凌力尔特(Linear ) 公司近日推出一款 45V、2.1MHz DC/DC 升压模式转换器 LT3599,该器件可作为一个恒定电流 LED 驱动器工作,可驱动多达 40 个白光 LED。据介绍,LT3599 可从一个 12V 输入驱动多达 4 个 LED 串,且每
半导体技术极其丰富多彩,身陷其景,会有“不识庐山真面目,只缘身在此山中”的感触。为此,既要“近赏细微”,又要“临空浏览”,以期从中领悟到一些哲理。 本演讲根据半导体技术“由简入繁”、又“化繁为简”的
据估计,目前盛行的假冒电子产品已经占到整个市场份额的10%,这一数据得到了美国反灰色市场和反假冒联盟(AGMA)的支持。AGMA是由惠普、思科和其它顶级电子OEM公司组成的一个行业组织。据该组织估计,制造商因盗版造成
Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件,它采用SO8封装,包含一对互补100V增强式MOSFET,性能可媲美体积更大的独立封装器件。ZXMC10A816适用于H桥电路,应用范围包括直流风扇和逆变器电路、D类放大器输出级以及其他多种4
研究纳米级材料的电气特性通常要综合使用探测和显微技术对感兴趣的点进行确定性测量。但是,必须考虑的一个额外因素是施加的探针压力对测试结果的影响,因为很多材料具有压力相关性,压力会引起材料的电气特征发生巨
Diodes 公司推出四款半桥MOSFET 封装,为空间受限的应用减少了元件数量和PCB尺寸,极大地简化了直流风扇和 CCFL 逆变器电路设计。Diodes 亚太区技术市场总监梁后权指出:“ZXMHC 元件为SO8封装,包含两对互补N型和P型
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款采用2020外壳尺寸的薄厚度、高电流IHLP 电感器 --- IHLP-2020CZ-01。紧凑的IHLP-2020CZ-01的占位面积为5.18mmx5.49mm,厚度仅有3mm,同时具有高最大频率和0.10μH至1
恩智浦半导体(NXP Semiconductors,由飞利浦创立的独立半导体公司)近日宣布,LPC31xx系列再推LPC314x和LPC315x两款新器件,进一步丰富目前以ARM9™为基础的产品组合。恩智浦LPC314x器件基于高性能ARM926EJ处理
Diodes 公司推出四款半桥MOSFET 封装,为空间受限的应用减少了元件数量和PCB尺寸,极大地简化了直流风扇和 CCFL 逆变器电路设计。Diodes 亚太区技术市场总监梁后权指出:“ZXMHC 元件为SO8封装,包含两对互补N型和P型
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款采用2020外壳尺寸的薄厚度、高电流IHLP 电感器 --- IHLP-2020CZ-01。紧凑的IHLP-2020CZ-01的占位面积为5.18mmx5.49mm,厚度仅有3mm,同时具有高最大频率和0.10μH至1
新款AVR32微控制器(Atmel)
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宏基 Aspire One ZG5 上网本
全功能解决方案将高速控制器和高性能MOSFET技术融合在一起,在高密度强化散热的LGA封装中实现了极低的损耗。这些解决方案与传统的主动ORing技术相比节省了50%的空间。
日前,Vishay Intertechnology, Inc宣布,替代能源虚拟贸易展(Alternative Energy Virtual Trade Show)在公司网站正式上线。该虚拟贸易展是一个基于web 2.0软件的应用,使用互动式宣传画,突出显示Vishay器件在太阳能
Maxim推出带有片内LO缓冲器的完全集成、2000MHz至3900MHz下变频混频器MAX19996A。器件采用Maxim专有的单片SiGe BiCMOS工艺设计,集优异的线性度、噪声性能和高度的器件集成特性于一体,能够工作于极宽的频段范围。MA
摘要:在数字信号处理中经常需要进行乘法运算,乘法器的设计对整个器件的性能有很大的影响,在此介绍20×18比特定点阵列乘法器的设计。采用基4-Booth算法和4-2压缩的方案,并采用先进的集成电路工艺,使用SMIC O.18
IDT® 公司(Integrated Device Technology, Inc)推出首款无需额外的图形卡就可实现全面高清多显示器能力的基于 VESA DisplayPort™ 的控制器。IDT PanelPort™ ViewXpand™ 解决方案可内置在笔记
本文详述电源电路的最新发展状况。文中还将介绍数款器件,说明电路架构与封装技术的进步如何促成体积更小的电源解决方案。把不同功能集成到同一芯片是PDA、便携式导航系统 (GPS) 和智能型手机等便携式产品的发展趋势
全功能解决方案将高速控制器和高性能MOSFET技术融合在一起,在高密度强化散热的LGA封装中实现了极低的损耗。这些解决方案与传统的主动ORing技术相比节省了50%的空间。