德州仪器(TI)近日宣布推出支持高达10kW应用的新型即用型600 V氮化镓(GaN),50mΩ和70mΩ功率级产品组合。与AC/DC电源、机器人、可再生能源、电网基础设施、电信和个人电子应用中的硅场效应晶体管(FET)相比,LMG341x系列使设计人员能够创建更小、更高效和更高性能的设计。
EPC公司的“2018年中国路演”继续展开行程,于5月17至19日在西安举行的首次亚太区WiPDA研讨会中与工程师分享最新的氮化镓技术发展。
采用负反馈方式的宽带放大电路,该电路放大器均采用变压器耦合方式,放大部分采用场效应晶体管和晶体三极管相结合的方式。
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(108~109Ω
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(108~109Ω
该场效应晶体管共源共栅视频放大器的特点包括非常低的输入负载以及其反馈可降低至零。使用2N5485是由于它的电容很低,而Yfs却很高。该放大器的频带宽度受R1和负载电容的限
结型场效应晶体管混频器电路
由场效应晶体管组成的175MHz高频功放电路
双栅场效应晶体管高频放大器电路
场效应晶体管放大电路
我们常接触到晶体三级管,对它的使用也比较熟悉,相对来说对晶体场效应管就陌生一点,但是,由于场效应管有其独特的优点,例输入阻抗高,噪声低,热稳定性好等,在我们的使用中也是屡见不鲜。我们知道场效应晶体管的
场效应晶体管声控放大电路
东芝公司今天宣布面向超低功率微控制器(MCU)开发采用新工作原理的隧穿场效应晶体管(TFET)。该工作原理已经被应用到使用CMOS平台兼容工艺的两种不同的TFET开发中。通过将每种TFET应用到一些电路块中,可实现大幅降低M
采用大功率场效应晶体管的步进电动机控制电路
上图所示为采用场效应晶体管作为消音管的耳机电路。来自数字信号处理电路的L、R音频信号经消音控制电路送到耳机接口,Ql、Q2场效应晶体管的漏极分别接到L、R信号的
双管袖珍收音机的接收电路
宽动态范围混频电路
由两只双栅极场效应管构成的平衡式混频电路
音乐验电灯电路
互补对称场效应管工作原理图