应用材料公司金属沉积产品事业部产品经理 Rajkumar Jakkaraju在内存器件中,欧姆接触(金属与半导体的接触)连接了有源区和金属布线。为了使最多的电荷快速传输过欧姆接触区
近日,东芝内存公司与西部数据为日本三重县四日市的一座Fab 6半导体工厂与内存研发中心举行了庆祝仪式。东芝于去年2月份开始建造Fab 6工厂,并于本月早些时候开始生产96层3D闪存。该工厂专门用于制造3D闪存,东芝与西数已经为该工厂安装了尖端的制造设备。
之前,三星方便表示过,公司把盈利能力放在重要的位置上,现在来看,三星的这个基因仍然没变,目前SSD、内存都有降价的趋势,而三星却不希望这一局面发生,三星准备明年故意降低产能以维持供不应求、高价的局面。
北京时间9月21日,据彭博社援引知情人士,三星电子计划明年下调内存芯片产量的增速,以在需求放缓的情况下保持供应紧张。
东芝内存CEO成毛康雄(Yasuo Naruke)周三称,他并不担心近期的内存芯片价格下滑,并重申公司计划在两三年内上市。
引言 变电站综合自动化系统是将变电站的二次设备经过功能组合和优化设计,综合利用先进的多种学科技术,集成于一体的自动化系统[2][4]。从系统的结构看,全分散式的设计思想越来越显现出优越性。由于变电
对于内存芯片需求不足可能导致内存降价的消息,三星主管存储芯片、代工等业务的CEO金奇男表示今年底内存需求没什么重大变化,2019年内存芯片需求还会继续强势,从侧面否认了内存芯片降价的可能。
内存芯片需求放缓,库存水平上升以及价格下跌等因素可能导致该行业出现周期性下滑。有其他分析师也做出了类似预测,一些人表示,贸易战可能因为影响到半导体业的盈利而进一步加剧下滑。
随着计算机芯片技术的不断发展和成熟,为了更好地与之相配合,内存产品也由后台走出,成为除CPU外的另一关注焦点。作为计算机的重要组成部分,内存的性能直接影响计算机的整体性能。而内存制造工艺的最后一步也是最关
内存产业近日传出三大利空,引发引发市场忧心产业需求转弱,包括晶圆检测设备大厂科磊(KLA-Tencor)预告下季出货量可能不如预期、美光(Micron)坦承NAND 闪存价格本季已下跌,加上分析师看跌第4季NAND内存价格展望。
有消息称三星、SK海力士等巨头都在刻意收缩DRAM内存颗粒、NAND闪存颗粒的性能,避免供过于求导致价格下滑太多。台湾《电子时报》旗下调研机构Digitimes Research今天又发布报告称,2018年全球DRAM、NAND产能输出的增幅预计不会超过30%,2019年更是将不到10%。
现在内存价格即将由涨转跌的情况下,韩国公司也在加大别的领域投资,分散内存市场的风险,SK Hynix宣布在中国无锡投资3亿美元建设一家综合性医院。
对于紫光来说,目前最大的重心还是放在了国产自主DDR4内存上,而他们在从“芯”到“云”布局也一直没有放慢脚步,比如前段时间把、苏州日月新半导体30%的股份收入囊中。
随着全球智能手机需求近饱和,台积电董事长刘德音接受日媒访问罕见松口表示,不排除收购内存厂的可能性。虽然目前尚无潜在的收购目标,但消息人士已点名台湾DRAM大厂南亚科技,可见在手机芯片营收逐渐放缓之际,台积电积极寻找多元化的合作机会。
2018年已经是DRAM内存涨价的第三年了,持续涨价让三星、SK Hynix、美光等芯片供应商的财报越来越好看。
随着32GB下嫁消费级市场,现在主流平台也可以搭建超高容量的内存平台,可以达到128GB甚至256GB的总容量。
内存价格从2016年起一路上扬,但自2018下半年起,由于各厂商产能陆续开出,因此资策会MIC预测内存价格将于开始下滑。
2018年全球半导体概况,预估市场规模将成长10.1%,主要来自各应用终端内存需求持续增加,及车用电子等新兴应用带动;展望2019年,内存成长趋缓, 预期成长幅度为3.8%,预计2018年下半年,这波产业景气就会逐渐落底。
自2018年第二季起,内存价格由于各新厂产能陆续开出价格开始松动,由其是在中国大陆,无论是DRAM或是NAND Flash产能都在持续开出;尽管目前尚未进入稳定量产阶段,但预期2018下半年内存价格仍有下跌空间, 在未来两年内存也不容易再出现价格飙涨的状况。
超过一半的行业资本支出预计用于内存生产——主要是DRAM和闪存,这些支出包括了对现有晶圆厂线和全新制造设施的升级。总的来说,预计今年内存将占到半导体资本支出的53%。