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  • 海思推出MR芯片，支持8K分辨率

    混合现实(Mix reality，简称MR)，既包括增强现实和增强虚拟，指的是合并现实和虚拟世界而产生的新的可视化环境。它是虚拟现实技术的进一步发展，该技术通过在虚拟环境中引入现实场景信息，在虚拟世界、现实世界和用户之间搭起一个交互反馈的信息回路，以增强用户体验的真实感。 海思半导体宣布推出旗下混合现实芯片 Hi3781V900，主要针对混合现实装置打造需求设计，支持 8K 分辨率，同时整合 GPU 与 NPU 方案，希望能够呈现稳定、清晰的虚拟视觉效果。 除了可支持高达 8K 的分辨率之外，海思这款混合现实芯片更搭载麒麟系列处理器同款 NPU 设计，可以实现高达 9TOPS 的 AI 运算能力，可用于增强现实中的影像识别需求，并且对应更快数据分析反应效果，让 AR 实际体验更加流畅。 同时，这款混合现实芯片将与中国 AR 新创团队 Rokid 合作，并且应用在旗下 AR 眼镜产品 Rokid Vision 中。对应双眼可达 40° 以上的视角范围，以及 1080P 的 3D 显示效果。此外，该芯片平台加入海思专有架构NPU，可以提供最高9TOPS的NPU算力。搭载这一芯片的首款AR眼镜RokidVision将应用于安防、工业、教育、零售、会展等多个领域，提供更强大、便携、沉浸的体验。 而未来，AR与MR将会提供更多全新互动模式。

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  • 如何恢复硬盘内数据？

    硬盘坏了怎么恢复数据?误删电脑数据以及其他重要的文件，是我们经常遇到的情况，但对于硬盘格式化等原因造成文件丢失来说，是可以进行恢复的!在删除文件时，一般也都是将删除的文件标记为”空闲“的形式，并没有真正的删除，而是使用另外一种形式进行文件的存储。 对于这种情况所格式化的文件来说，我们又该如何恢复呢?如何利用数据恢复软件找回丢失的文件，以及电脑相关的小知识小技巧： 双击硬盘没有反映，只有C盘也就是系统盘可以打开，其它的盘都打不开，只有右键点击才有反应，针对这种情况，下面小编就为大家分享下具体的解决办法，希望额可以帮到大家! 1、打开电脑左下角开始菜单，找到【运行】选项，点击打开。 2、在弹出的运行对话框中输入【gpedit.msc】，点击确定打开【本地组策略】。 3、进入本地组策略界面，依次点击【计算机配置---管理模版---所有设置】。 4、在所有配置右方找到【关闭自动播放】，双击打开此项。 5、进入关闭自动播放属性对话框，点击上方的【已启用】。 6、然后将下方的配置项，选择【所有驱动器】，点击保存重启电脑即可。 我们都知道技术有价，数据无价。那么日常生活中，我们不小心删除了U盘挥着硬盘数据该怎么找回呢?小嗨推荐下面这个数据恢复软件适用于一些永久删除，或者清空回收站文件，硬盘格式化，U判文件恢复等覆盖等多种类型文件数据的修复。 具体操作教程如下： 1.下载安装并嗨格式数据恢复大师，打开软件，根据自己的需要，选择软件界面上相对应的恢复功能; 2.选择原数据文件所存储的位置。 3.当原文件丢失位置选择完成后，点击下方开始扫描，对磁盘丢失的文件进行扫描。 4.扫描结束后，选中我们所需要恢复的文件，并双击文件进行预览，确定完成后点击恢复，选择恢复文件存储的路径，并点击“恢复”即可找回丢失文件。

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  • U盘误删该如何恢复？

    U盘文件误删怎么恢复?在使用U盘过程中，我们遇到U盘各种故障该怎么有效应对?现在的U盘使用很广，很多时候我们遇到U盘只读模式，遇到这种情况，就不能在U盘中做任何的操作了，万一遇到紧急事件，U盘不能写入数据，那么怎么去除U盘只读模式就成了大家的问题了，接下来就给大家介绍下去除U盘只读模式的方法。 一、U盘怎么解除只读模式 右键点击“我的电脑”或者“计算机”——“管理”——“磁盘管理”，只要你能在这里面看到U盘的盘符，OK，说明你的U盘是正常的： 右键选择想格式化，文件格式选择FAT32(默认是FAT，但大多U盘是FAT32)。右键点击U盘盘符，选择格式化，点击“是”，你很快看见“状态良好”几个字，格式化完成。 另外，U盘不同于其它存储设备，所删除的不会像电脑一样可以通过回收站的形式进行找回。只能借助一些专业的U盘文件恢复工具进行找回。那么对于这些误删除的文件来说，当数据丢失后，我们又该如何找回呢? 二、怎样才能找回U盘误删除的文件呢? 1、我们首先将丢失数据的U 盘插入电脑中，下载安装“嗨格式数据恢复大师”，根据自己需要选择恢复功能就可以了。 2、选择原数据文件所存储的位置，此处可以根据自己的需要选择对应数据误删除的磁盘，然后点击右下角的“开始扫描”按钮，就可以自动对丢失数据的 U 盘进行扫描了。 3、等待扫描结束后，点击【确定】，然后根据软件界面的文件路径，或者文件类型两种形式，浏览找到我们想要恢复的文件，直接点击“恢复”选即可找回。

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  • RAID磁盘阵列,你了解吗?

    很少有人了解磁盘阵列RAID，它到底是怎样工作的呢? 磁盘阵列只适用于多块硬盘，单硬盘是无法组成阵列的，而当拥有多块硬盘时，在正常情况下每个磁盘相互独立，互不干涉，磁盘的利用率得不到完全发挥，往往只有一块硬盘在持续工作，“一盘有难，八盘围观”的盛况屡屡出现在各个电脑里，以上情况简称为JBOD模式，即各个磁盘相互独立。 什么是磁盘阵列? 磁盘阵列(raid),一种把多块独立硬盘(物理硬盘)按照不同方式组合成一个硬盘组(逻辑硬盘)，从而提供比单个硬盘更好的存储性能和数据备份能力的技术。是在多块硬盘组成的阵列系统中，牺牲一块或多块硬盘自己的容量，来对数据的存储提供一定的容错能力。塔式目前使用的最为广泛的数据保护模式。 提到磁盘阵列数据的安全性，我们假设一下，如果你把重要的数据在没有备份的情况下存储在单一的硬盘中，如果硬盘损坏，轻的你可以找数据恢复公司进行数据恢复，损坏严重的你的数据就将丢失。但如果你采用磁盘阵列的形式进行数据的存储方式，那我们只需要替换掉阵列中坏的硬盘数据就可以恢复了。 RAID都有哪些类型?他们各自的特点是什么? RAID按现在流行的等级可分为raid0 raid1 raid2 raid3 raid4 raid5 raid10，等级并没有高低之分，只是方式不一样，微同步：135-52-03-85-51。下面我们介绍几种应用比较普遍的RAID模式，我们来探究一下： RAID读写性能RAID0 最好 RAID1 读与单个硬盘无区别，则要写两边 RAID5 读近似raid0，写多一个奇偶校验位，速度比raid0慢 RAID10 读 10=0 写10=1 安全性 RAID1与RAID10 最高 冗余一对镜像最少有一块可用 奇偶校验，只允许坏一块 一对镜像最少有一块可用 磁盘数 RAID 0 最少2块 1 2+2n n>=0 RAID 5 最少3块 RAID 10 最少需要4+2n 磁盘利用率 RAID 0 5 1/10(50%) 选择依据 RAID 0 数据读者频繁，对可靠性要求不高RAID 5 数据读频繁，写较少，对可靠性有一定要求RAID 10 数据读者频繁，可靠性要求也高 热备盘和冷备盘 如果我们再使用RAID阵列中坏掉一块硬盘，RAID将怎样进行自我修复呢? 比方一个2盘位的RAID1，坏掉一个盘，那么此时的raid 1阵列将处于降级的状态，也就是说阵列能够运行但没有了容错冗余的能力，数据已经不安全。对我们来说，我们只需要拔掉坏掉的硬盘，换一块相同容量的好盘即可。根据硬盘大小的不同，阵列恢复重建过程十几小时到几时小时不等。这就是冷备盘。 而所谓的热备盘就是让阵列自己找一块好的硬盘替换坏掉的硬盘。建好RAID阵列后，在向其中插入1到多块与阵列容量相同的盘，将其设置为Hot Spare模式。这些盘在阵列健康的时候不会有作用也不存储，一但阵列中硬盘出现问题，RAID将激活热备盘，开始阵列的恢复工作。 综上我们已经知道了磁盘阵列的好处多多。 影视后期制作为什么要用磁盘阵列? 一块普通的机械硬盘，速度一般在100-200MB/s。如果电脑配置足够，但平常剪辑还是卡啊卡，那十有八九，问题就出在本地硬盘了。剪辑对速度的要求很高，本地盘无法满足的话要么上固态，要么上阵列。而固态，一方面容量比较小，另外价格你懂的。 磁盘阵列可以有效地提高数据的传输速度。 例如：迪蓝科技B08S3-PS存储，它从主机端内部到储存系统的资料传输都采用PCIe接口，完全不需要经过讯号转换，32GB的带宽不会因为传输协定转换而导致性能减损，因此能保有每秒1600MB的绝对高速优势。

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  • 我国半导体出口额全球第二，削弱美国半导体地位

    在第一季度的半导体制造设备销售中，中国半导体制造设备的销售额同比增长了48%，是今年第一季度全球半导体市场销售额增幅最大的国家，其出口额达到了35亿美元，位居全球第二。在半导体制造设备中，中国取得如此成就，在全球半导体市场拥有一定话语权，将会大大削弱美国半导体地位。 据雅虎财经6月3日报道，日前国际半导体产业协会发布了《全球半导体设备市场统计》报告，今年第一季度全球半导体制造设备销售额为155.7亿美元。其中，中国的出口额为35亿美元，而北美地区的出口额只有19.3亿美元。从这份数据来看，中国半导体更具有发展潜力，是半导体市场中一颗冉冉升起的新星。 近期以来，美国为了保护在半导体领域的地位，展开了积极行动，不仅呼吁外国半导体公司赴美建厂，还出台了一系列的限制措施，不让外国企业将芯片卖给中企，意图阻碍中国企业的发展。美国已将33家中国企业及机构列入了“实体清单”之中，对华为等中国科技公司展开了限制。 有消息显示，日前美国还修改了一项出口规定，准备从战略上阻止华为使用美国设备和技术。新规定：“凡是使用了美国设备和技术的外国公司，在向华为出口芯片时，必须获得美国的许可。”很显然，美国这就是想全面围堵华为，切断华为的芯片供应链。而在美国的干预下，台积电方面就传来了不好消息，将停止接受华为的新订单。 据信报网站报道，由于美国加大了围堵华为的力度，台积电便通知设备厂，将5nm制程的扩建计划延迟至2021年第一季度，比原定时间延长了两个季度。台积电5nm工艺制式的生产线，在2020年的时候已投入使用，而华为就是首批采用该工艺制式的厂商。台积电延长5nm制程的扩建计划，将会直接影响到与华为的芯片供应，这对华为非常不利。 不过值得一提的是，并不是所有的半导体公司，都听从美国的号令。比如说：韩国半导体企业就与华为展开了合作，成为了华为的重要供货商。根据数据显示，华为大约每年都要花10万亿韩元(约81亿美元)，从韩国企业手中购买内存和闪存芯片。在美国出台了限制措施后，华为就加大了与韩企三星和SK海力士的合作力度，将更多的订单交给了这两个公司。 半导体制造设备出口额虽有增长，但是半导体行业的核心还在于创新研发，我国更应该重视半导体芯片领域的研发，突破外国科技对中国企业的“卡脖子”。

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  • AI芯片成为计算时代的核心载体

    芯片，小之又小的东西，将成为现在以及未来一切指令、嵌套、分析、采集的关键，成为每个国家重中之重的科学技术。智能时代迟早到来，不，或许现在已经初现端倪。每个时代都有其核心的物质载体,比如工业时代的蒸汽机、信息时代的通用CPU,新片时代也将成为智能时代的核心载体。 伴随着人工智能的不断发展,业内人士认为,在未来,AI芯片将会是一个重要的发展方向。 2016年3月,陈天石创立了寒武纪科技公司,该公司是全球第一个成功流片并拥有成熟产品的智能芯片公司,拥有终端和服务器两条产品线。公司推出的寒武纪1A处理器(Cambricon-1A)是世界首款商用深度学习专用处理器,面向智能手机、安防监控、可穿戴设备、无人机和智能驾驶等各类终端设备,在运行主流智能算法时性能功耗比全面超越CPU和GPU。 在这个万物计算的时代,芯片成为全球科技发展的真正内核,以往的芯片市场被牢牢的把持在国际巨头手中。但随着人工智能的窗口逐渐打开,智能运算应用面不断扩宽,市场契机也给予了像寒武纪这样“后来者”发起由下往上的挑战机会。 6月2日,科创板上市委发布2020年第33次审议会议结果公告,寒武纪首发上市获得通过。其保荐券商为中信证券,此次IPO拟融资金额为28.01亿元。 近日,上交所公布的寒武纪第二轮问询函回复中,还披露了2020年一季度的业绩,并对2020年上半年及全年业绩进行了预估。寒武纪表示,预计2020年将实现6亿元至9亿元的营业收入,同比增长35.15%至102.73%。 基于2020年的收入预测,保荐机构对寒武纪的估值结果为192亿元-342亿元。不过,市场普遍认为,该估值较为保守,预计寒武纪估值可超400亿元。 在这万物互联，万物计算的时代，AI芯片成为如今的潮流，带来半导体行业的一场巨变。

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  • 飞凯材料：TFT-LCD正性光刻胶处于评估测试阶段

    薄膜晶体管液晶显示器（简称为TFT-LCD）是多数液晶显示器的一种，它使用薄膜晶体管技术改善影象品质。虽然TFT-LCD被统称为LCD，不过它是种主动式矩阵LCD，被应用在电视、平面显示器及投影机上。简单来说，TFT-LCD面板可视为两片玻璃基板中间夹着一层液晶，上层的玻璃基板是彩色滤光片、而下层的玻璃则有晶体管镶嵌于上。 集微网消息，6月1日，飞凯材料在互动平台表示，公司TFT-LCD正性光刻胶目前处于试生产过程中，且近期出货量也在稳步提升。另外，公司i-line半导体光刻胶实验室阶段产品正在做客户送样验证前的准备工作。 飞凯材料2019年在互动平台就曾表示，公司的光刻胶产品应用于PCB制造、屏幕显示制造方面，是公司利润增长极之一。 飞凯成立于2002年，2007年于安徽安庆设立全资子公司安庆飞凯高分子材料有限公司，开始涉足半导体材料领域。安庆飞凯新材料有限公司主要提供紫外固化光纤光缆涂覆材料、紫外固化光刻胶等产品。飞凯在2017年对公司业务进行了梳理与重新布局，收购了大瑞科技、和成显示100%股权，并收购了长兴昆电60%股权。飞凯将借此扩展产品布局、进军中高端及开拓下游领域。 飞凯材料的产品可应用于IC制造、IC封装、LED制造，TFT-LCD、PCB、SMT等诸多电子制造领域。飞凯材料已逐步形成紫外固化材料、屏幕显示材料和半导体材料等电子化学材料以及有机合成材料并驾齐驱的产品布局。

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  • 从零开始自主研发，芯驰科技首秀三大车用芯片

    我们知道半导体组件是汽车中的电子产品组成的核心，其中包括基于视觉的增强型图形处理器(GPU)、应用处理器、传感器及DRAM和NAND闪存等推动汽车创新技术实现的关键零部件。随着汽车复杂程度的提高，对汽车半导体元件的需求势必会稳步增长，因此汽车板块对半导体产业而言属于推动其长期发展的新引擎。 集微网报道，据Gartner预测，2020年全球将有6000万辆联网汽车，未来四年内该数字更是将猛增至2.2亿辆。在汽车的智能化、电动化、网联化和共享化升级的浪潮中，车用芯片供应商无疑迎来了最好的发展机遇，国内外的老牌劲旅和后起之秀已经展开了群雄逐鹿的好戏。 随着车用领域在整个半导体市场所占比例越来越大，芯片供应商们也越来越重视车规芯片产品的研发和相关认证。其中，国产车用芯片供应商的实力也不容小觑，例如中国第一家获得TV莱茵颁发的ISO 26262:2018版功能安全管理体系证书的企业——芯驰科技。 首秀 芯驰科技CEO仇雨菁在接受集微网采访时表示，中国汽车的产销量现在占全球的三分之一，是产销量的第一大国。但是中国的汽车芯片几乎全部来自于国外，只有小于3%的芯片是自主研发，它们还大多集中在电源管理和导航的这种中低端的芯片，所以中国急需一些自主研发、高性能、高可靠、高安全的核心芯片出现，进而保障中国汽车产业的未来发展。 从零开始自主研发，芯驰科技于近日发布了9系列X9、V9、G9三大汽车芯片产品，提供针对汽车的协同一体化解决方案，覆盖了智能座舱、智能驾驶、中央网关三大核心应用。 仇雨菁表示，作为公司的第一代产品，9系列芯片才用了不到两年的时间。她认为，这三款芯片的应用方向是未来智能汽车里面最重要的三个组成部分。 其中，X9系列芯片用来支持未来智能座舱：在传统汽车座舱里，人和车的沟通只能通过按键和基础的触控屏等进行;而一颗X9芯片可以同时支持多块高清屏幕，最多支持12路高清摄像头，具备语音交互、手势识别，驾驶员状态监控等功能，可以让人在车内感受到多元化的交互体验; V9系列芯片是自动驾驶的核心大脑：作为域控制器核心，V9内置高性能视觉引擎，支持多达18个摄像头输入，不仅能满足ADAS应用需求，还能给未来更高级别的自动驾驶和无人驾驶留有充足的扩展空间; G9系列芯片是未来汽车的智慧信息枢纽;X9智能座舱、V9智能驾驶，以及其它功能模块和域控制器，原本相互独立、各自为政，G9在其中起到了交互连接的作用，让各个功能模块在车内互联互通，形成未来汽车的智慧神经网络。同时，G9还可连接外部网络，支持OTA在线升级，自动驾驶在线开启等功能; 据介绍，芯驰科技对于9系列芯片的整体架构设计一直坚持4S的理念： Safe(功能安全)：9系列芯片上配置独立安全岛，包含双核锁步安全处理器，并且采用了数据纠错保护等多种安全机制，覆盖整个SOC，在芯片核心安全模块上，甚至达到了99%的诊断覆盖率; Secure(信息安全)：芯驰科技在芯片上集成了硬件安全模块，实现芯片级的数据保护，按照国密要求进行设计，支持国密SM2, SM3，SM4和SM9算法，满足国内安全标准的需求; Scalable(灵活配置)：芯驰科技为X9、V9和G9每个产品线都提供了不止一款处理器，在同一产品线，做到硬件pin-to-pin兼容和软件兼容，客户只需要一次设计即可覆盖高中低端车型，节省硬件成本，缩短开发时间。与此同时，芯驰科技还针对虚拟化进行了深度的优化，客户可以在同一个处理器上运行多个操作系统，并且在多个操作系统之间实现资源的灵活分配，满足不同应用场景需求; Smart(智慧引擎)：除了配置性能强劲的CPU和GPU，芯驰科技还针对几个常见的应用场景开发了专用的加速引擎。比如CV引擎可实现高性能的图像处理;语音引擎在不占用CPU资源的情况下实现语音唤醒功能。 如何突围 仇雨菁透露，芯驰科技目前已经与多家OEM和Tier1进行战略合作，今年下半年将实现小批量测试，明年9系列产品就可以正式上车了。 尽管进展顺利，但芯驰科技仍然面临着激烈的市场竞争，作为国产新锐，该公司的产品如何才能脱颖而出呢?芯驰科技副总裁徐超给出的答案是产品的兼容性、通用性和高可靠性。 徐超指出，从芯片的角度可以把AI芯片分成三个大类： 一，基于自有的算法去做硬化，例如某些公司自有算法比较强，就把它做成芯片。 二，云端的训练芯片，或是训练+推理的芯片，具有通用性，例如国内的寒武纪和国外的英伟达，他们的算法都是由第三方提供。 三，终端的推理，运算特点是高效率和低内存占用，进而提高终端推理的实时性。 徐超表示，芯驰科技的产品比较接近于第三种，也就是通用AI引擎。芯驰科技提供标准的框架和标准开发的网络兼容性，通过这几种特定的网络(例如Resnet、 VGG或者mobileNet)去实现不同的算法，在云端做完训练之后再把网络进行压缩，然后放到芯片上。 “我们作为一个芯片厂商，未来可能会研究优化的一些算法，但是在现在这个时间点还是会把高可靠、高通用性作为主要目标，让69家合作伙伴来帮我们去做相关的一些算法，”徐超如是说。 在芯片发布会上，芯驰科技董事长张强表示，2025年汽车电子占整车的价值比例将超过50%以上，这些都是造就超千亿汽车半导体市场的源动力，而市场的呼唤强烈要求中国有自己的车规芯片企业，提供最一流的产品，填补国家在高端车规芯片的空白，这个是芯驰的机遇和责任。 张强指出，公司的愿景就是：成为最受信赖的汽车半导体公司。这个愿景是全方位的，期望给人们带来安全的出行、丰富的体验，帮助客户保持领先，降低研发的投入，加速上市时间，同时也为员工提供实现自我价值的平台。 芯片的工艺越精密，设计越复杂，就越需要丰富的经验。车规级芯片由于技术壁垒更高，更是如此。而随着国家政策的大力支持，国内整个芯片行业的创业风味越来越浓，天时地利人和，相信国内的汽车半导体企业将成为标杆企业。

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  • 小芯片成为主流的三大挑战

    不同于整合系统的每一个组件放在单一裸晶上的传统系统单芯片，将大尺寸的多核心设计分散到较小的小芯片设计，更能完善支持现今的高效能运算处理器。对小芯片主要是通过将原先生产好的芯片集成到一个电路板上，达到减少产品开发时间和成本的目的。但小芯片继续的推广与支持，仍然存在一些挑战。 AMD、英特尔、台积电、Marvell等公司已经在使用小芯片模型这种高级的设计方法开发或推出设备。但因为缺乏生态系统支持等问题，小芯片的采用在业界受到了限制。针对这些问题，一些解决方案被陆续提出，一代工厂和OASTs(进行IC封装和测试的公司)正在制造些小芯片以推动整个产业链的发展。 一个芯片制造商可能有一个模块化芯片或小芯片的库。小芯片可以是不同工艺节点制造的芯片，客户可以混合搭配小芯片，并用die-to-die的互连方案将它们连接起来。 小芯片并不是一个新概念。多年以来，一些公司已经推出了类似小芯片的设计，该模型正在受到越来越多的关注。一般来说，业界会开发一个SoC片上系统，在这个系统上的每一个模块都需要使用相同的先进制造工艺和封装，但这一方法正在因为先进制程节点变得越来越复杂和昂贵。 一些公司在这条道路上持续前行，但还有许多公司在寻找其他的方法。开发系统级设计的另一种方法，借助高级封装组合复杂的芯片，小芯片是将芯片模块化的一种方法。 “我们还处在早期阶段，英特尔的以及其它同类产品将反应出这一技术的发展。每一个主要的代工厂都有其技术线路图，用来提升包括2.5D和3D的互连密度，”英特尔工艺产品集成总监Ramune Nagisetty说道。“在未来几年，我们将看到小芯片在2.5D和3D封装中的应用实现，也会看到它拓展到逻辑内存以及逻辑堆栈。” 英特尔和其他少数公司拥有开发这些产品的技术，但是还有许多公司还没有完全拥有这项技术，以至于他们需要发现这些技术并找到使用它们的方法，因此面临一些挑战： 最终目标是在内部或从多个其他供应商那里获得优质且可互操作的小芯片，这种模型仍在研究中。 第三方die-to-die的互连技术正在兴起，但还远远不够。 某些die-to-die的互连方案缺乏设计支持。 代工厂和OSAT将扮演主要角色，但是要找到具有IP和制造能力的供应商并不简单。 目前的工作是克服这些挑战，随着时间的推移，小芯片将不断发展。它不会替代传统的SoC，没有一项技术能满足所有需求，所以多架构依然有发展空间，许多人不会开发小芯片。 小芯片的应用和挑战 几十年来，芯片制造商都是是遵循摩尔定律，每隔18-24个月芯片性能就提升一倍，在这一定律下，供应商推出基于最新工艺的芯片，开发更高晶体管密度，更低价格的设备。 这一定律从16nm/14nm开始不再适用。集成电路设计和制造成本飞涨，全面提升节点的节奏开始从18个月延长到2.5年甚至更久。当然，并非所有的芯片都需要先进节点，也并非当前所有放在同一芯片上的组件都从缩放中受益。 小芯片能发挥的优势在于，一个较大的芯片可以分解成许多更小的芯片，并根据需要组合和匹配，小芯片能比一体式芯片成本更低，良率更高。 小芯片不是封装类型，是封装(packaging)技术的一部分。管芯能与小芯片一起集成到现有的封装类型，如2.5D或3D，扇出或多芯片模块(MCMs)。一些人可能会使用小芯片开发全新的体系结构。 所有的这些都取决于需求。UMC业务发展副总裁Walter Ng表示“这是一种架构方法。它是针对所需任务优化硅的解决方案和成本解决方案，所有这些都需要从性能，包括速度、功率和成本方面考虑，具体取决于我们采用的方法。” 还有一些不同的方法，例如，英特尔去年采用称为Foveros的小芯片方法，推出了3D CPU平台。该封装将10nm处理器内核与四个22nm处理器内核结合在一起。 AMD、Marvell和其他公司也已经开发了类似的芯片产品。通常，这些设计针对与当今2.5D封装技术相同的应用，例如AI和其他数据密集型工作负载。英特尔的Nagisetty表示：“ 中介层上的逻辑/内存可能是目前最常见的实现方式。在需要大量内存的高性能产品中，我们将看到使用基于小芯片的方法。” 但是，小芯片将不会占据主导地位。Nagisetty说：“设备的类型和数量正在不断增加。我认为并非所有产品都会采用基于小芯片的方法。在某些情况下，单片模具将是成本最低的选择。但是对于高性能产品，可以肯定地说，小芯片方法将成为一种规范，虽然这种技术还未成熟。” 英特尔和其他公司已准备就绪，可以开发相关产品。通常，要开发基于小芯片的产品，需要使用已知良好的裸片，EDA工具，die-to-die的互连技术以及制造技术。 “如果看看当今谁在进行基于小芯片的设计，它们往往是垂直集成的公司。他们拥有所有内部组件，” ASE的销售和业务开发高级总监Eelco Bergman说。“如果要把几块芯片‘缝合’在一起，则需要掌握有关每个芯片，其架构以及这些芯片上的物理和逻辑接口的大量详细信息。需要拥有能将不同芯片的共同设计联系在一起的EDA工具。” 并非所有公司都有内部组件，有一些是能够获得的，还有一些则还未准备好。当前面临的挑战是找到必要的零件并将其集成，这将花费时间和资源。 “小芯片现在似乎是最热门的话题。主要原因是由于边缘所需的应用和体系结构的多样性，” Veeco首席营销官Scott Kroeger说道。“如果正确使用，小芯片可以帮助解决这一问题。目前还有很多工作要做，主要的问题是如何才能将不同类型的芯片整合到一个设备中。” 要从哪里开始呢?对于许多设计服务公司而言，代工厂和OSAT可能是起点。一些代工厂不仅为代工，而且还提供各种封装服务，包括OSAT提供包装/组装服务。 一些公司已经在为小芯片时代做准备。例如，台积电正在开发一种称为集成芯片系统(SoIC)的技术，该技术可让小芯片为客户提供类似于3D的设计，台积电还拥有自己的die-to-die互连技术(Lipincon)。 其他代工厂和OSAT提供了各种高级封装类型，但它们并未开发自己的die-to-die互连方案。相反，代工厂和OSAT与正在开发第三方互连方案的各种组织合作，这项工作仍在进行中。 互连至关重要。Die-to-die的互连将一个裸片与另一个裸片封装在一起，每个裸片都包含一个带有物理接口的IP模块，具有公共接口的一个裸片可以通过短距离导线与另一个裸片进行通信。 许多公司开发了具有专有接口的互连，这意味着它们只可用于公司自己的设备。但是，为了扩大小芯片的采用范围，该行业需要使用开放接口进行互连，以使不同的芯片能够相互通信。 ASE的Bergman说：“如果业界希望朝着支持基于小芯片生态系统迈进，那将意味着不同的公司必须开始彼此共享芯片IP。对于这一障碍有一种解决的方案。用集成的标准接口替代共享芯片IP。” 为此，业界正在从DRAM业务中汲取经验。DRAM制造商使用标准接口DDR连接系统中的芯片。“ (使用此接口)我不需要知道存储设备设计本身的详细信息，我只需要知道接口的外观以及如何连接到我的芯片即可。” Bergman说。“当我们开始谈论小芯片时，情况也是如此。关于降低IP共享障碍的想法可以表达为：让我们朝着一些通用接口的方向努力，以便让我知道我的芯片和你的芯片如何在一个模块中连接在一起，类似于乐高的模块化方式。” 寻找标准接口 值得高兴的是，一些公司和组织正在开发开放的die-to-die的互连/接口技术。这些技术包括AIB、BoW、OpenHBI和XRS。每种技术都处于不同的发展阶段，没有一种技术可以满足所有需求，因此还有发展其他方案的空间。 由英特尔开发的高级接口总线(AIB)是一种die-to-die的接口方案，可在小芯片之间传输数据。这一方案有两个版本：AIB Base用于“更轻量级的应用”，而AIB Plus则用于更高的速度。 “ AIB没有指定最大时钟速率，且最小时钟速率非常低(50MHz)。AIB的带宽很高，每条线的典型数据速率为每秒2G。”英特尔研究科学家David Kehlet在白皮书中说。英特尔还拥有小型商业代工业务，以及重要的内部封装部门。 同时，光互联论坛正在开发一种称为CEI-112G-XSR的技术。XSR为超短距离和超短距离应用程序提供了每通道112Gbps的管芯到管芯连接。XSR连接MCM中的小芯片和光学引擎。应用包括AI和网络。XSR标准的最终版本有望在今年年底发布。 开放领域专用体系结构(ODSA)小组正在另外定义两个另外的管芯到管芯接口：电线束(BoW)和OpenHBI。BoW支持常规和高级软件包。Marvell的网络/汽车技术首席技术官Ramin Farjad在最近的演讲中说道：“最初的目标是提供一个通用的die-to-die接口，该接口可用于多种封装解决方案。” BoW仍在研发中，有终止和未终止两种版本。BoW的芯片吞吐量为0.1Tbps / mm(简单接口)或1Tbps / mm(高级接口)，功率效率小于1.0pJ / bit。 同时，Xilinx提出，OpenHBI是一种源自高带宽存储器(HBM)的die-to-die互连/接口技术。HBM本身用于高端封装。在HBM中，DRAM裸片堆叠在一起，从而在系统中实现了更多的内存带宽。物理层接口在DRAM堆栈和封装中的SoC之间路由信号。该接口基于JEDEC标准。 OpenHBI是类似的概念 。不同之处在于，该接口在封装中提供了从一个小芯片到另一个小芯片的连接。它支持中介层，扇出和小间距有机基板。 Xilinx的首席架构师Kenneth Ma在最近的演讲中说：“我们正在尝试使用经过验证的JEDEC HBM标准。尝试使用现有且成熟的PHY技术，并可以进一步优化它们。” OpenHBI规范具有4Gbps的数据速率，10ns的延迟以及0.7-1.0pJ /位的功率效率，总带宽为4,096Gbps。草案定于年底发布。下一个版本OpenHBI3也在研发中，它要求6.4Gbps和10Gbps的数据速率以及小于3.6ns的延迟。 最终，客户将可以选择几种die-to-die的互连/接口选项，但这并不能解决所有问题。来自不同公司的小芯片的互操作性仍处于起步阶段。互操作性方面确实存在挑战，这也就是为什么我们还没有看到很多可互操作的小芯片的原因”，英特尔的Nagisetty说。“还有商业模式的问题。当我们能从初创公司获得芯片时，如何做好风险管理?例如，如果那些管芯在封装或者其他步骤之后失效，该风险管理的模式应该是怎么样的。有很多复杂性和供应链管理。它要求供应链的复杂程度再上一个全新的台阶。” 考虑到这些问题，一些客户可能认为，从长远来看，小芯片是不值得的。相反，客户最终可能会使用OSAT或代工厂开发更传统的高级封装。Amkor研发副总裁Ron Huemoeller说：“封装行业中，许多人最终可能会遵循我们的道路，因为它在封装重新集成方面更加简单。” “die-to-die的总线类型通常由我们的客户定义，而不是由Amkor或OSAT规定。可用的接口(如AIB和电线束(BoW))不断努力，使通用规范可用于die-to-die接口，从而有助于总体上实现小芯片市场。客户可以选择使用开放标准或保留专有接口。目前，我们从客户群中看到两种方法的混合。” Huemoeller说。 “值得注意的是，die-to-die的接口涵盖两大类，从单端宽带总线(如HBM数据总线)到具有很少物理线但线速更高的串行化接口。在所有情况下都要考虑性能的权衡，包括延时、功耗和物理线路数，这会影响封装技术的选择。从封装的角度来看，总线类型和物理线密度将驱动选择哪种封装解决方案。通常选择具有较高线密度的模块类型(2.5D或基板上的高密度扇出)或选择经典高密度封装基板上的MCM。” 设计问题 ODSA为了解决其中的许多问题，正在开发一个名为Chiplet Design Exchange(CDX)的芯片市场。“ CDX的目的是建立开放格式，以确保保密信息的安全交换。它还将具有参考工作流，这些工作流将演示原型的信息流。” OSDA的子项目负责人Bapi Vinnakota说。“ CDX吸引了众多公司的广泛参与，EDA供应商、OSAT、设计服务公司、小芯片供应商和分销商等。CDX已经进行了有关小芯片功率估计和测试的研究。它正在建立小芯片目录，并将开发包装原型。” CDX的时间安排尚不清楚。同时，客户需要EDA工具来设计支持小芯片的产品。这些工具可用于高级封装和小芯片技术，但仍然存在一些差距。 对于小芯片，它需要一种共同设计的方法。Cadence产品管理部门主管John Park表示：“采用基于小芯片的分解设计方法需要IC、封装和电路板相关的功能。” 过渡到基于芯片的方法给芯片设计人员和封装设计人员都带来了新的挑战。对于封装设计师来说，进行硅基板的布局和验证提出了新的挑战。布局、原理图和智能金属平衡之类的要求对于IC设计人员来说是司空见惯的，但是对于许多封装设计人员来说，这些都是新概念。” 幸运的是，EDA供应商提供了跨平台工具。即使如此，仍然存在一些挑战。“例如，当从设计单个设备到设计和/或与多个设备集成时，定义和管理顶级连接性的要求变得至关重要，” Park说。“测试是在3D堆栈中设计多个小芯片时发生重大变化的另一个领域。例如，如何在堆栈顶部测试可能与外界没有任何联系的小芯片?” 还有一些其他的问题。西门子业务部门Mentor产品管理总监John Ferguson表示：“为了实现良好的规模经济，我们希望小芯片可以轻松地在许多不同的封装中重复使用。但是这需要一些严格的文件，且无论是在整个行业，整个过程还是整个公司范围内都遵守得公认的标准。没有它，每个设计都将继续是一个耗时，麻烦且昂贵的定制项目。” 但也仍然存在一些问题。例如，对于ODSA的BoW和OpenHBI接口，几乎没有设计支持。为此，ODSA正在开发参考设计和工作流程。 为ODSA的开发设计支持似乎不是问题。Ferguson说：“对于物理验证，没有出现任何重大困难，甚至是工具增强。在确定了要求和标准之后，将仅仅是将它们作为规则约束适当地实施到典型DRC或LVS牌组中的问题。” 制造小芯片 在开发设计之后，在晶圆厂代工，然后进行测试。该测试单元由自动测试设备(ATE)、探针和带有细针的探针卡组成，该探针具有为晶片设计的自定义图案。 探测器拿出一块晶圆，并将其放在卡盘上。它将探针卡与芯片上的引线键合垫或微小凸点对齐。ATE对芯片进行电气测试。 FormFactor的高级副总裁Amy Leong表示：“测试和探测小芯片面临着巨大的技术和成本挑战。“新的技术挑战是需要大大减少包装凸点间距和尺寸。微凸点可小至25μm或以下。此外，微凸点图案的密度是等效的单片器件的2-4倍。因此，在300mm晶圆上探测如此小的特征所需的瞄准精度等同于将钉头定位在足球场上。” 测试每个微凸点通常成本高昂且不切实际。“成本挑战是如何智能地执行KGD并以合理的成本提供足够好的测试覆盖率。测试设计，内置自测试或测试流程优化是实现经济可行的测试策略的重要工具。” Leong说。 最终，将芯片切成小方块。在封装中，管芯堆叠并通过微型凸块连接，微型凸块可在不同芯片之间提供小型而快速的电气连接。 使用晶片键合机键合管芯是一个缓慢的过程，且存在一些限制。最先进的微型凸点间距为40μm。如果使用当今的键合机，业界可以将凸点间距缩放到10μm或20μm左右。 业界需要一种新技术，即铜混合键合。为此，使用介电对介电键合键合芯片或晶片，然后进行金属对金属连接。对于芯片堆叠，混合键合具有挑战性，这就是为什么它仍处于研发阶段。 还有另一个问题。在多晶粒封装中，一个不良晶粒会导致整个封装失效。CyberOptics的工程经理John Hoffman表示：“小芯片方法或各种异构集成方法都涉及复杂性，这驱使人们需要对高产量和长期可靠性进行有效检查。” 结论 显然，小芯片发展面临一些挑战，但该技术也十分必要。科技需要进步，业界更需要不同的选择，小芯片为传统技术无法解决的方案提供了可能性。

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  • 心脏起搏器的功能

    心脏起搏器(cardiac pacemaker)，就是最为常见的一种心血管植入型电子器械(cardiovascular implantable electronic device, CIED)。作为一个人为的“司令部”，它能替代心脏的起搏点，使心脏有节律地跳动起来。 通过脉冲发生器发放由电池提供能量的电脉冲，通过导线电极的传导，刺激电极所接触的心肌，使心脏激动和收缩，从而达到治疗由于某些心律失常所致的心脏功能障碍的目的。 除了普通起搏器以外，CIED家族中还有几个其他成员：植入型心律转复除颤器(implantable cardioverter defibrillator, ICD)、心脏再同步化治疗(cardiac resynchronization therapy, CRT)起搏器、植入型心电记录仪以及植入型心血管监测器等。 由于植入型心电记录仪和植入型心血管监测器在国内的临床应用极少，我们就主要来说一说起搏器、ICD以及CRT是如何工作并解决心脏问题的。 永久植入型起搏器，让“跳得太慢”的心脏维持正常律动： 有时候心脏跳得太快是一种疾病，而心脏跳得太慢也可以对健康造成威胁。 最常见的，心率过慢可以导致心脏排血量不足，而像大脑这样的重要器官就会因为供血不足而发生一系列的症状，比如头晕、黑矇甚至晕厥等; 长期的心动过缓还能引起全身表现，如疲乏、运动耐力下降甚至慢性心力衰竭。 起搏器可以帮助心脏恢复正常的心律。起搏器可以通过导线直接向心脏发出温和的电脉冲，这种电脉冲不会让人体感受到，但可以让心脏保持正常的跳动。 大多数起搏器的植入是在心内科导管室里操作的，被认为是一种“小手术”。 通常，只需要在锁骨下方的胸壁皮下进行局部麻醉，在这里作一个小切口，将导线通过上腔静脉穿入心脏中去并固定于心内膜下，之后再将导线连接到起搏器，为起搏器设定好程序并放入胸部皮下的囊腔中，最后缝合切口。 手术后如无异常，仅仅会在起搏器放置处的皮肤下看到一个小突起。 植入型心律转复除颤器(ICD)，自动电击猝死的心脏： 事实上，ICD可以理解为一种“升级版”的起搏器，其安装过程与起搏器的植入过程相似，也是在锁骨下的胸壁处进行局部麻醉，作小切口后将导线通过上腔静脉穿入心腔中并固定于心内膜下。脉冲发生器与导线进行连接后，被植入胸壁下的皮囊内。 ICD除了与起搏器一样，能够维持心动过缓的心脏正常跳动以外，还具有让心动过速的心脏恢复正常心律的功能。 其中，最厉害的就是，当心脏出现可能诱发猝死的室性心动过速甚至心室颤动时，ICD可以向心脏传送高能量的电击，让心脏恢复正常律动。 ICD通过实时监测、自动化、高能电击，挽救生命 也就是说，当危险发生时，ICD就是安装在心脏内部的一个智能的微型抢救器，不需要任何人为的操作就可以实现影视作品中急诊室里发生的心脏除颤! 当然，这种被ICD“放电”的滋味可不好受，经历过的朋友形容这就好像是无意间被电插座击中了，或是胸口被踢了一脚的感觉…… 心脏再同步化治疗(CRT)，缓解心力衰竭、改善生活质量： CRT其实是通过一种特殊类型的起搏器来实现的。普通的起搏器一般有两根电极，分别通过调节右心房和右心室来维持正常的心律;而CRT需要增加第三根电极，这根电极被安置在左心室内，从而实现双心室起搏。 CRT 双心室起搏，第三根电极需要进入左心室内 正常的心脏在供血时，左心室与右心室是同步泵血的，这有利于左心室将足够的血液输送到全身组织和器官中去。 而有一部分心力衰竭的患者，之所以服药治疗的效果不佳，正是因为心力衰竭发生后左心室和右心室无法同步泵血，因而导致左心室每次泵血不能将足够的血液输送到全身。 而CRT则是帮助心力衰竭的心脏，实现左心室和右心室的同步化泵血，就可以改善患者的症状并提高生活质量。对于难治性心衰患者，安装CRT起搏器是一个绝佳的选择。

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  • 汽车遥控器的影藏功能

    随着中国汽车新四化的不断推进，汽车钥匙也越来越智能化，如今的汽车钥匙均使用芯片，为磁性芯片系统。司机可以通过电子感应技术，可以实现无钥匙打开车门，一键启动发动机，大大提升了体验感。而新出现的手机钥匙也更加智能，通过手机替代传统的机械钥匙或者智能钥匙，通过NFC或者蓝牙靠近车门即可打开车门，做到主驾座椅上，即可实现上高压启动汽车(纯电车型)，司机无需掏出钥匙，一脚油门即可实现即刻出发。 除了开门关门，你知道汽车钥匙还有哪些隐藏的功能。 揭秘一：求救功能 汽车钥匙上一般有一个喇叭字样的图案，很多人不知道这个功能是做什么的，其实它具有多个功能，首先就是求救功能。如果你发现有人在对你的车辆进行破坏。此时可以按下这个按键。发出报警信号。如果你发现有坏人，还可以按下这个按钮进行报警求救，通过它可以成功得到周边他人的帮助。有的时候还能保命，减少意外的伤害。 揭秘二：熄火后关车窗 停车熄火以后，却发现车窗忘了关，很多司机只知道重新点火再关窗，但其实许多车型长按遥控钥匙上的关门键，就能关上车窗!当然如果你的车辆没有这个功能，完全可以安装一个自动升降器，一样可以通过汽车钥匙遥控实现。 揭秘三：停车场找车 找车功能如果你的车辆在停车场，一时间找不到车辆停放的位置，此时可以按下这个喇叭样的按钮，或者是锁车键按键，都可以清晰听到车辆发出的声音，以此帮你更快地找到汽车。 揭秘四：自动开后备箱 车遥控钥匙上有开后备箱的按键，长按后备箱开锁键(有的车是连按两下)，后备箱会自动弹开哦!如果你手里刚好拿着大大小小的行李，轻轻一按车钥匙，后备箱就弹开了，十分方便!还有一种比较特殊的情况，不怕一万只怕万一，遇到车掉下水里，车祸，搞到车门打不开时，就按下这个按键后备箱打开能逃生。 揭秘五：遥控开窗 这个功能，在夏季特别实用，上车前能先给被烈日暴晒过的车厢散散热气!快来试试你的车钥匙，长按开锁键数秒，4个车窗是不是会齐齐打开呢? 揭秘六：只开驾驶室车门 有些车，按一下遥控钥匙开门键，就能打开驾驶室的车门;按两下，才是打开所有4个门。具体你的车有没有这样的功能，可以咨询一下4S店;如果有的话，前去设置，将功能调用出来。 这样，没有自动落锁功能，也能让你副驾驶和后座上的财物有了安全保障。尤其对女车主来说，拥有这个功能，在偏僻的停车场可以避免歹徒从副驾驶或后座跟上车。 以上便是几个汽车钥匙隐藏的功能介绍，当然啦，并不是所有汽车都有上述装置，不同车型装置的位置和开启方法也有可能不一样。不过， 你可以试试哦，或许会起到很大的作用。

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  • 拒绝AI芯片唱衰论

    从跑出实验室到在各行业落地，人工智能的产业链正在不断完善。一方面，算法公司已不再局限于只做软件，开始走软硬件一体化道路，发展全栈能力。另一方面，为求长久生存，包括AI芯片在内的人工智能公司开始争相登录二级市场。AI芯片也被称为AI加速器或计算卡，即专门用于处理人工智能应用中的大量计算任务的模块(其他非计算任务仍由CPU负责)。AI芯片性能与传统芯片有很大区别，在执行AI算法时，更快、更节能。 但与此同时，行业也一直充斥着泡沫、寒潮等论调，对于AI芯片的唱衰不绝于耳。 作为星瀚资本的创始合伙人，杨歌投出了AI芯片公司鲲云科技。他长期关注智能制造和新基建行业，跟踪AI芯片、物联网等行业动态。钛媒体对杨歌进行了专访，就AI芯片上市潮、芯片爆发机会、创企如何生存等问题展开讨论。 为什么青睐科创板? 在科创板上，AI芯片的上下游企业掀起了一波上市潮。 国内AI芯片公司寒武纪将于6月2日正式登录科创板。此前，全球第五大芯片制造商中芯国际也宣布回归科创板。还有一些AI芯片企业已经展露了科创板上市的意向。 早在2019年初科创板开闸时，公布的第一批9家IPO企业中有3家都是芯片相关企业，可见芯片企业成为科创板的首批受益企业。 为什么芯片上下游企业瞄准了科创板?星瀚资本创始合伙人杨歌认为，科创板本身为了增加市场流动性，其成立就是为了帮助寒武纪一类的企业找到通畅的资本流动渠道。因为中国大部分技术类企业在中早期成本高企，盈利能力较弱。 “技术类公司大都是十年磨一剑，这一剑磨成了后会导致市场的爆发，从而带动自身市值的爆发。所以这类公司的资本化路径和曲线，和消费、供应链等正常线性发展的企业不同。这时提供一个相对好的政策帮助他们上市，才能使过程更加公平。” AI芯片下个爆发点在哪里? “现在显然还没到通用型AI芯片的水平，最多是从单一场景切成多场景的通用型芯片。”杨歌给出的数据显示，过去五年里，AI芯片有90%以上的方向都是图像识别相关应用，主要在安防领域，比如道路、社区、工业安防及人脸识别领域。 为什么AI芯片应用会如此聚焦于图像识别，做语音识别芯片的公司还有多少机会? 杨歌总结道，原因在于图像识别市场需求量大、需求明确且市场成熟。倒逼了像寒武纪、地平线类型的芯片公司在图像识别领域的应用。 首先，图像识别的AI算法比较标准，应用也比较标准，已经形成模块化，各场景的应用也比较简单。其次，图像识别的应用场景商业需求非常明确，需求量大。比方说，比方说，工业安防会有仓库、厂房使用，交通安防则是由政府集体采购等。 而从做语音识别的AI芯片公司来讲，首先，语音识别对于当点的计算力要求没有那么大，数据处理的量级也小得多。 杨歌列了一组数据：人眼和耳朵分析数据的差距，是100兆/秒比10k/秒的差距。这代表着耳朵其实不太需要计算力。 “图像识别需要像素很高非常精确，而语音即便没那么精细也能分辨出在说什么，所以对于计算力的要求更小。而当计算力要求小的时候，我就没必要在终端用AI芯片，而是可以把数据传到云端去分析，这存在一个非常底层的逻辑。”杨歌解释道。 据杨歌预测，AI芯片下一个爆发会在提高机器人的运动机能适应性方面。比如机器人的运动性反应、应激性反应等是需要AI芯片在终端进行处理的。而语音识别这个方向则相对比较劣势。 AI芯片的未来：软硬件一体 当前AI公司的发展有两种路径，一种聚焦于算法平台和底层框架，横向覆盖了很多行业;而另一种则是从底层芯片一直拓展到上层解决方案，走垂直的发展路径。这两者可被概括为“一横一纵”的发展模式。其中，前者只做软件，而后者则实现了软硬件一体化。 杨歌认为，“从芯片角度而言，考虑到计算力和边缘计算，只有软硬件一起做才能在未来人工智能计算力的市场上占有一席之地。” 原因在于，目前人工智能芯片和边缘计算的基础还不是非常成熟，在不成熟的基础上做软件、场景、算法或应用，就相当于在不成熟的地基上搭建空中楼阁。这就像是最早在移动梦网上开发游戏和软件的公司，因为移动梦网的底层不行，最后这些公司都会死掉，会被移动互联网所取代。 “因此，芯片公司必须要从底层上在硬件上占有一席之地，或者和当下最前沿的硬件公司进行深度的绑定，去为他们做服务。” 杨歌举例道，这就像英特尔在1965年前后做的事，英特尔其实也是一横一纵在做。既开发自己的底层硬件和算法，又在外面不断接项目，在垂直领域进行开发。从1965年直到1969年，当日本公司向英特尔提出要将底层封装成标准产品时，英特尔才获得了爆发。 “如果你不从需求出发不接项目，那你就没有阶段性的稳定收入;而一旦太多从需求出发，就会失去对底层的控制力，成为一家做项目的公司。因此二者必须是两手抓，两手都要硬的过程。”杨歌解释道。 当创企遇上大厂，还有机会吗? 创业企业与大厂合作，自然也避不开竞争。以寒武纪为例，华为曾是寒武纪的大客户，而当华为海思宣布自研芯片后，寒武纪不仅失去了大客户，还多了一位竞争对手。 那么，当大厂入局，创业企业可发挥空间还有多大? 杨歌认为，大公司永远无法替代小公司的创新性，这可以从商业与技术两个层面解读。 首先在商业上，大厂有自己的管理结构、设计和技术基础，其知识结构是固化的。大厂的优势体现在人力和生产，而技术行业的研发就在于关键的一两个人的水平。所以大厂倾向于学习小公司的技术，在学习到一定程度后进行并购。 从技术角度上，大厂芯片的研发过程，通常是用已有芯片去拟合人工智能的应用场景，它和硬件结构拟合的会非常生硬。但大厂的优势在于综合服务能力高于小厂，它不光提供计算服务，还可能提供大量的数据服务，比如产业链上下游的信息，所以能给到一套整体化的服务。 而面对商业竞争问题，创企该如何与大厂合作，保护自己的成果。 杨歌对小厂的建议是，在早期一定要有大客户，有稳定的收入来源和企业合作。最好与合作伙伴是有差异化的优势。比方说，寒武纪与华为就是过于同业的合作，所以可能一转身就推出了类似的业务。 AI芯片企业，要紧的是活下去 总体而言，当AI芯片从风口期进入理性期，业内不乏对AI芯片的唱衰声：缺乏大客户、造血能力差等都是挑战。芯片头部公司如寒武纪，在失去华为大客户后也经过了上交所问询，遭到了市场质疑。 对于唱衰之声，杨歌表示，“每个技术早期研发投入都远远大于收入，所以很多人会怀疑行业有问题。但是不要怀疑，企业短期内就解决短期内的问题，比如现金流、融资和成本结构问题。” 他举例道，摩托罗拉就是在2005-2008年间选错了赛道，在此时选择做4G研发。可它投入过多在无法控制的市场里面，最终死在了4G出来之前。所以企业在技术研发过程中一定要阶段性的变现，这是一种商业能力，但不代表选错了方向。 杨歌表示，“短期唱衰阻挡不了芯片整体发展趋势。去看看《创新者》这本书就知道了，现在唱衰AI芯片的人在1965年可能就是唱衰英特尔的那群人，但你再坚持看5年就知道了，英特尔会大到不可想象。” AI技术的应用日益增长，在教育、医疗、无人驾驶等领域都能看到 AI 的身影。然而GPU 芯片过高的能耗无法满足产业的需求，因此取而代之必将有ASIC 芯片。

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  • Wi-Fi 6E芯片，保证最快的Wi-Fi速度

    5G固然是当前最火的通信技术， 网络技术的革新并非仅限于5G，还有更多技术在一同完善体验，比如说近期开始被更多人关注到的Wi-Fi 6。这个最新的无线局域网络标准，即将在设备规模进一步爆发的未来发挥作用，成为家庭、办公、公共场合搭建无线网络的首选技术。 无线技术在带宽、距离和抗干扰性方面一直在不断改善，但大多数企业和普通消费者尚未升级到Wi-Fi 6，仍在使用流行的802.11ac(Wi-Fi 5)标准。芯片制造商最近正在转向批准更新Wi-Fi 6E，而高通已经准备好采用新的设备和路由器解决方案，以保证“ VR级低延迟”和最快的Wi-Fi速度。 今天，高通公司宣布推出支持Wi-Fi 6E和Bluetooth 5.2的设备就绪型无线系统FastConnect 6900和6700，以实现最大的无线性能和能效。 FastConnect 6700的峰值Wi-Fi速度为每秒3吉比特(Gbps)，而高端6900使用四流双频同时传输和6GHz多频功能则能达到3.6Gbps。高通承诺延迟时间将在3毫秒之内，这足以支持用于VR的无电缆头戴式设备。 Mi 10 / Pro等设备中使用的FastConnect 6800相比，新产品性能有较大的差异。除了几乎或完全使以前的峰值Wi-Fi峰值速度达到1.8Gbps之外，FastConnect 6700和6900还支持带有5.2音频的蓝牙5.2，该音频是新的高效音频标准，可实现多点连接和开放的广播式流传输。包括两个蓝牙专用天线，以提高可靠性和范围，而LE Audio标准提供了比以前更低的功耗和更高的声音保真度。高通公司指出，新系统采用14纳米工艺构建，与上一代解决方案相比，其电源效率提高了50%。 在路由器方面，高通还推出了四个新的Wi-Fi 6E Networking Pro平台，每个平台都支持Tri-Band Wi-Fi 6 —能够同时在2.4GHz，5GHz和6GHZ频段上运行。根据OEM选择的性能水平，它可以提供从企业或园区级企业接入点到家庭网状Wi-Fi网络的任何内容，并支持多达2000个并发客户端。 所有四个Networking Pro平台都使用四核ARM Cortex-A53处理器，但是它们在最大吞吐量上有所不同。借助最高端的1610平台，客户端可以共同达到高达10.8Gbps的数据使用量，是最低端610平台峰值的两倍。单个设备到设备的峰值传输速度为2.4Gbps，这是高通使用特别密集的(4,096 QAM)Wi-Fi 6E实施实现的。 四个平台如下： Networking Pro 1610(2.2GHz A53)：最多16个流，峰值总速度为10.8Gbps Networking Pro 1210(2.2GHz A53)：多达12个流，峰值总速度为8.4Gbps Networking Pro 810(1.8GHz A53)：最多8个流，峰值总速度为6.6Gbps Networking Pro 610(1.8GHz A53)：最多6个流，峰值总速度5.4Gbps 高通公司现在正在发售Networking Pro平台，并希望它们今年可以在OEM产品中进行商业销售。 FastConnect 6900和6700现在向OEM采样，预计将于2020年下半年开始应用在设备中。 Wi-Fi 6的诞生，让这一技术与消费者走得更近，它像5G一样成了浅显易懂的科技名词。Wi-Fi也开始转变为面向消费者的商业品牌，不再是单纯的技术标准，在网络技术进化的道路上有了更广阔的前景。

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  • 先导交付国内首套G4.5代高迁移率氧化物靶材

    金属氧化物半导体因具备迁移率良好、稳定性高、均匀性高、制造成本低等优点，被认为是可能取代硅基薄膜晶体管的新一代沟道层半导体材料。在平板显示领域，特别是在超高清，柔性显示以及印刷显示等新型显示技术方面具有巨大的应用潜力。 集微网消息，由先导薄膜材料(广东)有限公司研发生产的G4.5代线镧系稀土掺杂金属氧化物(Ln-IZO)靶材成功交付给华星光电，据先导集团官方消息，这是国内首套G4.5代高迁移率氧化物靶材。 该靶材基于华南理工大学发明的薄膜晶体管用高迁移率稀土掺杂氧化物半导体材料，是新一代的TFT半导体沟道层材料，其先进的性能可满足未来超高清显示、柔性显示对沟道层材料的应用需求。 2019年，先导薄膜材料(广东)有限公司与华南理工大学、广州新视界光电科技有限公司、深圳市华星光电半导体显示技术有限公司、广东省半导体产业技术研究院联手组建了从基础研究到产品应用端的产学研用技术团队。 该团队以华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室曹镛院士团队所开发的新型稀土掺杂金属氧化物靶材(Ln-IZO)技术为基础，以先导薄膜的靶材开发与量产制备技术为核心，结合材料基础研究、TFT器件工艺技术，开展了“薄膜晶体管用高迁移率氧化物半导体溅射靶材研究及应用”项目。经过反复研发测试，开发出此G4.5的Ln-IZO靶材,交付华星光电上线使用，此为该项目的第一个重要成果。 Ln-IZO靶材摒弃传统基于IGZO的多元掺杂体系，采用In2O3或SnO2等高迁移率氧化物半导体作为基体材料，可有效替代非晶硅及多晶硅及IGZO材料，在保证稳定性的同时，确保高迁移率的优势，可实现器件的高分辨率、高响应速度、低能耗、低噪音，有效突破TFT器件关键材料技术，改善知识产权被动局面。

    半导体 半导体材料 g4.5代 氧化物靶材

  • 我国碳基半导体领域取得关键

    碳基集成电路技术被认为是最有可能取代硅基集成电路的未来信息技术之一。“3微米级碳纳米管集成电路平台工艺开发与应用研究”的验收，标志着我国已经正式进入碳基芯片领先的时代。碳基芯片横空出世，中国芯片开启弯道超车。 北京大学电子系教授彭练矛带领团队成功使用新材料碳纳米管制造出芯片的核心元器件——晶体管，其工作速度3倍于英特尔最先进的14纳米商用硅材料晶体管，能耗只有其四分之一。该成果于今年初刊登于美国《科学》杂志。硅是传统的半导体 材料。碳、硅两种元素在地球上的含量都可谓丰富。 然而，碳元素在地球上的含量却是要多于硅元素。碳纳米管晶体管的制造步骤相当于硅材料晶体管的一半。碳基芯片所需的材料种类比硅芯片少。长期以来，整个半导体产业遵循摩尔定律，不断缩小晶体管尺寸以提升其性能。而业界认为，摩尔定律将在2020年左右达到终点，即硅材料晶体管的尺寸将无法再缩小，芯片的性能提升已经接近其物理极限。 目前，全球集成电路芯片的器件中有约90%都源于硅基CMOS技术，而国际半导体技术线路图(ITRS)委员会首次明确指出在2020年前后硅基CMOS技术将达到其性能极限。在此背景下，人们一直在寻找能够替代当前硅芯片的材料，碳纳米管就是主要的研究方向之一。美国斯坦福大学、IBM公司的研究人员都在致力于该领域的研究。一直以来，芯片都是中国科技领域的短板，中国每年芯片消耗量巨大，且其中超过90%依赖进口。尽管中国是世界最大的半导体消费国，目前国产芯片的自给率尚不足三成。据专业研究机构统计，2015年中国大陆芯片产业进口花费高达2307亿美元，是原油进口总额的1.7倍。 这么庞大的市场，再加上中国的高科技已经被美国掐住了喉咙，随着硅材料的物理性能走向极限，碳基芯片的科研突破给中国芯片产业提供了换道超车的可能。彭练矛在2000年之前就开始研究碳纳米管晶体管，至今已近20年，彭练矛坚信，碳纳米管晶体管技术的突破对于中国半导体产业意义深远。“碳纳米管晶体管比同尺寸的硅基晶体管速度快5到10倍，功耗只有其十分之一。” “我们的碳纳米管晶体管研发技术领先世界，中国巨大的市场和雄厚的资金更是为我们提供了广阔前景。”彭练矛说彭练矛表示，今年北大团队将基于碳基技术做出几千门级的通用CPU，这相当于英特尔上世纪70年代第一款商用CPU，明、后年将做出1兆内存，接近上千万个晶体管，达到英特尔上世纪90年代水平。 硅基集成电路产业今天的成就是60多年发展的结果，仅英特尔一家在2016年投入的研发基金就高达120余亿美元。硅基技术从材料到制备到软件及整个生态的发展已非常成熟，套用一句俗语，可以说碳基产业相比于硅基产业，已经可以预见前途是光明的.彭练矛的团队已经在着手研究碳材料的医用传感器，用来检测血压、心跳和血糖等生化指标。由于碳材料与人体兼容性高，且有良好的柔韧性，这种传感器可以完美贴合皮肤，让人感觉不到它的存在。碳基芯片不仅能表现出更优异的性能，更令人振奋的是，它还可能做硅基芯片所做不到的事情。 由于能耗低，未来手机电池续航能力会提高。 同时，安装了这种高效芯片后，未来手机的摄像头性能也将增强。该团队还在研究用碳材料打造汽车辅助驾驶系统中的红外监控摄像头。夜间安全行驶是辅助驾驶须攻克的难关之一。由于碳材料在近红外感光性极好，用在夜视设备上可以达到极高清晰度，且对不发热的物体以及浓雾中的物体也能成像，远胜于目前常用的红外热像仪。威胁下，中国必将举国上下齐心自主研发攻克核心技术，既然碳基芯片有望为中国芯片弯道超车，那么碳基芯片的核心元器件碳纳米晶体管材料就是中国科技的未来。 碳纳米管材料的龙头企业---西藏城投：据陕西国能锂业有限公司总经理彭池介绍，清华大学魏飞教授团队成功制备出单根长度达半米以上的碳纳米管，创造了新的世界纪录，这也是目前所有一维纳米材料长度的最高值。 目前清华大学魏飞团队与上市公司西藏城投联手已开始产业化发展。一旦实施产业化发展西藏城投应当受益更多。据科技部网站16日报道，北京市科委组织专家对清华大学魏飞团队承担的“高纯度单壁碳纳米管及其超级电容研制”课题进行了验收;目前清华大学已与西藏城投、陕西国能、日本明电社签定批量供应单壁碳纳米管的协议。近年来，全球纳米材料市场不断扩张，预计2020年将迅速增长到100亿美元。 全球范围内只有少数几家公司生产商业用碳纳米管产品，国际市场90%的高纯度碳纳米管的价格高达每克上百美元，一般纯度的碳纳米管价格也在60美元/克。清华大学魏飞、骞伟中教授团队自2000年起就致力于碳纳米管的批量制备与应用探索，在复合材料、能源 转化与存储领域取得了较大成果。 清华大学化工系教授魏飞告诉记者，碳纳米管是迄今为止发现的力学性能最好的材料之一，有着极高的拉伸强度和断裂伸长率。其密度只有钢铁的六分之一到四分之一，单位质量上的拉伸强度，却是钢铁的276倍，远远超过目前人类发现和制造的其他任何材料。碳纳米管进入应用领域，能制造“拉不断”的绳子、“扯不破”的纤维布、“打不透”的防弹衣。石墨烯-碳纳米管的微观导电性很好，是电化学储能领域的“明星”，使用碳纳米管作为负极材料的锂电池，功率输出比传统的锂离子电池高出10倍，循环使用寿命超过数千次，其超级电容可以让手机、笔记本电脑、数码相机等待机时间延长。 作为新材料尖端技术的石墨烯-碳纳米管可使电动汽车的加速性能提高一倍，在国内电动汽车的推广、电动自行车行业锂电池替代铅酸电池的趋势下，经由碳纳米管改良性能的锂电池消费量也将飞跃式增长。中国80%的锂资源以卤水盐湖形态分布在西藏和青海，西藏城投拥有全国第一、世界第三的西藏阿里地区，茶卡盐湖和龙木错盐湖共计390万吨优质上游锂资源，掌握核心稀缺资源。

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