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将在ArF液浸上采用14nm工艺，IBM与凸版印刷签订共同开发协议
凸版印刷宣布，该公司与美国IBM签订了关于共同开发14nm用ArF液浸掩模的协议。据发布资料显示，IBM计划将ArF液浸光刻技术延伸至14nm，因此双方决定此次进行共同开发。 两家公司从2005年起持续共同开发掩模，目前已
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HamaTech接到几十份MaskTrack Pro设备订单
SUSS MicroTec AG的全资子公司HamaTech APE GmbH & Co. KG近日宣布，已接到几十份MaskTrack Pro设备订单。MaskTrack Pro于2009年投产，是用于下一代光刻领域的完整掩膜流程平台。对于亚22nm 193nm浸没式光刻、EUVL深
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新一代微细化技术及装置纷纷亮相，曝光装置缺席展会
在“SEMICON Japan 2010”（2010年12月1～3日，幕张MESSE会展中心）上，微细化是最重要的主题之一。因此，支持新一代微细化技术的技术及生产装置纷纷亮相，比如，支持DRAM中的3X～2Xnm以及NAND闪存和逻辑IC中的2X～1
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EV Group推出软UV纳米压印光刻技术 尺寸可达12.5nm
领先的晶圆键合和光刻设备供应商EV Group发布了一项新的技术Soft Molecular Scale Nanoimprint Lithography（SMS-NIL），可刻制12.5nm的高分辨图形。基于EVG的UV-NIL系统，SMS-NIL为客户提供可重复的、具成本效益的工
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AMAT发布面向22nm工艺的掩模检查设备，同时支持ArF-DP和EUV
美国应用材料（AMAT）发布了掩模检查设备“Aera3”。支持22nm工艺，检测灵敏度较该公司原机型“Aera2”提高50％，同时还配备了可支持ArF液浸及EUV（extreme ultraviolet）两种光刻技术的功能。 作为面向ArF液浸的
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下半年设备与良率问题将导致DRAM短缺
据iSuppli公司，强劲增长的DRAM市场可能在下半年遇到麻烦，由于制造设备供应有限和制程变化方面的挑战，可能会出现供不应求的局面。DRAM供需形势变化无常。预计2010年DRAM出货量相当于1,590万个1Gb器件，比去年的1,0
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下半年DRAM面临短缺风险
作者：MIKE HOWARD据iSuppli公司，强劲增长的DRAM市场可能在下半年遇到麻烦，由于制造设备供应有限和制程变化方面的挑战，可能会出现供不应求的局面。DRAM供需形势变化无常。预计2010年DRAM出货量相当于1590万个1
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下半年DRAM面临短缺风险
据iSuppli公司，强劲增长的DRAM市场可能在下半年遇到麻烦，由于制造设备供应有限和制程变化方面的挑战，可能会出现供不应求的局面。DRAM供需形势变化无常。预计2010年DRAM出货量相当于1590万个1Gb器件，比去年的1070
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Sokudo早餐会上论光刻技术趋势
在SEMICON West举行的Sokudo光刻论坛上对于实现22nm的各类光刻技术的进展、挑战与未来市场前景进行了热烈的讨论。作为193nm光刻技术的接替者，ASML仍是全球EUV(远紫外光光刻机) 技术的领先供应商。该公司的首台NXE31
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ASMLQ2业绩创新高6套EUV设备将交货
ASML日前宣布，其2010年Q2净销售达到1,069million欧元，净收入为239million欧元，Q2的净订单价值1,179million欧元，包括了48套新系统及11套二手系统。各项数据均较2010年Q1有所提高。ASML总裁兼CEOEricMeurice认为，
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2015年15nm GF将用EUV光刻技术造芯片
在最近的SemiCon West产业会议上， Global Foundries公司对外宣布，将会在15nm制程时开始启用EUV极紫外光刻技术制造半导体芯片。Global Foundries公司高级副总裁Greg Bartlett表示，在纽约Fab 8工厂建成之后的2012
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Global Foundries宣布2015年将在15nm制程节点正式启用EUV光刻技术
在最近召开的SemiCon West产业会议上， Global Foundries 公司宣布他们将在15nm制程节点开始启用EUV极紫外光刻技术制造半导体芯片。 Global Foundries 公司负责制程技术研发的高级副总裁Greg Bartlett还表示，公司将
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ASML Q2业绩创新高 6套EUV设备将交货
ASML日前宣布，其2010年Q2净销售达到1,069 million欧元，净收入为239 million 欧元，Q2的净订单价值1,179 million 欧元，包括了48套新系统及11套二手系统。各项数据均较2010年Q1有所提高。ASML总裁兼CEO Eric Meuric
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光刻技术路在何方？
光刻技术正处在十字路口并可能是在向错误的方向发展。光刻是支撑摩尔定律所阐明的IC工艺不断缩微的关键生产技术。当前的技术仍然可行，而且其寿命已远远超出了所有人的预期，所以将在不久的将来失去动力。其后继技术
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张忠谋公开台积电20nm制程技术部分细节
台积电公司宣布他们将于28nm制程之后跳过22nm全代制程，直接开发20nm半代制程技术。在台积电公司日前举办的技术会展上，台积电公司展示了部分 20nm半代制程的一些技术细节，20nm制程将是继28nm制程之后台积电的下一个
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是用EUV光刻技术制造的，瑞士企业展出hp 35nm的纳米压印模具
瑞士Eulitha AG强调“用EUV（extreme ultraviolet）光刻技术制造”的纳米压印用模具，在“nano tech 2010（国际纳米科技综合展，2月17～19日）”上展出。在2mm×0.5mm的转印区内形成了最小17nm的网点、最小半间距（h
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英特尔认为浸入式光刻能延伸到11纳米
英特尔的先进光刻和制造部的Yan Borodovsky表明,英特尔希望EUV或者无掩模电子束光刻能作为193纳米浸入式光刻在11纳米的后补者,并声称11纳米可能发生在2015年。Borodovsky表示193nm浸入式光刻技术可能延伸到分别在201
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Intel欲将193nm沉浸式光刻技术延用至11nm制程节点
在本月21日举办的LithoVision2010大会上，Intel公司公布了其未来几年的光刻技术发展计划，按这份惊人的计划显示，Intel计划将 193nm波长沉浸式光刻技术延用至11nm制程节点，这表明他们再次后延了其极紫外光刻(EUV)技
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中国32nm技术脚步渐近
32nm离我们还有多远？技术难点该如何突破？材料与设备要扮演何种角色？10月28日于北京举办的先进半导体技术研讨会即围绕“32nm技术发展与挑战”这一主题进行了探讨。32nm节点挑战无限“45nm已进入量产，32nm甚至更小
