据业内消息,本周三星公布季度财报,其中二季度利润暴跌 95%。尽管全球内存芯片需求持续疲软,但三星预计需求将在下半年逐步复苏,届时将会推动改善盈利,只是持续的宏观经济风险可能会给复苏带来挑战。
近日,据报道,三星旗下半导体部门已经同Tenstorrent和Groq启动了芯片研究项目,用于开发先进IT设备的人工智能半导体芯片。
7月19日消息,在3nm工艺量产上,台积电与三星可谓一时瑜亮,苹果iPhone 15系列今年用的A17被认为是首个3nm芯片,但三星去年6月份就宣布3nm量产,现在终于有铁证可以证实。
韩国媒体最新报导,三星的 3nm、4nm 制程工艺良率已从年初的大约五成迅速提升至 60% 和 75%,更先进的 2nm 制程也在加急与台积电竞争,晶圆代工事业不断追赶台积电,后续将准备抢台积电的先进制程订单。
7月11日消息,据报道,三星目前的5nm及7nm先进制程的整体产能利用率已达90%,相比2022年底时的60%已经大幅提升。
据业内信息,近日网络上曝光了一组三星折叠屏手机 Galaxy Z Flip5 的机模照片,从图片中可以清晰地看到该机的外观细节和颜色配置。
7月6日消息,三星公司计划在8月初发布Q2季度财报,当季的表现恐怕又要让公司失望了,业界预期利润暴跌96%,创下14年来新低。
面向三星8LPU、SF5 (A)、SF4 (A)和SF3工艺的新思科技接口和基础IP,加速先进SoC设计的成功之路
据业内信息,本周高通公司正式发布新一代入门级移动芯片组骁龙(Snapdragon) 4 Gen 2,据说本次将放弃了上一代的台积电 6nm 工艺,而采用三星代工 4nm 工艺,业内分析人士认为该芯片将为入门级智能手机市场带来较大性能升级。
21ic 近日获悉,近日有数码博主爆料了三星最新一代折叠旗舰机型 Galaxy Z Fold5 的大部分参数,比如该机将搭载骁龙 8 Gen 2 移动平台,核心主频为 3.36GHz,与 Galaxy S23 系列采用的定制版移动平台相似。
6月25日消息,三星正式宣布推出新一代车机芯片“Exynos Auto V920”,最大亮点就是首次引入了AMD RDNA2架构的GPU图形核心。
Jun. 12, 2023 ---- 据TrendForce集邦咨询研究显示,受终端需求持续疲弱以及淡季效应加乘影响,第一季全球前十大晶圆代工业者营收季度跌幅达18.6%,约273亿美元。本次排名最大变动为格芯(GlobalFoundries)超越联电(UMC)拿下第三名,以及高塔半导体(Tower)超越力积电(PSMC)及世界先进(VIS),本季登上第七名。
Jun. 1, 2023 ---- 据TrendForce集邦咨询研究显示,淡季效应与高通胀导致北美Server ODM及中国等市场采购动能下滑,供应商Enterprise SSD第一季库存不降反升,并没有因为减产而有效改善,故采取降价求售以扩大出货量,整体使Enterprise SSD面临量价齐跌,第一季原厂Enterprise SSD营收环比下跌47.3%,达19.98亿美元。而Server ODM订单经过第一季库存去化,第二季采购需求将小幅上升,各家供应商营收有望回到成长态势。
三星一直致力于VR头显的研发,如Gear VR和Odyssey。现在,这家公司准备全面进军AR领域。在即将于11月7日举行的年度开发者大会上,三星计划推出名为Project Whare Cloud的AR云服务,以及一款新AR头显。
今日,三星公司在备受关注的Galaxy Note 9的发布会上还推出了它们的第一款智能音箱Galaxy Home,其搭载了应用在三星手机内的智能语音助手Bixby。
May 25, 2023 ---- 据TrendForce集邦咨询研究显示,今年第一季DRAM产业营收约96.6亿美元,环比下降21.2%,已续跌三个季度。出货量方面仅美光有上升,其余均衰退;平均销售单价三大原厂均下跌。目前因供过于求尚未改善,价格依旧续跌,然而在原厂陆续减产后,DRAM下半年价格跌幅将有望逐季收敛。展望第二季,虽出货量增加,但因价格跌幅仍深,预期营收成长幅度有限。
21ic 近日获悉,三星电子表示已经开始批量生产采用 12nm 级工艺节点制造的双倍数据速率 5(DDR5) DRAM,去年年底的时候该公司宣布开发 16Gb DDR5 DRAM,通过量产先进的 12nm DDR5 DRAM 印证了其在存储芯片中的主导地位。
根据 Counterpoint 市场监测服务的最新研究,中东和非洲 (MEA) 地区的智能手机出货量在 2023 年第一季度同比下降 11%,环比下降 3%,达到自 2016 年以来的最低第一季度出货量水平 。
据 21ic 获悉,近日三星半导体主管庆桂显声称将在今年第三季度举行的今年国际集成电路技术研讨会上展示其最新的 SF3 工艺信息。本次技术将鳍式场效应晶体管(FinFET)转向为全门纳米线晶体管(Gate-All-Around)架构,较前代技术相比频率提升 22%、能效改善 34%、PPA 优化 21 %。
据近日业内信息,因为三星电子和该公司的工会就员工今年的涨薪幅度没有谈妥,所以工会声称将举行大罢工对公司施压。如果该事件双方继续僵持,可能会促成三星电子自上世纪 60 年代末期成立五十年来首次大罢工。