7月15日,汇丰驻韩国半导体及OLED产业分析师Ricky Seo表示,日韩贸易战对存储器产业的影响是好是坏,取决于僵局的延续时间。
韩国三星电子5日公布了2019年第2季财报展望。三星表示,由于存储器芯片的价格和需求持续疲软的冲击下,第2季的利润较2018年同期减少了56%,减幅过半。而该项消息一出,立即影响了三星的股价。
东芝存储与合作伙伴西部数据在周五披露,6月15日位于日本工厂的13分钟的停电造成了生产设施停工,预计在7月中旬才能恢复运营。
在有对Flash写入或擦除操作的代码中,如果用户误调用了写入或擦除函数或者由于程序跑飞而恰好执行了Flash擦除或写入函数,这自然会导致数据丢失或改变。
随着技术的发展,存储器的制造方式得到相当大的改进,这也使得存储器的价格在逐渐降低。那么,存储器价格的降低,会对一些半导体以及存储器厂商造成不良影响吗?
IP公司力旺电子25日宣布其一次可编程(OTP)存储器硅智财NeoFuse成功导入华邦电25纳米DRAM制程平台,且即将进入量产阶段,有助于客户在车用、工业、5G通信等新的市场应用取得先机。
存储器市况需求冷淡,价格不断走跌,DRAM现货价格跌至3美元出头,三星电子零售用标准型8GB DRAM更首次跌破3万韩元,韩媒《朝鲜日报》指出,存储器价格的跌势,可能冲击三星电子、SK海力士的营收。
在实际的单片机应用系统设计中,往往既需要扩展程序存储器,又需要扩展数据存储器(I/O接口芯片中的寄存器也作为数据存储器的一部分),如何把片外的两个64KB地址空间分配给各个程序存储器、数据存储器芯片,并且使程序存储器和数据存储器的各芯片之间,一个存储器单元只对应一个地址,避免单片机发出一个地址时同时访问两个单元,而发生数据冲突。这就是存储器的地址空间的分配问题。
AT89S51单片机存储器结构的特点之一是将程序存储器和数据存储器分开(称为哈佛结构),并有各自的对这两个不同的存储器空间的访问指令。
利基型存储器厂华邦电近日召开股东会,总经理詹东义表示,今年希望对主要客户的渗透率持续成长,自行开发的20纳米制程DRAM技术将于明年底到位,未来将在高雄新厂投产。
X5045是一种集看门狗、电压监控和串行EEPROM 三种功能于一身的可编程控制电路.特别适合应用在需要少量存储器,并对电路板空间需求较高场合,
注:【 图片来源:MIT CSAIL 所有者:MIT CSAIL 】数据压缩技术之一,就是通过消除冗余来释放存储容量,提高计算速度,或是带来其他好处。但是,在目前的计算机系统中,访问主存的成本很大。因
去年IEDM(国际电子器件会议)期间的一个周日的夜晚,TechInsights举办了一场招待会,Arabinda Das和Jeongdong Choe在会上做了演讲,吸引了一屋子的与会者。Arabin
中美贸易战下,存储器市场波动情形持续受关注,研调机构集邦科技近日举行“Compuforum 2019:资料经济大未来”研讨会,资深协理吴雅婷预估,今年整体DRAM销售额将年减29.3%,整体NAND Flash业绩则将较去年下滑27.3%,不过,两者均将在明年恢复正成长。
我们来思考一个问题,当我们在编程器中把一条指令写进单片要内部,然后取下单片机,单片机就可以执行这条指令,那么这条指令一定保存在单片机的某个地方,并且这个地方在单片机掉电后依然可以保持这条指令不会丢失,这是个什么地方呢?这个地方就是单片机内部的只读存储器即ROM(READ ONLY MEMORY)。为什么称它为只读存储器呢?刚才我们不是明明把两个数字写进去了吗?原来在89C51中的ROM是一种电可擦除的ROM,称为FLASH ROM,刚才我们是用的编程器,在特殊的条件下由外部设备对ROM进行写的操作,在单片机正常工作条件下,只能从那面读,不能把数据写进去,所以我们还是把它称为ROM。
May 20, 2019 ---- 不论是DRAM或NAND Flash,现有的存储器解决方案都面临着制程持续微缩的物理极限,这意味着要持续提升性能与降低成本都将更加困难。为了在有限甚至不改变现有平台架构的前提下找到新的解决方案,Intel Optane等次世代存储器近年来广受讨论。
5月20日,国际半导体产业协会(SEMI) 全球副总裁、中国区总裁居龙指出,2018年第四季度全球半导体景气已经呈现降温,主要受到手机、PC 需求逐渐下滑影响,再加上服务器的需求也不如预期。而这波寒冬仍将影响今年全球半导体产业,整体产业成长趋势将会放缓。
集微网消息,今日于上海举办的GSA Memory+高峰论坛上,群联电子董事长兼首席执行官潘健成表示对于包含着四个主要要素计算、存储、连接及传感的IoT行业,NAND存储是关键。
2019年5月15日,长鑫存储董事长兼CEO朱一明先生在上海举办的GSA MEMORY+峰会上,发表了《中国存储技术发展与解决方案》主题演讲,阐述新时代下中国存储器市场的巨大需求和发展机遇。去年长鑫8GB LPDDR4的投片,率先尝试“从0到1”的突破,推动中国存储器厂迈出了重要的一步。
万物互联将创造出越来越多的商业机遇,各行各业都对其充满期待,NOR Flash这个“大存储”产业链中的“小市场”也不例外。