晶体管
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安森美推出第七代IGBT智能功率模块，助力降低供暖和制冷能耗
SPM31 智能功率模块 (IPM) 用于三相变频驱动应用，能实现更高能效和更佳性能
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英飞凌与安克联合成立创新应用中心，携手发力PD快充领域并推动节能减碳
【2024年1月25日，德国慕尼黑和中国深圳讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX /OTCQX代码：IFNNY）近日宣布其与全球充电技术领域的领导者安克创新(Anker Innovations) 在深圳联合成立创新应用中心。该创新应用中心全面投入运营之后，将为开发能够减少二氧化碳排放的高能效充电解决方案铺平道路，从而推动低碳化进程。
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IGBT模块的作用是什么？
IGBT模块在电力电子领域中扮演着重要的角色，它是一种基于绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor)的功率模块。IGBT模块的作用是将电能进行转换和控制，广泛应用于电机驱动、电网电源、风电、光伏、电动汽车等多个领域。
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台积电首提1nm工艺，实现1万亿晶体管的单个芯片封装
业内消息，近日台积电在IEDM 2023会议上制定了提供包含1万亿个晶体管的芯片封装路线，来自单个芯片封装上的3D封装小芯片集合，与此同时台积电也在开发单个芯片2000亿晶体管，该战略和英特尔类似。
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作为“燃灯者”的芯耀辉：推动国内高速Chiplet接口IP不断破局
毋庸置疑的是，与“摩尔定律”紧密相关单芯片晶体管数量和工艺几何尺寸演进正在迎来一个“奇点时刻”。与此同时，终端应用的高算力需求依然在不断推高单芯片Die尺寸，在光罩墙的物理性制约之下，众多芯片设计厂商在芯片工艺与良率的流片成本以及严苛的上市时间的平衡度上正在遭遇越来越严峻的挑战。
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英特尔是如何实现玻璃基板的？
在今年9月，英特尔宣布率先推出用于下一代先进封装的玻璃基板，并计划在未来几年内向市场提供完整的解决方案，从而使单个封装内的晶体管数量不断增加，继续推动摩尔定律，满足以数据为中心的应用的算力需求。
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北大研究团队突破 90nm 碳纳米晶体管
业内消息，上周北京大学彭练矛院士/张志勇教授团队研究出一款基于阵列碳纳米管的 90nm 碳纳米管晶体管，该技术可使碳纳米晶体管工艺高度集成，并在该基础上探索将碳基晶体管进一步缩减到 10nm 节点的可能性。
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意法半导体GaN 驱动器集成电流隔离功能，具有卓越的安全性和可靠性
2023 年 9 月 6 日，中国 ——意法半导体推出了首款具有电流隔离功能的氮化镓 (GaN) 晶体管栅极驱动器，新产品 STGAP2GS缩小了芯片尺寸，降低了物料清单成本，能够满足应用对宽禁带芯片的能效以及安全性和电气保护的更高要求。
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ST VIPERGAN5065100系列高压氮化镓转换器，支持最高100W输出功率
VIPERGAN50、VIPERGAN65和VIPERGAN100是意法半导体VIPerGaN系列中首款高压GAN转换器，可在宽范围工作电压（9 V至23 V）中分别提供50 W、65 W和高达100 W的功率。我们还推出了EVLVIPGAN100PD，这是我们首款用于USB-PD应用的VIPERGAN100评估板。VIPerGaN器件使用650V氮化镓（GaN）晶体管，这意味着在自适应突发模式开启时，待机模式下的功耗低于30 mW。QFN 5 mmx6 mm封装也使其在业内同等功率输出中拥有较小的封装尺寸。
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1530 亿晶体管！AMD 全新 AI 芯片欲单杀英伟达
据业内信息报道，昨天在美国旧金山举行的数据中心与人工智能技术发布会上，AMD 正式发布了新一代的面向 AI 及 HPC 领域的 GPU 产品 Instinct MI 300 系列，欲在 AI 芯片领域单杀英伟达。
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光刻机将成为历史！麻省理工华裔研究出 2D 晶体管，轻松突破 1nm 工艺！
众所周知，光刻机作为芯片生产过程中的最主要的设备之一，其重要性不言而喻。先进的制程工艺完全依赖于先进的光刻机设备，比如现阶段台积电最先进的第二代 3nm 工艺，离不开 EUV 光刻机。然而，前不久麻省理工学院(MIT)华裔研究生朱家迪突破了常温条件下由二维(2D)材料制造成功的原子晶体管，每个晶体管只有 3 个原子的厚度，堆叠起来制成的芯片工艺将轻松突破 1nm。
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意法半导体发布100V工业级STripFET F8晶体管，优值系数提高 40%
2023 年 5 月 24 日，中国—— 意法半导体的STL120N10F8 N沟道100V功率MOSFET拥有极低的栅极-漏极电荷(QGD)和导通电阻RDS(on)，优值系数 (FoM) 比上一代同类产品提高40%。
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英特尔代工业务与 Arm 宣布展开合作，涉及多代前沿系统芯片设计
此次合作将为芯片设计者们带来 Arm 内核与英特尔埃米时代的制程工艺技术的强大组合
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Intel 18A/20A工艺流片，多家潜在客户将测试
因为工艺问题在产品上受挫后，Intel在新CEO帕特基辛格带领下，提出了IDM 2.0战略，不仅修订了制程路线图，目标四年五个节点，还开放IFS代工服务，竞争台积电、三星等。
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泰克助力VisIC Technologies公司推动电动汽车动力系统技术进步
随着世界各国都在努力降低碳排量，电动汽车（EV）的市场容量正不断扩大。推动这一增长的关键因素将是最大限度地减少电动汽车动力系统的开关损耗，并通过使用更小、续航时间更长的电池来实现显著的效率提升。正因如此，VisIC Technologies公司倡导采用氮化镓（GaN）功率晶体管，并使用泰克强大的测试设备来确保实现杰出的性能。
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EPC新推200 V、10 mΩ、采用QFN封装的GaN FET，实现高效灵活设计
宜普电源转换公司(EPC)推出 200 V、10 mΩ的EPC2307，完善了额定电压为 100V、150 V和200 V的6个GaN晶体管系列，提供更高的性能、更小的解决方案和易于设计的DC/DC 转换、AC/DC SMPS和充电器、太阳能优化器和微型逆变器，以及电机驱动器。
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郭明錤再爆A17芯片细节，晶体管密度提升70%
据业内信息，近日天风国际证券分析师郭明錤发表信息表示，全新一代的A17仿生芯片不出意外的话将出现在iPhone 15系列的两个Pro版本上，该芯片将采用目前最先进的3nm制程工艺，晶体管密度提升70%。
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过渡金属二硫化物成为未来晶体管开发的重要材料
电子工程师不断尝试开发更薄、更高效和性能更好的晶体管，这是大多数现代电子产品的核心半导体器件。为此，他们一直在评估各种材料的潜力。过渡金属二硫化物 (TMD) 是一种基于过渡金属和硫属元素的化合物，具有非常有吸引力的电子和机械性能，使其成为开发未来几代晶体管的有前途的候选者。最值得注意的是，它们具有原子级薄结构，没有悬空键和类似于硅的带隙。
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单颗芯片容纳1万亿个晶体管？我们的世界是否还需要更好的晶体管?
晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、晶闸管等。晶体管具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能，晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能。
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什么是芯片内部制造工艺?看大佬讲解芯片内部晶体管!
为增进大家对芯片的认识，本文将对芯片内部制造工艺以及芯片中的晶体管予以介绍。
