密度

什么是量子计算？ 量子计算的算力指数级超越电子计算

量子计算是一种遵循量子力学规律调控量子信息单元进行计算的新型计算模式。对照于传统的通用计算机，其理论模型是通用图灵机;通用的量子计算机，其理论模型是用量子力学规律重新诠释的通用图灵机。

添加Ag、Ti、In对Sn-0.7Cu-0.2Ni焊料性能的影响研究

摘要:以Sn-0.7Cu-0.2Ni-0.2x(x=Ag、Ti、In)焊料为对象,研究其物相组成、热熔化温度DsC曲线、热膨胀系数、抗腐蚀性能以及润湿铺展性能。数据分析表明,添加Ag、Ti、In后焊料没有形成新的物相,焊料的熔化温度变化很小,其中添加Ag金属元素的焊料熔程比其他焊料高3℃左右。添加Ag、Ti、In后,焊料的热膨胀系数均提高,从与Cu基板热膨胀相匹配上分析,添加In的焊料更匹配,Sn-0.7Cu-0.2Ni-0.2In的热膨胀系数为16.42×10-6/℃。添加Ag和In有利于降低焊料的腐蚀速率,而添加Ti则提高了焊料的腐蚀速率。添加Ag、Ti、In均有利于增大焊料在Cu基体上的润湿铺展面积,其中添加In焊料相比未添加的焊料铺展面积提高了13%。从焊料的综合性能来讲,Sn-0.7Cu-0.2Ni-0.2In、Sn-0.7Cu-0.2Ni-0.2Ag均具有较好的应用前景。

今年的存储芯片行情真不好，搞得三星、SK海力士、美光等存储芯片巨头们苦不堪言

在如今大数据时代，NAND闪存无疑是数据存储的奠基者。不管是手机、电脑、家电还是汽车、安防等行业，都少不了NAND闪存的身影，其重要性可见一斑。

密度仅仅提升10%！摩尔定律工艺在晶体管密度上开启挤牙膏之旅

摩尔定律表明：每隔 18~24 个月，封装在微芯片上的晶体管数量便会增加一倍，芯片的性能也会随之翻一番。当FinFET结构走到了无法突破物理极限的时候，对新的晶体管技术提出了需求。

关于水流传感器的作用以及选择方法解析，你知道吗？

人类社会的进步离不开社会上各行各业的努力，各种各样的电子产品的更新换代离不开我们的设计者的努力，其实很多人并不会去了解电子产品的组成，比如水流传感器。

你知道我国首创的新型高能量密度铝—石墨双离子电池技术吗？

什么是石墨双离子电池?人类社会的进步离不开社会上各行各业的努力，各种各样的电子产品的更新换代离不开我们的设计者的努力，其实很多人并不会去了解电子产品的组成，比如石墨双离子电池。

值得了解的高能量密度湿钽电容器详细解析

在生活中，你可能接触过各种各样的电子产品，那么你可能并不知道它的一些组成部分，比如它可能含有的湿钽电容器，那么接下来让小编带领大家一起学习湿钽电容器。

用于测量液体、气体和蒸汽的液位、密度和压力的绝压变送器

什么是绝压变送器?它有什么作用?绝压变送器用于测量液体、气体和蒸汽的液位、密度和压力，甚至用于恶劣环境如污水、蒸汽、轻度腐蚀性、气体测量。已广泛应用制药，医疗设备，航空航天，科研，检漏，自动化设备配套等领域。

罕见！重型双中子星对撞引发巨大引力波：结合体质量是太阳3倍

1月6日，据外媒报道，在夏威夷举行的美国天文学会年会上，科学家宣布观测到两颗中子星对撞形成的巨大引力波。这是目前已知的第二次中子星碰撞事件，代号GW190425。 双子星，物理学上是指两颗质量极其接近

一款铝空气电池

锰酸盐银纳米片能够让科学家能够以更低成本制造出更安全、更节能的铝空气电池。据外媒报道，韩国蔚山国际科学技术研究所(Ulsan National InsTItute of Science and Technology)的研究人员利用此类新型催化剂研发了一款铝空气电池，该电池可解决现今电动汽车(EV)电池技术的常见问题，让电动汽车车主拥有续航里程更高、且可更换的电池组，无需慢慢充电。

TI移相扩容式控制器最大化数据中心与电信系统的电源密度

面向移动设备:尔必达宣布40nm 2Gb密度 LPDDR2芯片开发完成

赛普拉斯推出业界最高存储密度的DDR3解决方案

带你认识一些常规液位测量方式

气体的密度相对液体小很多，因此在这篇文章中我们假设测量液位容器顶部的气体密度忽略不计。同时我们讨论液位检测技术基于容器中只有一种液体。以下介绍的技术中有些可用于混合液体测量的情况。浮标液位计浮标的工作

空间受限应用的最高功率密度、多轨电源解决方案

随着通信、医疗和工业设备的总体尺寸不断缩小，电源管理设计变得越来越重要。本文讨论高度集成的全新电源管理解决方案的应用，这些新器件为RF系统、FPGA和处理器供电所带来

利用数字控制技术改善功率密度和电源管理

在一个电源系统中有许多地方可以采用数字技术，一个是电源内部电路本身，还有就是在系统级实现功率管理和监控功能[4].本文将针对第一种情况进行详细讨论。文中比较了板载电

科胜讯携手Grain Media推高密度视频监控应用的参考设计

LT1965：一款具备高功率密度1A LDO器件

LT1965 一款高功率密度1A LDO器件.该IC在满负载时具有仅为300mV的低压差电压、1.8V 至20V的宽VIN能力和1.2V至19.5V的可调输出，不日前由凌力尔特公司（Linear Technology C

密度最高的嵌入式MCU

用PQFN封装技术提高能效和功率密度

当今大多数电子产品设计都要求高能源效率，包括非消费型电子设备在内，例如工业马达驱动器和电信网络基础设施。对于电源而言，同样需要高功率密度和可靠性，以便降低总拥有成本。随着开关模式电源转换成为业界标准(