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使用双升压转换器来扩展高转换率设计的功率范围
任何启动转换器的设计都将有一个实际的限制,它可以增加多少电压从输入到输出。脉冲宽度调制控制器具有限制场效应晶体管(FET)最小允许时和非时的时间限制。时序限制将有效地限制可实现的电压提升比,尽管这一缺点在以电感代替变压器或耦合电感作为其磁性的拓扑结构中更为明显。在这个电源提示中,我将比较各种非孤立的,单端提升拓扑,以扩展电压提升比,并引入双头转换器作为实现大转换率和高电流输出负载的一个选项。
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浅析MOS管在集成电路的详细应用
金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，简称MOS管)是现代集成电路中不可或缺的元件之一。自1960年代问世以来，MOS管因其低功耗、高集成度、良好的温度稳定性和广泛的电压适应性等优点，在集成电路设计中占据了核心地位。本文将详细探讨MOS管在集成电路中的多种应用，包括其基本工作原理、优点、具体应用实例以及未来发展趋势。
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mosfet是什么电子元件
MOSFET是一种场效应晶体管(FET)，全称为金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。
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MOS管的作用有哪些？
MOS管，即金属-氧化物半导体场效应晶体管，是电子学中常用的一种半导体器件。它具有高频率、低噪声、高输入阻抗等特点，被广泛应用于各种电子设备和系统中。本文将详细介绍MOS管的作用。
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什么是场效应管？它的作用是什么？
以下内容中，小编将对场效应管的相关内容进行着重介绍和阐述，希望本文能帮您增进对场效应管的了解，和小编一起来看看吧。
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立锜科技与宜普电源转换携手推出小型化、140 W快充解决方案
宜普电源转换公司和立锜科技宣布推出4开关双向降压-升压控制器参考设计，可将12 V~24 V的输入电压转换为5 V~20 V的稳压输出电压，并提供高达5 A的连续电流和6.5 A的最大电流。与高功率密度应用的传统解决方案相比，新型RT6190控制器与EPC的超高效氮化镓场效应晶体管EPC2204相结合，使得解决方案尺寸可缩小20%以上，而且在20 V和12 V输出电压下，可实现超过98%的效率。在不需使用散热器和5 A连续电流下，20 V转5 V的最大升温低于摄氏15度，而12 V转20 V的最高升温则低于摄氏55度。
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Transphorm在深圳设立GaN场效应晶体管实验室
据业内信息报道，TransphormInc已经在深圳设立GaN场效应晶体管实验室，并且已经全面投入运营，并为中国的客户提供产品及服务。
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EPC新推最小型化的40 V、1.1 mΩ 场效应晶体管，可实现最高功率密度
宜普电源转换公司(EPC)新推40 V、1.1 mΩ的氮化镓场效应晶体管(EPC2066)，为设计工程师提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面积受限的应用。
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EPC新推最小型化的100 V、2.2 mΩ 氮化镓场效应晶体管
宜普电源转换公司(EPC)新推100 V、2.2 mΩ的氮化镓场效应晶体管(EPC2071),为设计工程师提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面积受限的应用。
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如何使用原厂选型工具，选择 MOSFET
我们谈到了为开关模式电源 (SMPS) 应用选择最合适的场效应晶体管 (FET) 是多么困难。根据数据表规格预测电路性能是一个繁琐的过程。要了解它的繁琐程度，我建议阅读应用说明“考虑同步降压转换器的共源电感的功率损耗计算”，因为它细致地详细说明了一阶和二阶寄生元件对这一特定拓扑的功率损耗影响.
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UnitedSiC(现名Qorvo)宣布推出具有业界出众品质因数的1200V第四代SiC FET
2022年5月11日 – 移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®(纳斯达克代码：QRVO)今日宣布推出新一代1200V碳化硅(SiC)场效应晶体管(FET)系列，这些产品在导通电阻方面具备业界出众的性能表征。新的UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET非常适合主流的800V总线结构，这种结构常见于电动车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、直流太阳能逆变器、焊机、不间断电源和感应加热应用。
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EPC扩大了 40 V eGaN®FET的产品陈容， 新产品是高功率密度电信、网通和计算解决方案的理想器件
EPC 推出了 40 V、1.6 mΩ的氮化镓场效应晶体管 （eGaN® FET），器件型号为 ，专为设计人员而设，EPC2069比目前市场上可选的器件更小、更高效、更可靠，适用于高性能且空间受限的应用。
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场效应管主要参数及与其他管子的对比
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。
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EPC新推80 V和200 V eGaN®FET,进一步扩大其高性能氮化镓产品阵容
这些新一代氮化镓场效应晶体管(eGaN FET) 满足了目前电动出行(eMobility)、交付和物流机器人，以及无人机市场所需的紧凑型 BLDC 电机驱动器和具成本效益、高分辨率的飞行时间(ToF)的新需求。
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你知道锂电池保护板起什么作用以及激活方法吗？
在生活中，你可能接触过各种各样的电子产品，那么你可能并不知道它的一些组成部分，比如它可能含有的锂电池保护板，那么接下来让小编带领大家一起学习锂电池保护板。电子产品随着经济的发展已经进入了寻常百姓家。人们对电子产品使用的需求也越来越高，伴随着电子产品的使用需求越来越高，人们对锂电池的需求也越来越高，锂电池作为一种电储量比较大的电池，应用于各种电子产品上。然而市场上有些不法商家就瞄准了这一点，他们用大量的假冒伪劣电池充斥了整个市场，使得消费者难以买到真产品。
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性能更高而同时成本更低的两款200 V eGaN FET解析
人类社会的进步离不开社会上各行各业的努力，各种各样的电子产品的更新换代离不开我们的设计者的努力，其实很多人并不会去了解电子产品的组成，比如氮化镓场效应晶体管。
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用于48VDC/DC转换的EPC9148和EPC9153演示板
在生活中，你可能接触过各种各样的电子产品，那么你可能并不知道它的一些组成部分，比如它可能含有的氮化镓场效应晶体管，那么接下来让小编带领大家一起学习氮化镓场效应晶体管。
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面向汽车和工业应用的下一代650V和600V氮化镓（GaN）场效应晶体管
随着社会的快速发展，我们的氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)也在快速发展，那么你知道氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)的详细资料解析吗?接下来让小编带领大家来详细地了解有关的知识。
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GaN材料的研究与应用
在科学技术飞速发展的今天，离不开我们科研人员的辛勤付出，制造出如此多的电子产品，然而大家只关注这些产品的使用，只有研究人员会关注内部结构，这其中就要数功率器件了。什么是GaN?GaN中文名：氮化嫁，用化学元素来解释就是V族化合物。
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通过自举扩展运算放大器工作范围
对许多应用来说，第三种选择——自举——可能是比较廉价的替代方案。除了动态性能要求极为苛刻的应用，自举电源电路的设计是相当简单的。
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