据绘图卡业者透露,超威(AMD/ATI)暂订9月底将正式发布下世代支持DirectX11的40奈米绘图芯片RV870,且传出将以399美元低价 抢攻年底圣诞节旺季商机。另一绘图芯片厂英伟达(NVIDIA)新款40奈米芯片GT300虽然才刚完成
在全球金融危机影响下,由于市场的萎缩导致大部分企业都不甚景气,向来红火的半导体业也感觉压力深重。在探讨未来如何发展之中,发现各种矛盾丛生,似乎很难作出决断。投入多产出少,能持久吗?SanDisk CEO Eli Hara
SEMI World Fab Forecast最新出炉报告,2009年前段半导体业者设备支出下滑,其中第1季的资本支出便较2008年第4季下滑26%至32亿美元。然而,资本支出在2009年第2季便已呈现落底,目前在整个产业供应链也已经看到稳定回
【涂志豪/深圳27日专电】 飞思卡尔(Freescale)昨(27)日在2009年度科技论坛(FTF)上,正式对大中华市场发表45奈米制程的多核心通讯处理器或数字信号处理器,为了取得足够产能因应新型3G与4G系统基础设施强劲需
SEMI World Fab Forecast最新出炉报告,2009年前段半导体业者设备支出下滑,其中第1季的资本支出便较2008年第4季下滑26%至32亿美元。然而,资本支出在2009年第2季便已呈现落底,目前在整个产业供应链也已经看到稳定回
日本富士通微电子株式会社与台湾积体电路制造股份有限公司27日宣布,双方同意以台积电先进的技术平台为基础,针对富士通微电子的28纳米逻辑IC产品进行生产、共同开发并强化28纳米高效能工艺。在这之前,富士通微电子
台积电28纳米制程再迈大步,预计最快2010年第1季底进入试产,2011年明显贡献营收,台积电可望在28纳米世代迎接中央处理器(CPU)代工订单,目前28纳米制程技术最大竞争对手,仍是来自IBM阵营的Global Foundries与新加坡
台积电24日宣布已将低耗电工艺纳入28纳米高介电层/金属闸(High-k Metal Gate,HKMG)工艺的技术蓝图,预计于2010年第三季进行试产(Risk Production)。台积电自2008年九月发表28纳米技术以来,技术的发展与进入量产的时
台积电24日宣布率业界之先,不但达成28纳米64Mb SRAM试产良率,而且分别在28纳米高效能高介电层/金属闸(简称28HP)、低耗电高介电层/金属闸(简称28HPL)与低耗电氮氧化硅(简称28LP)等28纳米全系列工艺验证均完成相同的
台积电24日宣布已将低耗电工艺纳入28纳米高介电层/金属闸(High-k Metal Gate,HKMG)工艺的技术蓝图,预计于2010年第三季进行试产(Risk Production)。台积电自2008年九月发表28纳米技术以来,技术的发展与进入量产的时