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功率器件的选择
由于本设计中的变换器的应用场合的电压和电流都比较大，则除考虑效率因素外，选择高性能功率器件是保证功放性能的重要环节。功率器件的特性主要有安全特性、开关特性和驱动
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安森美加入imec项目 开发下一代硅基氮化镓功率器件
安森美半导体(ON Semiconductor)加入了领先纳米电子研究中心imec的多合作伙伴业界研究及开发项目，共同开发下一代硅基氮化镓(GaN-on-Si)功率器件。氮化镓具有优异电子迁移率
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功率器件热设计及散热计算
引言当前，电子设备的主要失效形式就是热失效。据统计，电子设备的失效有55%是温度超过规定值引起的，随着温度的增加，电子设备的失效率呈指数增长。所以，功率器件热设计是
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怎样去选择好逆变器功率器件
逆变器的主功率元件的选择至关重要，目前使用较多的功率元件有达林顿功率晶体管(GTR)，功率场效应管(MOSFET)，绝缘栅晶体管(IGBT)和可关断晶闸管(GTO)等。在小容量低压系统
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安森美半导体加入imec的硅基氮化镓研究项目
应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ONSemiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)加入了领先纳米电子研究中心imec的多合作伙伴业界研究及开发项目，共同开发下一代硅基氮化镓(GaN-on-Si)功
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安森美加入imec项目 开发下一代硅基氮化镓功率器件
安森美半导体(ON Semiconductor)加入了领先纳米电子研究中心imec的多合作伙伴业界研究及开发项目，共同开发下一代硅基氮化镓(GaN-on-Si)功率器件。氮化镓具有优异电子迁移率、更高击穿电压及良好导热性的特性，使其非
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安森美加入imec硅基氮化镓研究项目
应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)加入了领先纳米电子研究中心imec的多合作伙伴业界研究及开发项目，共同开发下一代硅基氮化镓(GaN-on-Si)功
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安森美半导体加入imec的硅基氮化镓研究项目
21ic讯 安森美半导体(ON Semiconductor)加入了领先纳米电子研究中心imec的多合作伙伴业界研究及开发项目，共同开发下一代硅基氮化镓(GaN-on-Si)功率器件。氮化镓具有优异电子迁移率、更高击穿电压及良好导热性的特性
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不一样的罗姆，让生活更智能
对于罗姆，令人印象最深的自然还是它的电阻，但是今天的罗姆，已经发展成为了拥有多条IC产品线、各类光学器件、传感器以及多种分立器件的全球知名半导体公司。今天在上海，罗姆的全国科技巡回展上，我们看到了罗姆新
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不一样的罗姆，让生活更智能
对于罗姆，令人印象最深的自然还是它的电阻，但是今天的罗姆，已经发展成为了拥有多条IC产品线、各类光学器件、传感器以及多种分立器件的全球知名半导体公司。今天在上海，罗姆的全国科技巡回展上，我们看到了罗姆新
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几种高压变频器原理分析及实际应用
1.引言电机是工业生产中主要的耗电设备，高压大功率电动机的应用更为突出，而这些设备大部分都存在很大的节能潜力。所以大力发展高压大功率变频调速技术具有时代的必要性和迫切性。目前，随着现代电力电子技术和微电
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新能源市场已成为功率MOSFET强劲增长助力
目前，主要支撑MOSFET需求量的市场仍然来自于手机及笔记本电脑(Notebook)等大众消费类电子领域，且在一段时间内将会持续保持一定的成长率。但就未来的产品开发领域，大多数厂商表示，太阳能光伏、电动车、LED照明及显
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新能源市场已成为功率MOSFET强劲增长助力
目前，主要支撑MOSFET需求量的市场仍然来自于手机及笔记本电脑(Notebook)等大众消费类电子领域，且在一段时间内将会持续保持一定的成长率。但就未来的产品开发领域，大多数厂商表示，太阳能光伏、电动车、LED照明及显
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GaN发展势头迅猛 提前达到10亿美元市场规模
虽然现在只是初期阶段，但GaN却为功率器件厂商及LED提供了非常大的可能性。在2009年以后，至少吸引了8800万美元的资金（主要投向美国Transphorm公司）。使用GaN的器件能够给消费类电子产品、照明器具及IT（信息通信）
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GaN发展势头迅猛 提前达到10亿美元市场规模
虽然现在只是初期阶段，但GaN却为功率器件厂商及LED提供了非常大的可能性。在2009年以后，至少吸引了8800万美元的资金（主要投向美国Transphorm公司）。使用GaN的器件能够给消费类电子产品、照明器具及IT（信息通信）
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GaN发展将比预想更早形成10亿美元市场
即使目前只是初期阶段，但GaN却为功率器件厂商及LED提供了非常大的可能性。在2009年以后，至少吸引了8800万美元的资金(主要投向美国Transphorm公司)。使用GaN的器件能够给消费类电子产品、照明器具及IT(信息通信)设备
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隔离驱动IGBT等功率器件设计所需要的一些技巧
标签：功率器件 IGBT功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保护，以避免如欠压，缺失饱和，米勒效应，过载，短路等条件所造成的损害。本在线研讨会介绍了为何光耦栅极驱动
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功率器件的新时代汽车电子功率MOSFET技术
过去15到20年间，汽车用功率MOSFET已从最初的技术话题发展到蓬勃的商业领域。选用功率MOSFET是因为其能够耐受汽车电子系统中常遇到的掉载和系统能量突变等引起的瞬态高压现象，且其封装简单，主要采用TO220 和 TO247
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英飞凌推出第二代嵌入式功率器件TLE983x
21ic讯 英飞凌科技股份公司近日推出第二代嵌入式功率器件（ePower）。全新TLE983x片上系统（SoC）产品系列将一颗功能强大的8位单片机与LIN收发器及相关外设集成到一颗芯片上，以满足对空间和成本都很敏感的车身应用的
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英飞凌推出第二代嵌入式功率器件TLE983x
21ic讯 英飞凌科技股份公司近日推出第二代嵌入式功率器件（ePower）。全新TLE983x片上系统（SoC）产品系列将一颗功能强大的8位单片机与LIN收发器及相关外设集成到一颗芯片上，以满足对空间和成本都很敏感的车身应用的
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