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宜普推出全新内含100 V氮化镓场效应晶体管的开发板
21ic讯 宜普电源转换公司(EPC)在2013年3月宣布推出EPC9010开发板。这种开发板能使工程师更方便地使用宜普100 V增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管(FET)来设计产品。受益于eGaN FET性能的应用包括高速直流-直流电源、负
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宜普展示200V氮化镓场效应晶体管 可使设计功率系统变得容易
21ic讯 宜普电源转换公司(EPC)在2013年2月5日宣布推出采用增强型氮化镓场效应晶体管的EPC9004开发板，展示最新推出、专为驱动氮化镓场效应晶体管而优化的集成电路栅极驱动器，可帮助设计工程师简单地及以低成本从硅功
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采用带PN结的场效应晶体管晶振电路
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由场效应晶体管输出的多量程电压表电路
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采用高增益场效应晶体管的音频放大器电路
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场效应晶体管的运放器电路图
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有机场效应晶体管研究取得重要进展
近日，晶体材料国家重点实验室陶绪堂教授领导的课题组在有机场效应晶体管(Organic Field Effect Transistors，OFET)研究方面取得重要进展。相关成果以“Three-Dimensional Charge Transport in Organic Semicon
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全碳纳米晶体管耐揉且性能良好
据物理学家组织网近日报道，一个日本研究团队开发出如一张纸般可被揉成团的全碳纳米晶体管，其电子性能却不发生减退。该研究成果发表在美国《应用物理快报》上。这项研究的合作者之一、东京大学的机械工程教授丸山茂
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场效应晶体管双踪示波器开关
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大分子碳结构有机半导体问世 卓越特性成本低廉
据美国物理学家组织网8月29日报道，一个国际科研团队首次研制出了一种含巨大分子的有机半导体材料，其结构稳定，拥有卓越的电学特性，而且成本低廉，可被用于制造现代电子设备中广泛使用的场效应晶体管。科学家们
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宜普电源转换公司推出氮化镓场效应晶体管EPC2012
21ic讯 宜普电源转换公司宣布推出第二代增强性能氮化镓场效应晶体管（eGaN® FET）系列中的最新成员——EPC2012。EPC2012具有环保特性、无铅、无卤化物以及符合RoHS(有害物质限制)条例。EPC2012 FET是一
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宜普电源转换公司推出氮化镓场效应晶体管EPC2012
21ic讯 宜普电源转换公司宣布推出第二代增强性能氮化镓场效应晶体管（eGaN® FET）系列中的最新成员——EPC2012。EPC2012具有环保特性、无铅、无卤化物以及符合RoHS(有害物质限制)条例。EPC2012 FET是一
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单电源砷化镓场效应晶体管功率放大器
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场效应晶体管输入放大器
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绝缘栅场效应晶体管长延时电路
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绝缘栅场效应晶体管“放电式”长延时电路
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美研制出新式超导场效应晶体管
美国科学家使用自主设计的、精确的原子逐层排列技术，构造出了一个超薄的超导场效应晶体管，以洞悉绝缘材料变成高温超导体的环境细节。发表于当日出版的《自然》杂志上的该突破将使科学家能更好地理解高温超导性，加
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我国首个ZnO纳米棒场效应晶体管研制成功
近日，中科院微电子所依靠独立开发的全新技术，成功研制出国内首个ZnO纳米棒场效应晶体管。 ZnO是一种新型宽禁带多功能半导体材料。ZnO纳米材料(纳米线、纳米棒、纳米带、纳米环等等)具有较常规体材料更为优越的性能
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输入端采用场效应晶体管的运算放大器电路图
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我国首个ZnO纳米棒场效应晶体管研制成功
