长期，容易产生10倍以上的牛股。 三、IGBT的市场格局：国产替代空间巨大 IGBT 市场竞争格局较为集中，主要竞争者包括英飞凌、三菱、富士电机、安森美、瑞士ABB等，2017年全球前五大IGBT厂商的份额超过70%。国内IGBT 龙头斯达半导 2018 年在模块领域市占率仅2.2%。 由于IGBT的下游应用新能源车、光伏、风电等这些新兴领域，我国在世界上的话语权高于过去的传统燃油车领域和工控领域。 因此在IGBT的增量空间中有一半以上需求都在中国，未来几年我国的IGBT市场需求占比将从 2019 年不足35%提升到 2025 年的50%或以上，为我国的 IGBT厂商提升份额和竞争力创造了良好的条件，国产IGBT厂商市场份额和业务量的提升潜力非常大。 庞大的本土下游需求加国产替代的浪潮，国内已经实现从0到1突破的优秀IGBT公司，将迎来未来5-10 年从1到N 的黄金发展机遇期。

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  • 台积电宣布3nm工艺将在2021年实现风险量产

    在7月16日举行的台积电第二季度业绩说明会上，台积电宣布，预计将于2021年上半年进行3nm的风险量产，2022年正式量产。 台积电两年前量产了7nm工艺，今年要量产5nm工艺了，已经被华为、苹果抢先预定了大部分产能，现在3nm工艺也定了，官方宣布2021年风险量产，2020年下半年正式量产。 此外，台积电还透露了3nm工艺的技术指标，相比今年的5nm工艺，3nm工艺的晶体管密度提升15%，性能提升10-15%，能效提升20-25%。 之前传闻台积电在3nm节点会放弃FinFET晶体管工艺转向GAA环绕栅极晶体管，不过最新消息称台积电研发成功2nm工艺，使用的是GAA晶体管技术，这意味着台积电3nm节点还会采用传统的FinFET工艺。 据外媒报道，台积电将如期推出iPhone和iPad的苹果A16芯片，该芯片将采用台积电的3nm工艺，并于2022年上市。 16nm 和 7nm工艺订单依是台积电的主要营收来源，16nm贡献了第二季度18%的营收，而7nm则是46%。两项工艺加起来撑起了台积电2020年第二季度54%的营收。 3nm可以说是最接近摩尔定律的技术极限了，目前台积电能否承受这个巨大的挑战呢，只有等到2022年再揭晓了。

    半导体 晶体管 台积电 3nm

  • 格科微年售13亿颗传感器，仅次于索尼全球第二

    近年来，智能手机行业的迅速发展，确实养活了不少上下游产业链的公司。当前，很多智能机为追求更佳的摄像效果，多镜头配置已经成为一种趋势。在这种情况下，镜头背后的传感器厂商，自然受益匪浅。 手机产品迎来光学升级浪潮，多镜头配置逐渐成为一种设计趋势。不少国内传感器企业都因此而受益，其中，格科微便是其中佼佼者。 格科微虽然在市场上知名度并不高，但根据数据显示，格科微2019年CMOS图像传感器出货量达到13.1亿颗，占据全球20.7%的市场份额，仅次于索尼，全球第二。 从某种意义上来讲，格科微算是国内被低估的一家芯片巨头。而该公司之所以成绩如此出众，但知名度不佳，主要还是在于产品素质算不上顶尖。目前，格科微主要是为客户提供8万到1300万像素图像传感器，这类镜头普遍被用在平板电脑、PC设备、手机以及儿童手表上，无论成像素质还是功能选择，相比索尼传感器要差一些。 当然，格科微也并不是只生产图像传感器这一种产品，显示芯片的设计、生产和销售也是核心业务之一。不过，显示芯片也存在与传感器芯片相似的问题——产品技术等级太低，在市场上无法吸引到消费者注意。也正是基于此种原因，格科微虽然图像传感器全球出货量排名第二，但营收排名却跌到第八的位置。 不过，格科微也在努力补齐短板，根据格科微发布的最新消息，公司4800万像素图像传感器已经进入到工厂样品流片阶段，在传感器市场规模不断扩大的大背景下，格科微正在不断提升自己的新品研发投入，想要通过丰富产品梯次，以此来争抢更多的市场份额。 值得一提的是，格科微与舜宇光学、欧菲光、华星光电等国内知名摄像头厂商和显示模组厂商都有形成长期稳定的合作关系，客户更是涵盖三星、小米、vivo、传音、小天才等各界知名品牌。这意味着格科微不仅能在第一时间了解市场情况，而且还有稳定的出货渠道做支撑。 未来，格科微传感器和显示芯片完全无需为销售问题和研发方向而发愁。目前，格科微正在积极寻求上市，计划融资70亿，若是成功其将成为创科版上融资金额第五大厂商。 在对未来的展望中，格科微以技术研发为主，掌握核心技术，同时尽力往高端化方向发展，提升产品利润。唯有这样，才能有机会追赶索尼，成长为真正的国际巨头。

    半导体 芯片 传感器 格科微

  • 两个模拟芯片巨头的合并，一个全新芯片的诞生

    一直以来，半导体技术和芯片的研制都是一个非常尖端的技术，谁将这个技术做好做大，谁就能在当今的科技界闯出一片天。近日，美国出现了一家全新的芯片巨头厂商，而这个厂商则是由两大芯片巨头的并购所产生。同时也成为了一个市值高达近700亿美元的半导体巨头。市值432亿美元的美国模拟芯片巨头亚诺德(ADI)正式宣布将以每股0.63美元的价格收购价格，将近210亿美元收购其最大的竞争对手之一，美信公司。 两个芯片巨头为亚诺德和他的竞争对手美信公司，两大芯片巨头瞬间从竞争对手变成了亲密无间的一家人，但是这两家的芯片和我们所熟知的芯片厂商像高通、英特尔不同，他们所研发的芯片名为“模拟芯片”。 虽然与传统意义上的芯片不同，比不上传统手机和电脑的处理器，但是同样也有着举足轻重的作用，而它主要负责的就是将我们所看到的画面和图像以及听到的声音转换为数字信号，只有转化后，CPU才可以正常的完成之后的工作。 换个说法就是模拟芯片相当于是手机和现实之间的一共转换器，一头连接现实中的声音图像，而另一头连接CPU，虽然工作比较基础单一，工艺难度相比于CPU和GPU要简单的多，也不需要太高级的半导体制作工艺，但是它的作用却是不可或缺的。 虚拟芯片的用途同样非产广泛，除了手机电脑之外，凡是带有处理器的设备都需要搭载虚拟芯片，就先现在的很多新能源汽车以及搭载了只能系统的汽车，对此功能非常依赖。 而此次两家公司的并购实际上也是随着市场的发展和走势不得不走的一步，尤其是全球大多数的国家还在饱受疫情的折磨，市场的竞争非常激烈，两家公司并购后可以尽可能的减少市场局势对单一公司的影响，同时还可以更好的应对半导体行业的激烈竞争。 由于技术的发展，在模拟芯片上的技术已经到达了瓶颈，而长时间的，想要获得更好的发展除了要紧捏自己的关键技术还要合理的运用合作把自己的技术更好的发挥出来。 虽然模拟芯片也是需要高端的研发技术，但是跟CPU相比这就如同小巫见大巫，同时CPU的更新速度也是非常快，对于手机处理器来说一年一更甚至是两更，而一个模拟芯片可以用很多年。 同时在造价和制作难度上相较于前者真的不再一个档次，一个模拟芯片的单价一般在1美元左右，而它的净利率甚至可以高达60%以上，这样的利润也让不少的半导体厂家非常眼红，毕竟用更简单的方式却赚了更多的钱。 对于亚诺德和美信的合并，自然是利大于弊，合并后的公司有了更大的规模和在行业内的话语权，同时在技术层面两家结合无疑会带来更好的产品。 但是对于我们来说，在选择虚拟芯片时相当于少了两家单一的厂商，而多了一家全新的芯片巨头，这对中国在选择产品时的议价能力降低了好几个档位，虽然中国也有一些不错的公司，但是在尖端技术上还是有比较大的差距，所以不得不从国外选择。 从技术研发的角度来看，“收购”是补充短板的最快方法，这对于半导体公司来说更为常见。从人才的角度来看，“模拟芯片设计”一直被业界认为是“比数字设计困难得多”。作为模拟芯片，进入门槛相对较高，相关的顶级人才将更加稀缺。

    半导体 半导体 模拟芯片 亚诺德

  • 变频器常见故障及处理方式

    变频器在商业和工业建筑物中起到重要作用。并且随着微电子和电力电子技术日新月异的发展，变频器技术在不断的革新。交流变频调速装置取代直流调速装置是一个必然趋势，很多人在使用变频器或多或少会遇到一定的故障问题。下面为大家介绍变频器使用的常见故障以及这些故障的简要处理方法。 1.参数故障 常用变频器的参数设定对于满足驱动系统的要求非常重要。如果参数设置不正确，变频器将不能正常工作。一旦发生参数设置故障，变频器不能正常运行，一般可按说明书修改参数。如果不能做到这一点，最好将所有参数恢复为出厂值，然后按照上述步骤进行重置。不同品牌的变频器回收方式也不一样。民熔变频器的参数设定页面就十分简洁，出现一般故障也能靠保护装置调节，民熔变频器更有故障处理的一对一指导，遇到严重的故障也能轻松处理。 2.过流故障 可分为加、减速、恒速过流故障。变频器加减速时间设定过短、负荷突然变化、负荷分布不均匀、输出短路等造成加减速过流。此时，一般可以延长加减速时间，减少负荷突变，增加能耗制动元件，设计负荷分配，检查线路。如果负载变频器出现断线或过流故障，则变频器的逆变电路已被逆变器回路，需要更换变频器。 3.过电压 失效变频器的过电压集中在直流母线的支路电压上。一般情况下，变频器为直流整流后的三相平均全波整流。对于380V线路电压，平均直流电压Ud= 1.35 U线路=513V。当发生过电压时，直流母线的储能电容将被充电。当电压达到760V左右时，变频器起过电压保护作用。因此，对于变频器来说，存在一个正常的工作电压范围，当电压超过这个范围时就很可能损坏逆变器，常见的过电压有两种类型： 3.1输入交流电源过电压 这种情况是指输入电压超过正常范围，在节假日负荷较轻、电压升降而电路出现故障时常见发生，这时最好断开电源，检查、处理。 3.2发电过电压 这种情况发生的可能性很大。主要原因是电机的同步速度高于实际速度，使电机处于发电状态，而变频器没有配备制动单元。有两种情况会导致此错误。 (1)当大惯性负载的变频器驱动，减速时间设定很小，在还原的过程中，变频器的输出速度更快，减少负载电阻本身是缓慢，拖动电动机负载的转速大于变频器的输出频率的转速，变频器没有能量反馈单元，因此变频器直流电路直流电压的增加，超出了承受值，要处理这种故障可以增加再生制动单元，或修改变频器参数，设置变频器减速时间更长。 (2)多台电动机作用于同一负载时，也会发生这种故障，主要是由于没有进行负载分配(一次分配和二次分配问题)。以两台电机驱动一个负载为例。当一台电机的实际转速大于另一台电机的同步转速时，高速电机相当于原动机，低速电机处于发电状态，造成故障。在本机中经常发生在压合部和净部，加工时需加负荷分配控制。可在纸机传动链支的变频调速特性上进行软调节。 4. 变频器过载 包括变频器自身过载和电机过载。变频器过载是由于加减速时间过短(形成临时过载)，直流制动过大造成的。维护：通过改变内部参数，延长制动时间。电机过载时网络电压过低，如过载引起的负载。保养：检查电网，电压负荷过重，所选电机和变频器不能拖动负荷，或者可能是机械润滑不良(电阻过大)造成的。过电流，过电压，过载这些常见的变频器故障，民熔变频器都有考虑在内，民熔变频器更充分发挥了技术和服务的优势。在发生这几类故障时，无论用户是通过说明书或者联系民熔对接专家都能得到快速处理。 5. 其他的缺点 (1)欠压。这说明变换器的电源输入部分有问题，需要检查后才能运行。 (2)温度过高。如果电机有温度监测装置，检查电机散热;变频器温度过高，检查变频器通风情况。

    半导体 电气 变频器 民熔

  • SRAM的存储容量及基本特点

    SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。SRAM存储器具有较高的性能，但是SRAM芯片也有它的缺点，即它的集成度较低，功耗较DRAM大。 SRAM的速度快但昂贵，一般用小容量的SRAM作为更高速CPU和较低速DRAM之间的缓存.SRAM也有许多种，如Async SRAM(异步SRAM)、Sync SRAM(同步SRAM)等。 下面解析关于SRAM存储容量及基本特点。半导体随机存储器芯片内集成有记忆功能的存储矩阵，译码驱动电路和读/写电路等等。 1、重要概念 读写电路：包括读出放大器和写入电路，用来完成读/写操作。 地址线：单向输入，其位数与芯片的容量有关片 选线：确定哪个芯片被选中(用来选择芯片) 数据线：双向输入，其位数与芯片可读出或者写入的位数有关，也与芯片容量有关。 2、存储容量 通常我们将存储容量表示为：字数X位数，比如64KX8位，其含义为，以8位构成一个字，一共有64个字。 下面我们来看一道例题：一个64Kx8位的存储器，可以由()个16kx1位的存储芯片构成?分析：64Kx8位，说明该存储器是以8位构成一个字，因此，每读出一个字，需要选中8片16kx1位的存储芯片，而一片能表示16k，因此一共需要64/16=4片，根据组合的原理，一共需要4x8=32片。 从图中我们可以看出，相当于把32个芯片分成了4组，每组8片(表示8位)。于是得出这样的结论： SRAM存储器元件所使用的mos管多，占用硅片面积大，集成度低，但是采用触发器工作原理存储信息，因此即使信息读出之后，它仍然保持原状，不需要再生，但是电源掉电时，原存有的信息就会消失，因此它属于易失性存储器。 3、基本特点 触发器优点，速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。 触发器缺点，集成度低，功耗较大，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关键性系统以提高效率。 SRAM使用的系统：CPU与主存之间的高速缓存。CPU内部的L1/L2或外部的L2高速缓存。 CPU外部扩充用的COAST高速缓存。CMOS146818芯片(RT&CMOS SRAM)。

    半导体 电路 sram 存储数据

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