纵观电子产业的发展过程中,关于存储器间的商业竞争尤为激烈,最开始是美国一家独大,80年代后“日本五巨头”将全球市场彻底洗牌,随后韩国,台湾等地的公司迅速兴起,将原先日本的市场夺走大半;紧接着韩国又凭借着美国和政府的扶持,将一众同行尽数打败。时至今日,在DRAM方面,仅剩下三星,海力士,镁光三家;NAND也差不多,除了上述三家,也只有inter,西部数据,铠侠等寥寥数家。2017年,存储器价格上涨,国内企业叫苦连天。
8月28日消息,据国外媒体报道,日本芯片制造商铠侠(原东芝存储器)计划在东京证券交易所上市,公司估值约200亿美元。 铠侠产品 东京证券交易所表示,铠侠股东贝恩和东芝计划在IPO中出售部分持股,铠侠
内容可寻址存储器CAM(Coment-Addressable Memo-ry)以内容进行寻址的存储器,是一种特殊的存储阵列RAM。它的主要工作机制就是将一个输入数据项与存储在CAM中的所有数据项自
4月5日消息,据报道,消息人士透露,中国电信设备制造商华为技术已进入美国第六大无线运营商Cellular的4G网络建设合同的最后竞标阶段。此外,华为还表示正在与美国联邦、州和地方政府
下一代Flash存储器品质与耐用度趋势越来越往下,工控市场客户往往只敢选用单价高昂的SLC存储器,也使得工控应用上的SSD容量受到局限;Flash SSD/DOM业者导入十倍于MLC耐用品质
美国霍尔特集成电路公司宣布其HI-6130/31 BC/MT/RT多终端1553航空电子数据总线接口获得美国测试系统公司的MIL-STD-1553 RT军标认证。该测试系统公司获得了美空军批
根据全球市场研究机构TrendForce旗下存储器事业处DRAMeXchange调查显示,去年第四季全球智能手机出货进入传统旺季,移动存储器营收较去年第三季成长21.4%来到27.4亿美元。
近期,便携式可穿戴医疗设备的创新大大促进了最小化半导体元件体积的需求。许多此类设备需要板上存储器来存储校准数据、测试结果以及数据日志。常见解决方案是使用串行EEPROM或闪存等非易失性存储器
据IDC预测,到2020年,整个网络上将有44万亿比特的数据量,260亿的连接设备将与网络进行互联;到2020年在汽车工业里,将有75%的新产汽车将作为移动设备或数据终端进行网络互联,由于汽
铁电存储器(FeRAM 或 FRAM)通过极化现象存储信息,其中电偶极子(如铁电内部的 N-S 磁场)由外部电场对齐。FeRAM 已成为下一代存储器半导体,可取代现有的 DRAM 或闪存,因为它速度更快,功耗更低,在电源关闭后仍然能保留存储的数据。
Sym3® Y专为3D NAND、DRAM和代工厂逻辑节点中的关键导体刻蚀应用而打造
如果说2017年是人工智能(AI)发展元年,那么在新的2018年,人工智能将开始走出实验室,跨入更实际的技术领域与应用。随着人工智能技术大举进入芯片产品,预计2018年将会是人工智能大鸣大放的一
2017年是电子行业跌宕起伏的一年,也是战绩累累的一年。回顾这一年,企业暗流涌动,争相布局;国家政策连发,推动发展。但不论如何,电子行业依旧如同夏日的阳光般,灼灼耀眼。同时,在这辉煌灿烂的一年中
汽车系统的设计变得越来越复杂,因为要不断的加入新的功能,如高级驾驶辅助,图形仪表,车身控制和车辆信息娱乐系统。为了确保可靠、安全的操作,每个子系统均需要使用特定的非易失性存储器,以便在复位操作和
DRAM内存商用已历经50年,NAND Flash闪存面世也已经有30年,从最初的群雄并举演化到当前的寡头格局,地域上也可分出
随着数据大集中、数据挖掘、商业智能、协同作业等技术的成熟,数据价值呈指数上升。在此背景下,无论是国家经济运转还是百姓日常生活,都和数据息息相关,必然导致存储(包括数据存储、数据保护和容灾等领域)
IDT公司的ZSSC416x/ZSSC417x系列是用于高精度放大和差分桥传感器信号修正的CMOS集成电路,模拟放大范围从150到200,可调理所有的电阻桥和电压源类传感器如热电偶,失调,灵敏度
Infineon公司的TLE9842-2QX是TLE984x系列中一员,集成了32位ARM® Cortex® M0 MCU核,继电器驱动器,高边开关,LIN收发器和能工作在汽车电
LV8907是一款通过AEC-Q100认证的高性能、无传感器三相BLDC马达控制器,集成了用于驱动外部N-MOSFET的栅极驱动器。片上双极电荷泵为各种低RDS(ON)型外部N-MOSFET提供
STM8AF526x/8x/Ax和STM8AF6269/8x/Ax汽车8位微控制器提供32KB~128KB非易失性存储器和集成式真数据EEPROM。STM8AF52系列具有CAN接口。