晶体管
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苹果M2正式发布：5nm工艺制造，集成200多亿个晶体管
M1、M1 Pro、M1 Max、M1 Ultra之后，苹果终于推出了Apple Silicon自研处理器的第二代——M2。
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芯片制造到底有多难？为何说造CPU比造原子弹还难？
世界上第1台计算机的大小相当于一座小房子，而现在指甲盖大小的CPU的计算性能就已远超那时。之所以会有如此翻天覆地的变化，这主要得益于单位面积上集成的晶体管数量越来越多。
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应用材料公司以技术助力极紫外光和三维环绕栅极晶体管实现二维微缩
2022 年 4 月 21 日，加利福尼亚州圣克拉拉市——应用材料公司推出了旨在帮助客户利用极紫外光(EUV)继续推进二维微缩的多项创新技术，并详细介绍了业内最广泛的下一代三维环绕栅极晶体管制造技术的产品组合。
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7nm 600亿晶体管中国芯 首颗国产“3D封装”研发成功
据悉，中国已研发出首颗“3D封装”芯片，这意味着中国首颗7nm芯片诞生!所谓的“3D封装”芯片，此前泛指台积电生产技术，据相关数据显示，“3D封装”芯片突破了7nm工艺极限，集成了600亿晶体管。
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摩尔定律已死？英特尔：仍可继续推动晶体管微缩创新
摩尔定律的本质是创新，我们可以自信地说创新将永不止步
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针对PLC的故障及其常见的维修方法
在日常生活与学习中，我们经常会受到PLC损坏或者故障不能正常使用的困扰，我们可能会选择寻找专业人员进行维修，或者是在换一个新的产品，但这些操作将会导致我们的时间浪费，经济的损失或者是工作亦或是学习效率的下降。
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Ampleon为5G NR和4G LTE宏基站应用提供紧凑型多级Doherty MMIC驱动器，借此扩展无隔离器的6GHz以下产品线
荷兰奈梅亨 – 埃赋隆半导体（Ampleon）利用先进的LDMOS晶体管技术，推出了B11G3338N80D推挽式3级全集成Doherty射频晶体管——该晶体管是GEN11 Macro驱动器系列的载体产品，涵盖所有6GHz以下频段。这种高效的多频段器件覆盖3.3至3.8GHz的频率范围，可实现下一代大功率和具有市场领先效率的宏基站。
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Ampleon发布增强性能的第3代碳化硅基氮化镓晶体管
频率覆盖范围广并且具有高效率和高线性度
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搞清楚电子管的往事今生，电子管发展历程介绍
你知道电子管的发展历史是怎样的吗?电子管是哪一年研制出来的?如果你对电子管抑或是对电子管的发展历史具有兴趣，不妨继续往下阅读哦。
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意法半导体双通道高边开关为容性负载驱动设计带来更多灵活性
2022年2月14日，中国 – 意法半导体最新的智能驱动高边开关IPS2050H和IPS2050H-32可设置两个限流值，适用于启动电流很大的容性负载。
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晶体管的历史
由于点接触型晶体管制造工艺复杂，致使许多产品出现故障，它还存在噪声大、在功率大时难于控制、适用范围窄等缺点。为了克服这些缺点，肖克莱提出了用一种“整流结”来代替金属半导体接点的大胆设想。半导体研究小组又提出了这种半导体器件的工作原理。
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晶体管概述
晶体管(transistor)是一种固体半导体器件(包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等，有时特指双极型器件)，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。
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Intel关键新突破：晶体管缩小50％、封装密度提升10倍
在日前的2021 IEEE IDM(国际电子器件会议)上，Intel公布、展示了在封装、晶体管、量子物理学方面的关键技术新突破，可推动摩尔定律继续发展，超越未来十年。
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为增强模拟LSI和晶体管的产能，罗姆集团马来西亚工厂投建新厂房
全球知名半导体制造商罗姆和罗姆和光株式会社决定在马来西亚的子公司ROHM-Wako Electronics（Malaysia）Sdn. Bhd.投建新厂房，以增强市场需求日益增长的模拟LSI和晶体管的产能。
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英特尔技术发力：着眼10倍封装密度提升，30%~50%晶体管密度提升，布局非硅基半导体
英特尔的目标是在封装中将密度提升10倍以上，将逻辑微缩提升30%至50%，并布局非硅基半导体。
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集成芯片
集成电路(integrated circuit)是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构;其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步。
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三星计划2025年量产2nm工艺：基于MBCFET、与IBM 2nm不同
在先进半导体工艺上，台积电目前是无可争议的老大，Q3季度占据全然53%的晶圆代工份额，三星位列第二，但份额只有台积电的1/3，所以三星押注了下一代工艺，包括3nm及未来的2nm工艺。根据三星的计划，3nm工艺会放弃FinFET晶体管技术，转向GAA环绕栅极，3nm工艺上分为两个版...
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绝缘栅双极晶体管
绝缘栅双极晶体管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)综合了电力晶体管(Giant Transistor—GTR)和电力场效应晶体管(Power MOSFET)的优点，具有良好的特性，应用领域很广泛;IGBT也是三端器件：栅极，集电极和发射极。
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双极性晶体管的发展及分析方法
1947年12月，贝尔实验室的约翰·巴丁、沃尔特·豪泽·布喇顿在威廉·肖克利的指导下共同发明了点接触形式的双极性晶体管。
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磁敏二极管概述
在锗磁敏晶体管的发射极一侧用喷砂方法损伤一层晶格，设置载流子复合速率很大的高复合区r，而在硅磁敏晶体管中未设置高复合区。锗磁敏晶体管具有板条状结构，集电区和发射区分别设置在板条的两面，而基极设置在另一侧面上。硅磁敏晶体管具有平面结构，基极均设置在硅片表面。磁敏晶体管的一个主要特点是基区宽度W大于载流扩散长度，因此它的共发射极电流放大系数小于1，无电流增益能力。另外，发射极-基区-基极是NPP 型或P NN 型长二极管，即NPP 型或PNN 型磁敏二极管。因此，磁敏晶体管是在磁敏二极管的基础上设计的长基区晶体管。
