内存
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嵌入式系统用Java语言
Java是在C++基础上改进了的面向对象的语言。它可以得到类的封装、继承、多态等的优异重用性的好处，Java的小应用程序(Java Applet)还特别适合于上网。看来，用Java开发上的
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影驰HOF系列DDR4内存问世
高大上的新一代Haswell-E旗舰桌面处理器和X99主板都已经登场一星期了，与此同时也带来了一大波DDR4内存，这次可能会让你吃惊，因为热门硬件厂商影驰也将要推出HOF系列DDR4内存。其实影驰在年中的Comput
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英特尔发布Xeon E5 v3处理器：支持DDR4内存
在IDF14前夕，英特尔正式发布全新的服务器处理器产品E5 v3，虽然看上去这只是一次例行公事的升级，但这对于英特尔继续巩固目前的服务器市场无疑是有益的。另外E5 v3针对软件定义SDI进行优化，可以进行更
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支持DDR4内存！英特尔发布Xeon E5 v3处理器
在IDF14前夕，英特尔正式发布全新的服务器处理器产品E5 v3，虽然看上去这只是一次例行公事的升级，但这对于英特尔继续巩固目前的服务器市场无疑是有益的。另外E5 v3针对软件定义SDI进行优化，可以进行更智能的资源调
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三星电子推出30纳米级低功率1.25V服务器内存
日前，三星电子在电子行业首次推出了采用30纳米级企业服务器1.25V 16GB(千兆) DDR3(Double Data Rate 3) RDIMM (Registered Dual Inline Memory Module)产品。三星相关负责
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前景惨淡 茂德或退出PC内存业务
茂德近日表示其未来的业务重心将逐渐从PC DRAM芯片领域转移，其长远目标是逐渐淘汰PC内存业务。茂德高层透露，随着公司即将进行的资本重组，茂德将进一步专注于利基市场的内
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DDR4内存标准关键属性大公开：电压仅1.2V
JEDEC固态技术协会今天公布了DDR4内存标准中的部分关键属性，并宣布将在2012年年中正式发布新一代内存标准规范，相比于DDR3取得重大性能提升，同时继续降低功耗。JEDEC固态
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日本地震损及全球25%的芯片硅晶圆供应 内存产业受重创
日本地震导致全球用于生产半导体的四分之一硅晶圆生产中止。信越化学工业株式会社的白河工厂已经停产。MEMC Electronic Materials Inc.的宇都宫工厂也停产。这两家工厂的合
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TCC89x的内存分布区域设置
//=====================================================================//TITLE:// TCC89x的内存分布区域设置//AUTHOR:// norains//DATE:// Friday 7-January-2011//E
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PCI Express反射内存节点卡(GE)
PCI Express半高卡平台具有确定性、低延迟、高速内存共享等特点 弗吉尼亚州夏洛茨维尔市，2011年1月12日讯-GE智能平台宣布推出半高卡PCIE-5565PIORC PCI Express反射内存
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基于OMAP-L138平台多通道手持频谱分析仪研究
摘要：针对部分特殊场合对频谱分析仪使用需要多通道、便携等需求，设计了一种通道数最多支持64通道的手持多通道频谱分析仪。该频谱分析仪以美国德州仪器公司推出的DSP+ARM双核CPU芯片OMAP-L138为平台，采用多通道A/D
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三星宣布完成第一款DDR4内存开发样品
三星电子今天宣布，已经完成了历史上第一款DDR4 DRAM规格内存条的开发，并采用30nm级工艺制造了首批样品。时至今日，DDR4内存的标准规范仍未最终定夺。三星这条样品属于UDI
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IBM展示3D Racetrack内存技术
据国外媒体报道，IBM的研究人员最近证实，Racetrack内存理论是正确的，可以用于指导这类内存芯片的生产。 采用Racetrack芯片，移动设备的存储容量将增加逾100倍，可以存储
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血拼小米新旗舰！华为手机重磅新品来了
小米今天举行新品发布会，而华为荣耀也准备了新产品和开放购买活动应对，两家真的是要死磕到底了。对于明天的新产品，华为官方再次给出了一个新海报，对于即将发布的新产品，他们给出了“混血”的描述，到
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IBM与Mosaid公司就侵权案达成和解协议
内存技术授权公司Mosaid Technologies宣布其与IBM公司之间的专利纠纷已达成和解。Mosaid公司称IBM已经与自己签署了专利授权协议，双方并签署了不再就有关 的专利进行官司
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改善嵌入式系统实时效能的新途径
在这个日趋复杂的世界，对于嵌入式处理器的要求也愈来愈高。去年也许使用128k的程序及4个实时处理绪列便足以执行应用程序，但是今年的产品规格已将所需内存提升为两倍，中断
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AMD宣布和Hynix联手开发HBM堆栈内存
3D IC内存和所有2.5D/3D技术终于离全面商业化更近一步了!在上周于美国加州伯林盖姆市(Burlingame)召开的RTI 3D ASIP会议上，AMD和Hynix共同宣布了两家公司将携手开发HBM(高带宽内存)技术的消息。AMD高级研究员兼3D项
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三星GALAXY F真机再曝光 5.2英寸金属机身
之前曝光的三星新旗舰GALAXY F又有新的谍照现身，此前有消息称该机将会采用金属材质机身，从最新曝光的照片来看，这款三星新机的边缘采用了切角的设计，金属的质感非常明显，可以基本确定材质为金属。配置方面，三星
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DRAM与快闪记忆体仍扮演重要角色 MRAM普及尚需时日
磁阻内存的概念几乎是和磁盘记录技术同时被提出来的。但是众所周知，内存读写的速度需要达到磁盘读写的速度的100万倍，所以不能直接使用磁盘记录技术来生产内存。磁阻内存的设计看起来并不复杂，但是对材料的要求比较
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DDR3内存的PCB仿真与设计
1概述当今计算机系统DDR3存储器技术已得到广泛应用，数据传输率一再被提升，现已高达1866Mbps.在这种高速总线条件下，要保证数据传输质量的可靠性和满足并行总线的时序要求，对设计实现提出了极大的挑战。本文主要使
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