据日本共同社(Kyodo News)24日报道称,全球第二大NAND闪存制造商东芝内存公司(Toshiba Memory)最快将于2019年秋季IPO(首次公开招股)。
基于STM32 F401 Discovery板:DMA2在AHB1总线上步骤一:使能DMA#defineDMA_STREAM_CLOCKRCC_AHB1Periph_DMA2RCC_AHB1PeriphClockCmd(DMA_STREAM_CLOCK,ENABLE);步骤二:reset DMA Stream register:/*ResetDMAStreamr
东芝内存公司CEO成毛康雄(Yasuo Naruke)上个月曾表示,公司计划在2年至3年内上市。但根据日本共同社的报道,东芝内存公司最快将于未来一年内上市。显然,该公司也希望尽早上市。
平板和笔记本慢慢开始融合,笔记本配上触摸屏之后,和平板的差距也就越来越小了。只要在系统和软件应用方面再融合一下,以后就没有必要再分开了。惠普新推出的EliteBook x360 1040 G5笔记本就给人这样一种二合一的感觉。
全球前三大内存制造商美光科技,在中科后里园区打造的先进后段生产基地,将于26日落成营运,这也将使台湾美光的晶圆制造及后段封测, 得以集中于一个据点,大幅提升生产效率与市占。
消息,三星电子最近公布了第三季度初步盈利预期,预计第三季度营业利润将创下历史新高,这主要得益于其DRAM芯片的强劲需求。三星预计第三季公司收入同比增长4.7%至65万亿韩元(570亿美元),营业利润同
三星的256 GB DDR4寄存式DIMM带有ECC,带有36个内存包,每个包含8 GB(64 Gbit)容量,以及IDT的4RCD0229K寄存器芯片(用于缓冲地址和命令信号,并增加内存通道支持的等级数)。这些封装基于四个单芯片16 Gb元件,这些元件使用硅通孔(TSV)互连。在架构上,256 GB模块是八进制的,因为它具有两个物理等级和四个逻辑等级。
近日,有媒体称2019年内存售价降下降一至二成,受到这一消息影响,三星开始削减存储芯片的扩产计划。
根据此前的报道,今年三季度以来,内存市场价格已经下降一成,而四季度还将在下降,到明年年初,闪存市场还有25%-30%的降幅。受到智能手机发展停滞、服务器存在出货量不确定以及英特尔处理器缺货的影响,主要DRAM闪存制造商将会出现供过于求的情况。
内存在2016年之后经历了一波暴涨,在2017年处于高位,其高昂的价格让大家苦不堪言,不过今年内存的价格算是跌了一点,好歹不那么恐怖了。而根据统计机构最新的预测,2019年的内存价格将会下降15%-20%。
前文讲到了存储控制器对外引出了8根片选信号线,分别对应8个BANK,每个BANK的地址空间大小为128MB,共计1GB的物理寻址空间在8个BANK中,BANK0占用总线地址0x00000000~0x07FFFFFF,而CPU在上电后会从总线地址0x000000
代工大佬台积电每年都会为其客户们举办两次大型活动-春季的技术研讨会和秋季的开放创新平台(OIP)生态系统论坛。
根据DRAMeXchange的调研,今年第三季度DRAM的合约价涨幅会缩小到1~2%,到了第四季度可能会下跌5%,而且不排除跌幅扩大的可能,因为下半年DRAM的市场需求疲软,新的智能手机硬件规格难以吸引换机需求,导致出货平淡,而消费级的PC市场则由于Intel方面的供货不足会受到冲击。
日前有韩国媒体《Business Korea》分析,SK海力士这间M15工厂落成后,可借由扩大生产来缩小市场差距。另外根据SK海力士在第2季的财报中显示,DRAM占80%的销量,NAND Flash则仅占18%,和三星电子60:40的比重来比,SK海力士对DRAM的依赖偏高。SK海力士打算借由此次加码投资NAND Flash来减少对DRAM的依赖。
中国台湾高雄市政府10月1日表示,内存厂华邦电子进驻高雄路竹科学园区,预计投资 3,350 亿元兴建12吋晶圆厂,并将于3日动土,新厂预计2020 年完工;本次投资规模远胜过去15 年来路科投资的累计总额,预计将创造2,500 个高科技人才就业机会。
智能手机业务也不再像以前那样带给三星巨额利润了。不过失之东隅收之桑榆,三星电子这两年的业绩并没有受损,反而因为内存、闪存芯片业务大涨价而弥补了手机业务损失,今年Q3季度预计盈利高达154亿美元,同比大涨20%,其中80%的利润都来自内存、闪存等存储芯片。
我们知道,近年来内存价格上涨,让内存大厂三星赚得盆满钵满。而近段时间来内存价格有下降的趋势,但把利润摆在第一位的三星想扭转内存价格下滑的趋势,明年将对内存减少投资,以让内存处于供给相对紧张的局面,来维持内存的高价。
一、目的 通过将 Nand Flash 前 4K 代码搬移到 SDRAM 中,了解如何初始化并使用 ARM 的内存, 为编写 ARM bootloader 和搬移内核到内存作准备。二、代码 关于如何建立开发环境,在我的前一篇随笔(FS2401 发光二极管循
关于XMP的写法,有写成X.M.P.的,有写成X.M.P的,当然也有直接写XMP的,Intel官网是写作XMP,所以本文以XMP为准。