半导体材料
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华立看好明年面板产品线表现
面板产业受到大尺寸电视与iTV带动，近几个月出现需求回升态势，明年整体面板产业可望好转，而半导体材料通路商华立(3010)旗下代理的日系LCD时序控制晶片也在第四季再度打入新客户，加上新增的驱动IC与Flash产品线效应
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台湾半导体市场蝉联世界最大材料市场宝座
半导体设备与材料协会(SEMI)发布最新统计报告指出，2012年全球半导体材料市场(Material Market)产值在连续3年实现正向成长后，2012年首度出现2%的微幅下滑，总产值为471.1亿美元。尽管如此，台湾半导体材料市场则逆势
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中国在半导体制造领域全面超越美国
大萧条高峰时期以来，全球微芯片厂商所消费的原材料总价值首次下滑，降低到了471.1亿美元，降幅为2%。不过，这一数据只是来自于许多来源中的一个，是由国际半导体设备材料产业协会（SEMI）编纂的。如果将国际半导体设
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中国在半导体制造领域全面超越美国
大萧条高峰时期以来，全球微芯片厂商所消费的原材料总价值首次下滑，降低到了471.1亿美元，降幅为2%。不过，这一数据只是来自于许多来源中的一个，是由国际半导体设备材料产业协会(SEMI)编纂的。如果将国际半导体设备
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中国在半导体制造领域全面超越美国
大萧条高峰时期以来，全球微芯片厂商所消费的原材料总价值首次下滑，降低到了471.1亿美元，降幅为2%。不过，这一数据只是来自于许多来源中的一个，是由国际半导体设备材料产业协会(SEMI)编纂的。 如果将国际半导体设
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“沉睡的巨人”：中国在半导体制造领域全面超越北美
大萧条高峰时期以来，全球微芯片厂商所消费的原材料总价值首次下滑，降低到了471.1亿美元，降幅为2%。不过，这一数据只是来自于许多来源中的一个，是由国际半导体设备材料产业协会(SEMI)编纂的。如果将国际半导体设备
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中国在半导体制造领域全面超越美国
大萧条高峰时期以来，全球微芯片厂商所消费的原材料总价值首次下滑，降低到了471.1亿美元，降幅为2%。不过，这一数据只是来自于许多来源中的一个，是由国际半导体设备材料产业协会(SEMI)编纂的。如果将国际半导体设备
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2012年全球半导体材料市场471亿美元
SEMI Material MarketData Subscription (MMDS)最新研究报告指出，全球半导体材料市场营收在创下连续三年的佳绩后，2012年首度出现微幅下滑，总营收为471亿美元，较前年减少2%。SEMI表示，就市场区隔来看，晶圆制造以
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锗/III-V元素可成为矽材料替代品
半导体制程的演进一直是媒体争相报道的焦点，然而半导体材料的更迭却也同样不容忽视。近日，台湾媒体报道称业界发现锗(Ge)和三五族(III-V)元素可有效改善电晶体通道的电子迁移率，提升晶片效能与省电效益，将有希望成
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半导体材料掀革命 10nm制程改用锗/III-V元素
半导体材料即将改朝换代。晶圆磊晶层(EpitaxyLayer)普遍采用的矽材料，在迈入10nm技术节点后，将面临物理极限，使制程微缩效益降低，因此半导体大厂已相继投入研发更稳定、高效率的替代材料。其中，锗(Ge)和三五族(I
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半导体材料掀革命 10nm制程改用锗/III-V元素
半导体材料即将改朝换代。晶圆磊晶层(EpitaxyLayer)普遍采用的矽材料，在迈入10nm技术节点后，将面临物理极限，使制程微缩效益降低，因此半导体大厂已相继投入研发更稳定、高效率的替代材料。其中，锗(Ge)和三五族(I
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半导体材料掀革命 10nm制程改用锗/III-V元素
半导体材料即将改朝换代。晶圆磊晶层(EpitaxyLayer)普遍采用的矽材料，在迈入10nm技术节点后，将面临物理极限，使制程微缩效益降低，因此半导体大厂已相继投入研发更稳定、高效率的替代材料。其中，锗(Ge)和三五族(I
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半导体材料掀革命 10nm制程改用锗/III-V元素
半导体材料即将改朝换代。晶圆磊晶层(EpitaxyLayer)普遍采用的矽材料，在迈入10奈米技术节点后，将面临物理极限，使制程微缩效益降低，因此半导体大厂已相继投入研发更稳定、高效率的替代材料。其中，锗(Ge)和三五族
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聚合物太阳电池研究项目入选科技部2012年度“中国科学十大进展”
日前，由华南理工大学吴宏滨教授和中国科学院曹镛院士首创并具有自主知识产权的水/醇溶性聚合物太阳电池界面调控材料与技术的基础上，通过在氧化铟锡表面引入水(醇)溶性共轭
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第三代半导体材料双雄面临直接竞争
进入21世纪以来，随着摩尔定律的失效大限日益临近，寻找半导体硅材料替代品的任务变得非常紧迫。在多位选手轮番登场后，有两位脱颖而出，它们就是氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)——并称为第三代半导体材料的双雄。SiC早在
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第三代半导体材料双雄并立，难分高下
进入21世纪以来，随着摩尔定律的失效大限日益临近，寻找半导体硅材料替代品的任务变得非常紧迫。在多位选手轮番登场后，有两位脱颖而出，它们就是氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）——并称为第三代半导体材料的双雄。Si
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第三代半导体材料双雄并立，难分高下
进入21世纪以来，随着摩尔定律的失效大限日益临近，寻找半导体硅材料替代品的任务变得非常紧迫。在多位选手轮番登场后，有两位脱颖而出，它们就是氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）——并称为第三代半导体材料
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印度推出国家电子产业振兴政策
印度《商业标准报》10月26日报道，印度内阁25日批准了国家电子产业振兴政策，希望通过财政激励措施大力兴建电子制造产业园区，促进电子产品制造业发展与振兴。报道称，印政府希望通过新政策实施，在电子设备制造业领
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TFT-LCD背板爆发性增长 2012年全球LTPS面板产量将增150%
智慧手机和平板电脑爆发式成长，使得LTPS低温多晶硅技术和IGZO组成的非结晶氧化物半导体技术等生产高解析度显示器技术更为重要。这些TFT技术采用高移动速率半导体材料以减小TFT维度，提高光穿透率。解析度超过每英寸
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对日招商再添佳绩 半导体材料商Namics2.86亿铜锣建厂
记者曹逸雯／台北报导 对日招商再添佳绩！日本半导体材料世界级领导厂商纳美仕（Namics）公司26日在铜锣厂举行新建工程动土典礼，Namics公司社长小田嶋并亲自来台主持，初期将投资新台币2.86亿元，预计明（2013）
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