-
IR开始商业装运氮化镓器件
21ic讯 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日宣布已经为一套家庭影院系统测试并装运了基于其革命性氮化镓 (GaN) 功率器件技术平台的产品。这套家庭影院系统是由一家业界领先的消费电子产品公司所
-
IR开始商业装运氮化镓器件
21ic讯 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日宣布已经为一套家庭影院系统测试并装运了基于其革命性氮化镓 (GaN) 功率器件技术平台的产品。这套家庭影院
-
IR开始商业装运氮化镓器件
全球功率半导体和管理方案领导厂商–国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日宣布已经为一套家庭影院系统测试并装运了基于其革命性氮化镓 (GaN) 功率器件技术平台的产品。这套家庭影院系统是由一
-
利用数字电源和优化功率器件降低数据中心的功率损耗
能效已经成为决定电子元件、子系统和系统设计能否取得成功的主要因素之一。过去几年，计算和通信设备制造商一直在内部推动技术规格的发展和在外部向用户宣传这些技术规格，
-
常用功率器件MOSFET的基础知识介绍
我们都懂得如何利用二极管来实现开关，但是，我们只能对其进行开关操作，而不能逐渐控制信号流。此外，二极管作为开关取决于信号流的方向;我们不能对其编程以通过或屏蔽一个
-
Vicor:新型CHIP封装进一步提升功率器件效能
在由中国制造向中国“智造”的重要升级转型期，电源作为现代化工业体系赖以运转的力量源泉，必须要做出相应的改变。Vicor公司作为全球知名的电源模块及定制化电源系统的供应商，推出了独有的新一代CHIP封装
-
2013年功率器件市场强势回弹
据市场调研机构Yole Developpement的最新报告，2013年，包括分立器件、模块和电源IC在内的功率器件市场将同比增长10.5%达115亿美元。2013年的增长是基于2012年的大崩溃上，
-
IIC-China 2013：韦尔半导体带来多款最新功率器件
设计、制造和销售应用于便携式电子产品，电视，电动车，电表，通信设备、网络设备、信息终端等领域的高性能集成电路的韦尔半导体股份有限公司日前于IIC China 2013向业界观众展示MOSFET功率器件、ESD/EMI和电源IC、音
-
利用数字电源和优化功率器件降低数据中心的功率损耗
能效已经成为决定电子元件、子系统和系统设计能否取得成功的主要因素之一。过去几年，计算和通信设备制造商一直在内部推动技术规格的发展和在外部向用户宣传这些技术规格，
-
常用功率器件MOSFET基础介绍
我们都懂得如何利用二极管来实现开关，但是，我们只能对其进行开关操作，而不能逐渐控制信号流。此外，二极管作为开关取决于信号流的方向;我们不能对其编程以通过或屏蔽一个
-
在冰火两重天的新能源市场中挖掘新机
“冰火两重天”，用来形容2012年的新能源市场实在是太贴切不过了。太阳能行业产能过剩，市场不振；LED照明迎来发展转折点；新能源车受制于电池技术、安全性能、价格和充电等因素，仍未能被大众市场接受；而智能电网建
-
功率器件IGBT应用中的常见问题解决方法
1 引言80年代问世的绝缘栅双极性晶体管IGBT是一种新型的电力电子器件，它综合了gtr和MOSFET的优点，控制方便、开关速度快、工作频率高、安全工作区大。随着电压、电流等级的不断提高，IGBT成为了大功率开关电源、变频
-
第三代半导体材料双雄面临直接竞争
进入21世纪以来，随着摩尔定律的失效大限日益临近，寻找半导体硅材料替代品的任务变得非常紧迫。在多位选手轮番登场后，有两位脱颖而出，它们就是氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)——并称为第三代半导体材料的双雄。SiC早在
-
第三代半导体材料双雄并立，难分高下
进入21世纪以来，随着摩尔定律的失效大限日益临近，寻找半导体硅材料替代品的任务变得非常紧迫。在多位选手轮番登场后，有两位脱颖而出，它们就是氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）——并称为第三代半导体材料的双雄。Si
-
第三代半导体材料双雄并立，难分高下
进入21世纪以来，随着摩尔定律的失效大限日益临近，寻找半导体硅材料替代品的任务变得非常紧迫。在多位选手轮番登场后，有两位脱颖而出，它们就是氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）——并称为第三代半导体材料
-
富士通半导体明年计划量产氮化镓功率器件
富士通半导体宣布采用其基于硅基板的氮化镓 (GaN) 功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率，富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用，对实现低碳社会
-
富士通半导体明年计划量产氮化镓功率器件
21ic讯 富士通半导体(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化镓 (GaN) 功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率，富士通半导体计划将于2013年下半年开始量
-
大功率高压变频器功率器件热设计浅析
大型电力电子设备中，随着温度的增加，失效率也增加，因此大功率高压变频器功率器件的热设计直接关系到设备的可靠性与稳定性。大功率高压变频器往往要求有极高的可靠性，影
-
功率器件损耗计算
功率器件应用时所受到的热应力可能来源于两个方面：器件内部和器件外部。器件工作时所耗散的功率要通过发热形式耗散出去。若器件的散热能力有限，则功率的耗散就会造成器件
-
瑞萨推出工业用首个以MCU为基础可扩展供电系统方案
瑞萨电子株式会社(以下简称“瑞萨”)，近日发布了最新的用于个人计算机CPU、服务器和储存系统的供电稳压器 (VR) 芯片集诞生。它包括行业首个集成微控制器(MCU)数字接口的VR控制器R2A30521NP和带集成电流检
JWT20202
jack821119
wolfskin
206022219002
zhujun615
huang8089
nbiot
dkb
hzy41y
pengyoujianxiao
ankee
wgajf0519
andy-hui
anhuiuniversity
TQFX
callhgd
dingsujie
jls1976
huanle1030
小黑屋525
