HT37F290提供16-pin NSOP以及28-pin SSOP两种封装类型,内建64K×16 Flash 程序存储器用来储存程序/音色/音效等数据,不需再外加存储器。Audio Workshop开发平台与开发板可协助客户开发产品。
MCU是许多嵌入式子系统设计中的关键元素,但实现必要的系统功能通常需要额外的功能。也许基于MCU的设计中最受限制的元素之一是片上存储器。越来越多的应用程序需要比MCU可用的系统内存更多的系统内存。特别是,先进的人机界面(HMI)设计可能需要大量的只读图像和音频信息,这些信息不容易存储在MCU片上闪存中。此外,越来越多的应用发现片上RAM过度限制了需要大量数据缓冲和存储的高级通信通道。
9月21日-22日,GMIF2023全球存储器行业创新论坛在深圳隆重召开。本次论坛以“探索·前行 共生·创赢”为主题,共设立存储器行业创新论坛和存储器行业生态论坛两大论坛,论坛汇聚存储产业链上下游代表企业及行业大咖,共同探讨行业产品创新、技术演进、产业链协同发展等热点话题。
寄存器变量是计算机中一种重要的存储方式,它使用CPU中的寄存器来存储数据和指令。寄存器直接与CPU的运算和控制部件相连,因此访问速度非常快,通常在一个CPU周期内就能完成数据的读写操作。相比于内存和硬盘等存储设备,寄存器具有更高的读写速度和更小的体积,因此适用于临时存储需要频繁访问的关键数据和指令。本文将介绍寄存器变量的定义、作用和存储种类。
寄存器和存储器是计算机及其它电子设备中的两种重要存储组件,它们在存储方式、存储容量和访问速度等方面存在明显的差异。
IHWK采用Microchip的memBrain™ 非易失性内存计算技术并与高校合作,为神经技术设备开发 SoC 处理器
随着信息时代的到来,数据存储成为了一项基本需求。Flash存储器成为了一种常见的存储设备,用于存储各种类型的数据,如文档、图片、视频等。本文将详细介绍如何使用Flash存储器以及如何写入数据,帮助读者了解Flash存储器的操作方法和注意事项。
随着科技的不断发展,Flash存储器已经成为存储设备中最常用的一种类型。它具有非易失性、高密度、低功耗和快速读写等特点,广泛应用于各种领域,如移动设备、嵌入式系统和存储芯片等。本文将介绍Flash存储器的编程设计以及一些常见的解决方案,以帮助读者更好地理解Flash存储器的工作原理和应用。
【2023年8月8日,德国慕尼黑讯】汽车事件数据记录系统(EDR)市场的不断发展正在推动专用数据记录存储设备的需求,这些设备能够即时捕获关键数据并可靠地存储数据长达数十年。近日,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)进一步扩展其EXCELON™ F-RAM存储器产品,推出两款分别具有1Mbit和4Mbit存储密度的新型F-RAM存储器。全新1Mbit EXCELON™ F-RAM是业内首款车规级串行F-RAM存储器。
【2023年8月4日,德国慕尼黑和法国格勒诺布尔讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)和Teledyne e2v(NYSE代码:TDY)联合开发了一款计算密集型航天系统的参考设计。该设计以采用英飞凌抗辐射加固64 MB SONOS NOR Flash存储器的Teledyne e2v QLS1046-Space边缘计算模块为核心,可用于高性能太空处理应用。该参考设计解决了太空工作中一直存在的两个挑战——重量和通信限制。通过减少计算系统中的元件数量并实现边缘AI计算,这一设计有助于减少延迟和突破通信限制。
DRAM(Dynamic Random Access Memory,动态随机存取存储器)是一种具有高带宽、低延迟和低功耗的半导体存储设备。它利用静电场来存储数据。
存储器是容量数据处理电路的重要组成部分。随着数据处理技术的进一步发展,对于存储器的容量和性能提出了越来越高的要求。
德国慕尼黑及法国格林诺布尔 - Media OutReach - 2023年7月14日 - 英飞凌科技(法兰克福证交所代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)和Teledyne e2v(纽交所代码:TDY)为计算密集型太空系统开发了参考设计。该设计以抗辐射的64兆字节英飞凌SONOS型NOR Flash存储器配置的Teledyne e2v QLS1046-Space边缘计算模块为核心,可用于高性能的太空处理应用。该参考设计解决了太空工作中一直存在的两个挑战:重量和通信限制。该项设计减少了计算系统的元件数量,实现了边缘计算,有助于减少延迟和突破通信限制。
存储器是计算机系统中一个非常重要的组成部分,它们在存储数据和执行指令方面都发挥着重要的作用。在计算机系统中,存储器通常分为主存储器和辅助存储器两种类型。本文将详细介绍存储器和存储器的不同之处以及它们在性能方面的差异。
NAND Flash存储器是一种具有高速读写、高存储密度和低功耗的存储器技术,广泛应用于各种电子设备和系统中。在电路系统的设计中,基于NAND Flash存储器的应用可以提供可靠的数据存储和高效的数据读写,为系统的性能和功能提供了良好的支持。本文将介绍如何基于NAND Flash存储器实现电路系统的设计。
NAND Flash存储器是一种非易失性存储器,广泛应用于各种电子设备中,如智能手机、平板电脑、数码相机等。它的高性能、高存储密度和低功耗使其成为现代电子设备的理想选择。本文将详细介绍NAND Flash存储器的工作原理及其应用。
我们已经知道了CPU如何通过总线进行存储器的读写,也知道地址总线的宽度决定了CPU的寻址空间,数据总线的宽度则决定了CPU的位数(单次能够读写的数据量),而控制总线在一定程度上影响了访存的速度(WR与RD为0的时间越短,访存速度越快,当然也要存储器速度跟得上才行)。有了CPU和存储器,以及连接它们的总线,这就足以构成一个完整的、可正常运行的计算机系统。
Flash存储器是一种非易失性存储设备,常用于嵌入式设备、移动设备和计算机存储系统中。它具有高速读写、低功耗、机械抗振动和可靠性好等优点,因此在现代科技应用中发挥着重要作用。本文将详细介绍Flash存储器的在线编程与数据写入的过程。
随着信息时代的快速发展,存储器技术也不断进步。其中,Flash存储器作为一种重要的存储介质已经广泛应用于各个领域。本文将为您详细介绍Flash存储器的应用原理以及其常见的类型。
FIFO(First In, First Out)存储器是一种常见的存储器类型,它具有以下特点,并在实际应用中发挥着重要的作用。