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新一代超级结MOSFET-SupreMOS（飞兆）
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor)为电源、照明、显示和工业应用的设计人员带来SupreMOS™新一代600V超级结MOSFET系列产品。包括具有165mΩ最大阻抗的 FCP22N60N、FCPF22N60NT 和 FCA22N60N，以及具有1
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基于ATL技术原理图解析器的开发
提出了一种以ATL(活动模板库)技术为平台的原理图文件解析器的系统架构及设计方法。在该系统中，使用ATL技术封装了原理图文件解析的全过程，并将原理图数据资源按照COM(组件对象模型)接口的要求进行了组织，使得解析器以一个COM组件的形式向客户程序提供服务。
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FPGA：65nm器件上量低功耗市场兴起
随着65nm工艺的应用以及更多低功耗技术的采用，FPGA拥有了更低的成本、更高的性能以及突破性的低耗电量，具备进入更广泛市场的条件。FPGA从业者表示，今年FPGA快速增长，而预计明年仍将是一个增长年。比拼65nm器件加
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4款新的30V肖特基势垒二极管（安森美）
安森美半导体(ON Semiconductor)推出4款新的30伏(V)肖特基势垒二极管。这些新的肖特基势垒二极管采用超小型0201双硅片无引脚(DSN2)芯片级封装，为便携电子设计人员提供业界最小的肖特基二极管和同类最佳的空间性能。
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中国发展OLED产业 急需开放式的平台
OLED(有机发光二极管)技术可谓是全球最耀眼的平板显示技术之一。目前，OLED产业不仅是四川长虹发展的战略重点，更是四川省平板显示产业的发展战略重点之一。四川虹视显示技术有限公司成立于2008年1月，位于成都市高新
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V系列并口256Kb F-RAM器件（Ramtron）
Ramtron International Corporation宣布推出新型V系列串口和并口F-RAM产品之第二款并口器件FM28V020。 FM28V020与其它V系列F-RAM一样，具有较高的读写速度和较低的工作电压，其容量为256Kb、工作电压为2.0至3.6V，并
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150V和200V HEXFET功率MOSFET（IR）
国际整流器公司 （International Rectifier，简称IR） 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，为开关模式电源 （SMPS） 、不断电系统 （UPS）、反相器和DC马达驱动器等工业应用提供极低的闸电荷 （Qg）。与其它竞争
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150V和200V HEXFET功率MOSFET（IR）
国际整流器公司 （International Rectifier，简称IR） 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，为开关模式电源 （SMPS） 、不断电系统 （UPS）、反相器和DC马达驱动器等工业应用提供极低的闸电荷 （Qg）。与其它竞争
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150V和200V HEXFET功率MOSFET（IR）
国际整流器公司 （International Rectifier，简称IR） 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，为开关模式电源 （SMPS） 、不断电系统 （UPS）、反相器和DC马达驱动器等工业应用提供极低的闸电荷 （Qg）。与其它竞争
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新款PNM系列精密无磁薄膜电阻（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款PNM系列精密无磁薄膜电阻。在-55℃～+125℃的宽温范围内，这些器件具有低至±25ppm/℃的标准TCR，经过激光微调后的容差只有±0.1%。今天发布的新电阻采用性能稳定的
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新型MOSFET 器件（Diodes）
Diodes 公司进一步扩展其多元化的MOSFET 产品系列，推出15款针对 LCD 电视和显示器背光应用的新型器件。新器件采用业界标准的TO252和SO8 封装，具有高功率处理和快速开关功能，可满足高效CCFL驱动器架构的要求。
