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张忠谋：台积电将向14nm以下工艺挺进
台积电CEO兼董事长张忠谋近日在加州圣何塞的一次技术会议上表示，台积电将会和整个半导体产业一起，向14nm以下的制造工艺进军。 张忠谋认为，2011-2014年间的全球半导体市场的发展速度不会很快，原因有很多，其中之
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张忠谋：台积电将向14nm以下工艺挺进
台积电CEO兼董事长张忠谋近日在加州圣何塞的一次技术会议上表示，台积电将会和整个半导体产业一起，向14nm以下的制造工艺进军。张忠谋认为，2011-2014年间的全球半导体市场的发展速度不会很快，原因有很多，其中之一
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台积电跳过22nm，直接从28nm到20nm
半导体厂商台积电（TSMC），在近日举行的2010TechnologySymposium讨论会上，再度做出了惊人的壮举，跳过22nm，直接从28nm到20nm制造工艺。 台积电公司发言人蒋尚义表示，20nm工艺的转换将会带来极高的栅密度以及优于
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ST发布55nm嵌入式闪存制造工艺
意法半导体发布55纳米（nm）嵌入式闪存（eFlash）制造工艺。意法半导体的新一代车用微控制器（MCU）芯片将采用这项先进技术。目前，意法半导体正在位于法国Crolles的世界一流的300mm晶圆厂进行这项技术的升级换代工作
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ST发布55nm嵌入式闪存制造工艺
意法半导体发布55纳米（nm）嵌入式闪存（eFlash）制造工艺。意法半导体的新一代车用微控制器（MCU）芯片将采用这项先进技术。目前，意法半导体正在位于法国Crolles的世界一流的300mm晶圆厂进行这项技术的升级换代工作
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ST发布55nm嵌入式闪存制造工艺
意法半导体发布55纳米（nm）嵌入式闪存（eFlash）制造工艺。意法半导体的新一代车用微控制器（MCU）芯片将采用这项先进技术。目前，意法半导体正在位于法国Crolles的世界一流的300mm晶圆厂进行这项技术的升级换代工作
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DDR3 将是2010 年的摇钱大树
2009 年即将结束，DDR2 作为DRAM 市场之王的日子同样所剩无几。速度更快且功耗更低的DDR3 几年前就已经问世，iSuppli 公司认为，它即将成为世界上最流行的内存技术。 DDR2 还不算过时，而且未来一
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DDR3 将是2010 年的摇钱大树
2009 年即将结束，DDR2 作为DRAM 市场之王的日子同样所剩无几。速度更快且功耗更低的DDR3 几年前就已经问世，iSuppli 公司认为，它即将成为世界上最流行的内存技术。 DDR2 还不算过时，而且未来一段时间之内
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中国物联网应技术应暂缓应用
编者语：物联网至2009年下半年以来已成人们热议的话题，与此相关的企业及涉及到的另一些产业开始谋划及全方位行动，笔者认为，在当前情况下，大力加强技术研发和产业化才是中国现阶段发展物联网的优先之事，应当集中
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台积电将升级上海工厂的制造工艺
继台湾政府稍早宣布放宽面板与半导体公司对大陆的投资限制之后﹐台湾集成电路制造股份有限公司(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., TSM, 简称﹕台积电)发言人曾晋皓周三称﹐公司将升级上海工厂的制造工艺技术。
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凸版印刷试制出低温状态涂布型薄膜晶体管
凸版印刷采用透明非结晶氧化物半导体，试制出了将制造工艺控制在低温状态的涂布型薄膜晶体管“Thin Film Transistor（TFT）”，并成功地驱动了电泳方式的可弯曲显示器（E-ink电子纸）。该显示器通过印刷法
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DDR3注定要夺取DRAM王座
2009年即将结束，DDR2作为DRAM市场之王的日子同样所剩无几。速度更快且功耗更低的DDR3几年前就已经问世，iSuppli公司认为，它即将成为世界上最流行的内存技术。 DDR2还不算过时，而且未来一段时间之内也不会过时，它
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32nm制造工艺到底有多小 Intel来告诉你
2010年1月7日，Intel将会借着CES 2010大展的机会正式发布首批32nm工艺处理器，包括桌面版Clarkdale和移动版Arrandale。关于32nm，我们一般只知道它是个非常小的尺度，那么到底有多小呢?1、“nm”中文名纳米
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ADI完成制造工艺技术的升级，有效提高晶圆制造效率
Analog Devices, Inc.，最近成功完成了对专有模拟、混合信号和 MEMS（微机电系统）制造工艺技术的升级和改进，目的是降低成本，提高晶圆制造效率。美国马萨诸塞州威明顿工厂的改造已于11月1日完成，而在今年早期，位
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0.18 µm CMOS制造工艺（安森美）
安森美半导体(ON Semiconductor)扩展定制晶圆代工能力，推出新的具价格竞争力、符合业界标准的0.18微米(µm) CMOS工艺技术。这ONC18工艺是开发低功率及高集成度数字及混合信号专用集成电路(ASIC)的极佳平台，用
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摩尔定律将于2014年失效，成本太高
6月17日消息，据国外媒体报道， 调研公司iSuppli周二在一份报告中称，摩尔定律将于2014年失效。 iSuppli认为，摩尔定律失效的原因不是制造工艺跟不上，而是届时芯片制造成本过高。 iSuppli半导体制造领域首席分析师兰
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分析称摩尔定律将于2014年失效 苦于成本太高
6月17日消息，据国外媒体报道， 调研公司iSuppli周二在一份报告中称，摩尔定律将于2014年失效。iSuppli认为，摩尔定律失效的原因不是制造工艺跟不上，而是届时芯片制造成本过高。iSuppli半导体制造领域首席分析师兰&
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iSuppli:摩尔定律将于2014年失效 成本太高
6月17日消息，据国外媒体报道， 调研公司iSuppli周二在一份报告中称，摩尔定律将于2014年失效。 iSuppli认为，摩尔定律失效的原因不是制造工艺跟不上，而是届时芯片制造成本过高。 iSuppli半导体制造领域首席分析师兰
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世界首个商用硅基CMOS光子半导体制造工艺投产
世界领先的硅基CMOS光子集成厂商Luxtera今天宣布,经过与飞思卡尔半导体公司多年的密切合作，利用后者的制造资源，实现了世界首个商用级硅基CMOS光子半导体制造工艺的投产。 CMOS光子 Luxtera 硅基CMOS 光子集成
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台积电承认40nm工艺遭遇障碍 明年上28nm
在公布最新季度财报的同时，台积电也第一次公开承认，其40nm制造工艺碰到了一些麻烦。 台积电在去年底基本准时地上马了40nm生产线，并在今年第一季度贡献了大约1％的收入，高于预期水准，预计今年第二季度会达到2％
