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台湾尔必达高层异动 大举整顿在台PC DRAM代理策略
日系存储器大厂尔必达(Elpida)台湾人事和营运布局大地震，总经理谢俊雄6月初闪电退休，职缺暂由全球业务副总张士昌兼任，同时尔必达也着手整顿台湾PCDRAM通路代理，由过去2~3家代理商的策略，收回由力晶关系人近期秘
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台湾尔必达高层异动 大举整顿在台PC DRAM代理策略
日系存储器大厂尔必达(Elpida)台湾人事和营运布局大地震，总经理谢俊雄6月初闪电退休，职缺暂由全球业务副总张士昌兼任，同时尔必达也着手整顿台湾PC DRAM通路代理，由过去2~3家代理商的策略，收回由力晶关系人近期
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韩存储器芯片微细制程比重占优势
据韩国媒体报道，韩国半导体业者在衡量存储器芯片业者竞争力高低的微细制程比重大占优势，维持在全球DRAM市场的主导权，尤其40纳米等级微细制程扩大，使韩国企业市占率随之扩大，在2011年第1季写下不错成绩，其它DRA
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海力士半导体30纳米工艺转换遇瓶颈
全球主要DRAM内存芯片业者陆续投入微细制程转换作业，然而海力士半导体(Hynix)在转换到30纳米制程上正遭遇瓶颈。在微细制程转换竞争中，一直紧追在海力士之后的尔必达(Elpida)，可能会更快完成制程转换作业，并动摇海
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韩媒称海力士半导体30纳米工艺转换不顺
据南韩电子新闻报导，全球主要DRAM内存芯片业者陆续投入微细制程转换作业，然而海力士半导体(Hynix)在转换到30纳米制程上正遭遇瓶颈。在微细制程转换竞争中，一直紧追在海力士之后的尔必达(Elpida)，可能会更快完成
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芯片巨头强者恒强 持续整合改写格局
芯片巨头强者恒强 持续整合改写格局
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传海力士30奈米制程遇瓶颈 恐动摇市场地位
据南韩电子新闻报导，全球主要DRAM记忆体晶片业者陆续投入微细制程转换作业，然而海力士半导体(Hynix)在转换到30奈米制程上正遭遇瓶颈。在微细制程转换竞争中，一直紧追在海力士之后的尔必达(Elpida)，可能会更快完成
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抢攻3D芯片市场 尔必达与联电力成合作
看好3D市场，DRAM大厂尔必达日前宣布，将与台湾力成科技、联华电子正式签约，携手展开TSV产品的共同开发；尔必达表示，三方还将针对3D IC整合技术、28纳米先进制程TSV（Through-Silicon Via, 直通硅晶穿孔）进行开发
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芯片巨头强者恒强 持续整合改写格局
市场调研公司ICInsights日前公布了2011年第一季度半导体供应商排名，英特尔仍然保持霸主地位，并且扩大了与排名第二的三星电子的优势。其第一季度的芯片销售收入为95亿美元，比三星电子71亿美元的芯片销售收入高出44
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抢攻3D芯片市场 尔必达与联电力成合作
看好3D市场，DRAM大厂尔必达日前宣布，将与台湾力成科技、联华电子正式签约，携手展开TSV产品的共同开发；尔必达表示，三方还将针对3DIC整合技术、28纳米先进制程TSV（Through-SiliconVia,直通硅晶穿孔）进行开发与商
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抢攻3D芯片市场 尔必达与联电力成合作
看好3D市场，DRAM大厂尔必达日前宣布，将与台湾力成科技、联华电子正式签约，携手展开TSV产品的共同开发；尔必达表示，三方还将针对3D IC整合技术、28纳米先进制程TSV（Through-Silicon Via, 直通硅晶穿孔）进行开发
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尔必达与联电力成合作开发TSV产品
看好3D市场，DRAM大厂尔必达日前宣布，将与台湾力成科技、联华电子正式签约，携手展开TSV产品的共同开发;尔必达表示，三方还将针对3D IC整合技术、28纳米先进制程TSV(Through-Silicon Via, 直通硅晶穿孔)进行开发与商
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力成/尔必达/联电携手卡位3D晶片技术
力成(6239)、尔必达(916665)与联电(2303)宣布三方将携手合作，针对28奈米及以下制程，提升3D IC的整合技术。力成对于3D IC布局动作快速，已规划成立新竹厂，并将于第三季进入试产阶段，希望可以成为市场技术的领导厂
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急单到 存储器封测厂本季展望
存储器大厂尔必达（916665）、力晶及南科等本季积极提升DRAM产能，后段封测协力厂力成、华东等急单涌入，5月营收大幅增温，7月可望回复历史高峰。 日本强震一度为半导体封测业带来不小冲击，除了主要矽晶圆短缺，
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韩DRAM微细制程比重高 占市场优势
据韩国电子新闻报导，韩国半导体业者在衡量存储器芯片业者竞争力高低的微细制程比重大占优势，维持在全球DRAM市场的主导权，尤其40纳米等级微细制程扩大，使韩国企业市占率随之扩大，在2011年第1季写下不错成绩，其
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韩DRAM微细制程比重高 占市场优势
据韩国电子新闻报导，韩国半导体业者在衡量存储器芯片业者竞争力高低的微细制程比重大占优势，维持在全球DRAM市场的主导权，尤其40纳米等级微细制程扩大，使韩国企业市占率随之扩大，在2011年第1季写下不错成绩，其它
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韩DRAM微细制程比重高 占市场优势
据南韩电子新闻报导，南韩半导体业者在衡量记忆体晶片业者竞争力高低的微细制程比重大占优势，维持在全球DRAM市场的主导权，尤其40奈米等级微细制程扩大，使南韩企业市占率随之扩大，在2011年第1季写下不错成绩，其他
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尔必达投资800亿日元应对DRAM 50％/年的需求增长
日本尔必达存储器正致力于通过小额设备投资实现大幅增产的“高明投资”方式。该公司预计2011财年（2011年4月～2012年3月）的DRAM需求增幅将达到50％/年，但却打算以较上财年减少30％的设备投资额（800亿日元）来应对
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尔必达5月量产新一代30纳米产品
日本存储器大厂尔必达(Elpida)宣布预计在2011年5月量产最先进的30纳米制程DRAM，而此款30纳米制程讲求低耗电，适合用于智能型手机、平板计算机等行动装置，以及目前最热门的云端运算市场。尔必达在2010年9月完成30纳
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尔必达投资800亿日元应对DRAM 50％/年的需求增长
日本尔必达存储器正致力于通过小额设备投资实现大幅增产的“高明投资”方式。该公司预计2011财年（2011年4月～2012年3月）的DRAM需求增幅将达到50％/年，但却打算以较上财年减少30％的设备投资额（800亿日
