据报道,三星高层近日表示,目前愈演愈烈的欧洲债务危机对内存芯片价格的影响将会非常有限。受到PC需求量保持强劲势头以及厂商因投资不足导致芯片产能降低影响,内存芯片价格一直保持在一个高段位,而且维持了很长一
据国外媒体报道,全球第二大内存芯片厂商海力士周一宣布,该公司将以5220亿韩元(约合4.37亿美元)的价格,收购合作伙伴 Numonyx持有的旗下一家中国工厂的股份。 海力士将收购Numonyx持有的这家工厂的全部股份。
(编译/林靖东)北京时间5月19日消息,据国外媒体报道,欧盟今日正式宣布以非法操纵价格为由对包括三星在内的10家内存芯片厂商处以总计3.31亿欧元(约合4.03亿美元)的罚款。欧盟委员会发表声明称,这些内存芯片厂商大
欧盟委员会星期三宣布对包括三星电子在内的10家内存芯片厂商合谋操纵内存芯片价格一共处以3.31亿欧元(4.03亿美元)。欧盟委员会称,这些公司(多数是非欧洲的公司)在1998年至2002年期间共享秘密信息使他们能够制定价格
据卡内基投资银行分析师称,今年4月全球芯片销售收入的三个月平均值从3月份的230.6亿美元下降到了229亿美元。由于芯片行业是与自己在2009年经历的销售急剧下降相比,4月份的销售收入比去年同期增长了46%,而3月份的同
三星电子前日宣布,今年的扩张资本支出将增加到18兆韩元(折合156亿美元)。计划将以11兆韩元扩充内存芯片产能,还将以5兆韩元与2兆韩元分别投入液晶显示器(LCD),以及电视与手机业务。此外,加上研发支出,预计三星今
三星电子(Samsung Electronics Co.)芯片部门负责人权五铉(Kwon Oh-hyun)5月4日表示,全球内存芯片市场预计将持续供应短缺直至2010年年底。三星电子发言人援引权五铉在一次与业界官员会议上的话表示,“由于一些竞
据国外媒体报道,日本最大的计算机内存芯片制造商尔必达周三发布了该公司2010财年初步财报。财报显示,受内存芯片价格上涨及PC销量增长的推动,尔必达在过去三年中首次实现盈利。内存价格的大幅上涨,使得处于长期亏
据国外媒体报道,全球最大的内存芯片厂商三星电子周一称,30纳米DDR3 DRAM内存芯片已经适合消费者使用,准备应用到产品中。 三星称,2GB DDR3内存芯片耗电量比用50纳米生产技术制造的内存芯片
据国外媒体报道,全球最大的内存芯片厂商三星电子周一称,30纳米DDR3 DRAM内存芯片已经适合消费者使用,准备应用到产品中。 三星称,2GB DDR3内存芯片耗电量比用50纳米生产技术制造的内存芯片的耗电
三星电子宣布,该公司已经在业内第一家使用40nm级别工艺批量生产低功耗的4Gb DDR3内存芯片。 这种内存芯片支持1.5V和1.35V两种工作电压,可组装成16/32GB RDIMM服务器内存条或者8GB SO-DIMM
三星电子宣布,该公司已经在业内第一家使用40nm级别工艺批量生产低功耗的4Gb DDR3内存芯片。 这种内存芯片支持1.5V和1.35V两种工作电压,可组装成16/32GB RDIMM服务器内存条或者8GB SO-DIMM笔记本内
据国外媒体报道,韩国三星电子预期今年其芯片业务今年上半年营运利润将超过4万亿韩元(35亿美元)。三星电子是全球最大的内存芯片制造商,据消息人士透露,此前该公司预期全年芯片业务仅会产生4.4万亿韩元(约合39亿美元
继三星,力晶等内存芯片大厂对内存芯片产能提升事宜公开发表意见之后,美光公司近日也表态称他们今年没有提升内存芯片产能的计划,美光表示他们将专注与缩减内存芯片的制程尺寸,以便提升自己的产品竞争力。不久前,
继三星,力晶等内存芯片大厂对内存芯片产能提升事宜公开发表意见之后,美光公司近日也表态称他们今年没有提升内存芯片产能的计划,美光表示他们将专注与缩 减内存芯片的制程尺寸,以便提升自己的产品竞争力。不久前,
1Gb DDR2/DDR3内存芯片的现货价格最近双双上涨到了接近3美元的价位,显示目前内存芯片市场仍处于供不应求的紧张局面。据消息来源表示,造成这种局面 的原因主要是内存芯片厂商目前都在实施转产DDR3芯片的动作;另外一
北京时间2月25日消息,据国外媒体报道,韩国半导体制造商海力士债权方今日任命权五哲(O.C.Kwon)为公司新任首席执行官,接替此前的金钟甲(KimJong-Kap),金将出任公司董事长一职。债权方同时宣布将在今年出售公司
三星电子宣布,该公司已经在业内第一家使用40nm级别工艺批量生产低功耗的4Gb DDR3内存芯片。 这种内存芯片支持1.5V和1.35V两种工作电压,可组装成16/32GB RDIMM服务器内存条或者8GB SO-DIMM笔记本内存条,性能1.6Gb
三星电子宣布,该公司已经在业内第一家使用40nm级别工艺批量生产低功耗的4GbDDR3内存芯片。这种内存芯片支持1.5V和1.35V两种工作电压,可组装成16/32GBRDIMM服务器内存条或者8GBSO-DIMM笔记本内存条,性能1.6Gbps,功
三星电子宣布,该公司已经在业内第一家使用40nm级别工艺批量生产低功耗的4Gb DDR3内存芯片。这种内存芯片支持1.5V和1.35V两种工作电压,可组装成16/32GB RDIMM服务器内存条或者8GB SO-DIMM笔记本内存条,性能1.6Gbps