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第三代12V TrenchFET功率MOSFET(Vishay)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出具有业内最低导通电阻的新款N沟道MOSFET器件 --- SiR494DP，将该系列的第三代TrenchFET®功率MOSFET的电压降至12V，同时该器件的导通电阻与栅电荷的乘积也是这种额定电压的
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iSuppli: 消费与无线MEMS在产业衰退中杀出血路
据iSuppli公司，尽管总体电子产业下滑，但预计2009年用于消费电子与无线产品的微电机系统(MEMS)将增长6.4%。 2009年全球消费与无线MEMS营业收入将达到12.4亿美元，高于2008年时的11.7亿美元。这与2009年总体半导体市
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宏力半导体发布最新低成本高效率0.18微米OTP制程
上海宏力半导体制造有限公司 (宏力半导体)，发布其最新开发的0.18微米OTP (一次编程) 制程平台。该低成本高效率OTP技术平台基于宏力半导体自身的0.18微米逻辑制程，结合了第三方OTP。采用3.3V作为核心器件，从而省去
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大容量闪存器件K9KAG08UOM与DSP的接口设计
前言 惯性导航系统、各种导引头及空间飞行器等测试和记录应用系统，都需要自主、实时、可靠存储大量的关键信息，并保证即使整个系统掉电，所采集到的数据仍能长时间保持不丢失，实现历史数据查询，便于数据分析
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美光70ns随机存取时间的闪存存储器Axcell M29W和M29DW
Axcell M29W和M29DW是高速单级芯片(SLC) NOR闪存存储器，具有70-ns随机存取时间,有能力支持60ns，主要用于嵌入式领域。这些最新增加的Axcell M29产品系列与现有产品架构是引脚兼容，非常适合于包括汽车、消费电子、通
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美大学研究人员发明半导体制作新工艺
美国北卡罗来纳大学与赖斯大学的科学家最近发明了一种新的半导体制作工艺，研究人员称这种发明能让Intel这样的芯片公司“突破摩尔定律的禁锢”，并造出更小更强的处理器。该项发明研究了一种新的硅半导体杂
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宏力半导体发布最新低成本高效率0.18微米OTP制程 缩短产品上市时间
上海宏力半导体制造有限公司 (宏力半导体)，发布其最新开发的0.18微米OTP (一次编程) 制程平台。该低成本高效率OTP技术平台基于宏力半导体自身的0.18微米逻辑制程，结合了第三方OTP。采用3.3V作为核心器件，从而省去
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第三代12V TrenchFET功率MOSFET(Vishay)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出具有业内最低导通电阻的新款N沟道MOSFET器件 --- SiR494DP，将该系列的第三代TrenchFET®功率MOSFET的电压降至12V，同时该器件的导通电阻与栅电荷的乘积也是这种额定电压的
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第三代12V TrenchFET功率MOSFET(Vishay)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出具有业内最低导通电阻的新款N沟道MOSFET器件 --- SiR494DP，将该系列的第三代TrenchFET®功率MOSFET的电压降至12V，同时该器件的导通电阻与栅电荷的乘积也是这种额定电压的
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Novaled与柯达共同开发显示器用白光OLED器件
德国厂商Novaled与美国伊斯曼－柯达（Eastman Kodak）公司于日前在美国圣安东尼奥市举行的SID 2009，共同发表采用Novaled独自开发的制造技术“NovaledPINOLED”的主动矩阵式（Active Matrix）显示器用白光
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宏力发布最新低成本高效率0.18微米OTP制程
上海宏力半导体制造有限公司 (宏力半导体)，专注于差异化技术的半导体制造业领先企业之一，发布其最新开发的0.18微米OTP (一次编程) 制程平台。该低成本高效率OTP技术平台基于宏力半导体自身的0.18微米逻辑制程，结合
