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万年8GB内存时代终结！三星Galaxy S25系列全系标配12GB
1月23日消息，今天，三星Galaxy S25系列正式亮相。
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内存芯片价格持续上涨：预估三星利润暴增1300%！
7月4日消息，根据LSEG SmartEstimate对27名行业分析师的预测，三星电子的营业利润可能达到8.8万亿韩元(约合63.4亿美元)。
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超强内存芯片，三星宣布推出12纳米级DDR5 DRAM
存储芯片大厂三星电子今天宣布推出全球首款传输速率高达 7.2 Gbps 的 12 纳米级 DDR5 DRAM内存芯片，并且该芯片已经完成了与AMD处理器兼容性的产品评估。
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芯片封装价格降了！
近日，里昂证券（CLSA）的论坛上一位分析师对CNBC表示，即使美国和中国没有发生贸易战，半导体行业也将很快大幅下滑。他表示，内存芯片需求放缓，库存水平上升以及价格下跌等因素可能导致该行业出现周期性下滑。
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大力推动物联网行业应用，更好服务行业和社会
最新公布的财报数据显示，得益于物联网、Wi-Fi 6/6E、工业、通信网络等行业对内存芯片的强劲需求，华邦电子2022年上半年营收达到了30.86亿新台币，较去年同期增长19%，毛利率达到52%，再创新高。
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紫光集团自主研发8Gb DDR4内存颗粒单芯片
众所周知，长鑫存储是国内最早成功量产DDR4/LPDD4内存芯片的国产DRAM厂商。不过，除了长鑫存储之外，紫光集团也在DRAM芯片领域布局已久。
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SK海力士拟引入EUV光刻机，生产更新进工艺内存芯片
据韩国媒体报道，全球第二大DRAM内存供应商SK海力士已经在研发1a nm工艺的内存，内部代号“南极星”，具体节点大概在15nm，预计会引入EUV光刻机生产。
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三星电子在内存芯片市场正在出现复苏的迹象
对于三星来说，本周他们给出的去年第四季度财报预期时指出，公司的利润可能会跌幅超50%以上，主要是内存等芯片价格下滑所致，不过他们看起来并不担心。 三星电子副董事长Kim Ki-nam接受
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三星第一季度营业利润6.4万亿韩元 高于市场预估
北京时间4月7日早间消息，据外媒报道，由于新型冠状病毒的全球大流行，数百万人被迫困在家中，数据中心的芯片订单需求激增，三星电子（Samsung Electronics Co.）公布的利润好于预期。 这
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疫情刺激内存芯片需求 三星第一季度利润保持不变
新冠病毒在全球肆虐，给全球经济带来重大影响。然而在刚刚结束的第一季度中，由新冠病毒驱动的全球居家办公趋势，提振了笔记本电脑制造商和数据中心对三星电子存储类芯片（包括内存和闪存芯片）的需求，但由于疫情削
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进军DDR5/GDDR6/LPDDR5内存 合肥长鑫计划第三代10nm工艺
千呼万唤始出来，前两天国内DRAM内存终于迎来了历史性一刻—;—;合肥长鑫的DDR4内存终于开始对外供货了。 严格来说，合肥长鑫的内存不是第一款国产DRAM内存芯片，紫光旗下的紫光国微之前也有DDR内
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三星副董事长：内存芯片市场开始复苏 或很快启动第二家内存芯片工厂
据外媒报道，科技巨擘三星电子半导体业务副董事长金基南(Kim Ki-nam)周二表示，内存芯片市场开始出现复苏的迹象，这使得三星电子必须仔细考虑其位于京畿道平泽的第二家内存芯片工厂的启动时间。 “有迹
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三星芯片进入寒冬，DRAM 合约价提前“小涨”
据悉，2020年第一季度DRAM合约价格预测，由原先的“大致持平”调整为“小涨”，价格正式提前翻转向上。据集邦咨询半导体研究中心最新调查，随着近一个
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南亚科已完成自主研发 10 纳米级 DRAM 技术
近日，南亚科技股份有限公司称，公司已完成自主研发 10 纳米级 DRAM 技术，将在今年下半年试产。顺应 10 纳米制程发展，南亚科今年资本支出金额将高于去年的 55 亿元。据悉
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投资1500亿元 合肥长鑫量产10nm级DDR4内存
在今天开幕的2019世界制造业大会上，专注内存研发生产的合肥长鑫公司宣布总投资1500亿元的合肥长鑫内存芯片自主制造项目投产，将生产国产第一代10nm级8Gb DDR4内存。 根据合肥长鑫存储董事长兼
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总投资1500亿元！长鑫存储内存芯片自主制造项目投产
该项目以打造设计和制造一体化的内存芯片国产化制造基地为目标，2016年5月由合肥市政府旗下投资平台合肥产投与细分存储器国产领军企业兆易创新共同出资组建，是安徽省单体投资最大的工业项目。
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内存价格太低 三星推迟30万亿韩元的DRAM工厂计划
尽管内存现货价格上周涨了23%，但是调研公司盖特纳的报告显示全球半导体市场今年会继续降温，产值只有4290亿美元，同比下滑9.6%，主力产品内存芯片价格已经跌了42%，供过于求的情况要持续到明年Q2季
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美光科技第二财季净利下降51%，但盘后股价上涨5%
二季度美光科技净利润为16.2亿美元，超出预期，每股收益为1.42美元。财报发布后，美光科技股价上涨5%。美光同时表示，预计下半年内存芯片市场将出现复苏。
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改变半导体格局，三星开始大规模生产MRAM
三星3月6日宣布，已在一条基于28纳米FD-SOI工艺的生产线上，开始大规模生产和商业运输嵌入式MRAM(eMRAM)解决方案。该公司在首尔近郊京畿道器兴厂房举行了仪式，标志着新内存产品的首次发货。
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LPDDR5内存标准正式发布：速度翻番至6400Mbps、功耗降低
2月20日，JEDEC(固态存储协会)正式发布了JESD209-5，即Low Power Double Data Rate 5 (LPDDR5)全新低功耗内存标准。
