PWM是脉宽调制,在电力电子中,最常用的就是整流和逆变。这就需要用到整流桥和逆变桥。对三相电来说,就需要三个桥臂。以两电平为例,每个桥臂上有两个电力电子器件,比如IGBT。这两个IGBT不能同时导通,否则就会出现短路的情况。因此,设计带死区的PWM波可以防止上下两个器件同时导通。也就是说,当一个器件导通后关闭,再经过一段死区,这时才能让另一个导通。
了解ADC电源引脚如何对DC / DC转换器作出反应至关重要,因为DC / DC转换器由于其高功率效率而成为大多数(如果不是全部)供电方案的一部分。
与一般的机械开关(如继电器、开关)不同,晶体管是利用电信信号来控制其开关的,开关速度可以非常快,在实验室中可以达到100GHz以上。2016年,劳伦斯伯克利国家实验室的一个团队突破了物理极限,将现有最复杂的晶体管工艺从14纳米削减到1纳米,实现了计算技术的突破。
晶体管可能有多种状态,通常是饱和、截止、有效和反向。晶体管具有由直流偏置定义的工作点或静态点。只要工作点落在特定的工作区域内,晶体管就会按照该特定状态中定义的方式执行。但如果工作点跨入另一个区域,晶体管的操作就会发生变化。
在现代电子系统中,金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)作为关键的功率开关元件,其性能对整体系统的效率、稳定性和可靠性具有重要影响。然而,MOSFET在开关过程中会产生损耗,同时,快速开关动作还可能导致电磁干扰(EMI)问题。因此,如何在降低MOSFET损耗的同时提升EMI性能,成为电子工程师面临的重要挑战。
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Si IGBT是硅绝缘栅双极晶体管的简写。碳化硅MOSFET是碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的缩写。
开关电源可以使功率晶体管工作在导通和关断两种工作状态下,其实就是将输入直流电压幅值斩成和输入电压幅值相等的脉冲电压来实现。
本文是系列文章中的第三篇,该系列文章将讨论常见的开关模式电源(SMPS)的设计问题及其纠正方案。本文旨在解决DC-DC开关稳压器的功率级设计中面临的复杂难题,重点关注功率晶体管和自举电容。功率晶体管具有最小和最大占空比,如果违反限值,将会导致SMPS性能下降。此外,如果忽略自举电容,晶体管将无法正常工作。
经过优化的 EDA 和 IP 全面解决方案为台积公司 N2 和 A16 工艺带来强化的计算性能、功耗和工程生产力 摘要: 由Synopsys.ai赋能、可投入生产的人工智能驱动EDA流程面向N2工艺可实现全球领先的结果质量,并加速科技行业领导者的设计节点迁移 在台积...
晶体管加速电路将是下述内容的主要介绍对象,通过这篇文章,小编希望大家可以对它的相关情况以及信息有所认识和了解,详细内容如下。
开关电源是一种将交流电转换成可用直流电的电源设备。它通过使用开关元件(如晶体管、MOSFET或IGBT),以高频开关方式来转换电源。
DC/DC电源电路也称为 DC/DC 转换电路,主要功能是进行输入/输出电压转换。不同的应用领域有不同的规律,如PC,常用12V、5V、3.3v,模拟电路供电常用5V、15V,数字电路常用3.3v。目前的FPGA和DSP也使用 2V 以下的电压,如1.8v、1.5v、1.2v等,在通信系统中也称为二次电源。
基本直放大电路既可以放大交流信号,也可放大直流信号和变化非常缓慢的信号,且信号传输效率高,具有结构简单、便于集成化等优点,集成电路中多采用这种耦合方式。
单/双封装比传统封装具有更优异的热性能
标准三端线性稳压器的压差通常是 2.0-3.0V。要把 5V 可靠地转换为 3.3V,就不能使用它们。压差为几百个毫伏的低压降 (Low Dropout, LDO)稳压器,是此类应用的理想选择。
满足行业对采用更现代封装的功率双极结型晶体管的需求
集成电路(Integrated Circuit, IC)是由多个电子元件(如晶体管、电阻器、电容器等)在一个小的半导体芯片上集成而成的电路。集成电路的工作原理涉及其结构、电子元件的特性及其运作机制。
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