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得可DirEKt植球技术推进微型化能力
得可进一步扩展高速的植球能力，已获认可的DirEKt Ball Placement™ 工艺现能以300微米细距精准地置放直径仅为200微米的焊球。凭借以高于99.99% 的首次通过良率实现这一精确性和精密度的能力，DirEKt植球为现代
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英特尔2022年迈向4纳米工艺
英特尔2022年迈向4纳米工艺
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薄晶圆系统提高批量制造超薄晶圆处理能力
基于极其成功的Galaxy印刷设备，得可已利用卓越的精准技术开发了专门处理超薄晶圆的系统。新的Galaxy薄晶圆系统提供杰出的稳定性、工艺能力提高到Cp>2@+/-12.5μm、并拥有先进的速度和加速控制，确保强健地处理当今
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得可提升DirEKt Coat技术高度
预见到未来对大批量晶圆粘合剂和涂层应用的需求，得可已三倍增强其获奖DirEKt Coat 技术的工艺能力。DirEKt Coat晶圆涂层工艺达到Cp>2@+/- 12.5µm和7微米的总厚度差 (TTV)，有效地满足了薄晶圆产品目前和未来的
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宏力半导体发布0.13微米嵌入式闪存制程
上海宏力半导体制造有限公司 (宏力半导体)，专注于差异化技术的半导体制造业领先企业之一，发布其先进的0.13微米嵌入式闪存制程。 宏力半导体的新0.13微米嵌入式闪存制程结合了其已经量产的自对准分栅闪存技术和自身
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得可Galaxy薄晶圆系统 提高大批量制造超薄晶圆的处理能力
style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;">基于极其成功的Galaxy印刷设备，得可已利用卓越的精准技术开发了专门处理超薄晶圆的系统。新的Galaxy薄晶圆系统提供
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得可Galaxy薄晶圆系统提高大批量制造超薄晶圆的处理能力
基于极其成功的Galaxy印刷设备，得可已利用卓越的精准技术开发了专门处理超薄晶圆的系统。新的Galaxy薄晶圆系统提供杰出的稳定性、工艺能力提高到Cp>2 @ +/- 12.5µm、并拥有先进的速度和加速控制，确保强健地处
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宏力半导体发布先进的0.13微米嵌入式闪存制程
上海宏力半导体制造有限公司 (宏力半导体)，专注于差异化技术的半导体制造业领先企业之一，发布其先进的0.13微米嵌入式闪存制程。 宏力半导体的新0.13微米嵌入式闪存制程结合了其已经量产的自对准分栅闪存技术和自身
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宏力半导体发布先进的0.13微米嵌入式闪存制程
上海宏力半导体制造有限公司 (宏力半导体)，专注于差异化技术的半导体制造业领先企业之一，发布其先进的0.13微米嵌入式闪存制程。宏力半导体的新0.13微米嵌入式闪存制程结合了其已经量产的自对准分栅闪存技术和自身的
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宏力半导体发布0.13微米嵌入式闪存制程
上海宏力半导体制造有限公司 (宏力半导体)，发布其先进的0.13微米嵌入式闪存制程。宏力半导体的新0.13微米嵌入式闪存制程结合了其已经量产的自对准分栅闪存技术和自身的0.13微米逻辑技术。该授权闪存技术具有单元尺寸
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台湾拟向大陆开放液晶面板及半导体投资
据台湾媒体报道，我国台湾地区“经济部”已经初步完成“产业开放登陆清单”，液晶面板及半导体的先进技术有望通过专项审查的方式到大陆投资。 报道指出，液晶面板业开放的十代线以下(不含面板)的技术，但需要经过专
