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争抢台积电28奈米订单格罗方德扩产纽约八厂
格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)近期在28奈米晶圆代工市场布局动作频频。在成功自台积电手里抢得高通(Qualcomm)28奈米晶片订单后，格罗方德日前再度宣布启动纽约12吋晶圆八厂(Fab 8)扩产计画，进一步扩大第一期厂房( Modu
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格罗方德宣布与Rambus合作两款28纳米芯片
晶圆代工厂格罗方德（Globalfoundries）近日宣布，与Rambus共同发表双方合作开发的28纳米两款独立存储器架构式矽测试芯片。格罗方德是台积电竞争对手之一，28纳米进度下半年预计进入量产。格罗方德宣布与Rambus合作的
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台积电对手格罗方德 发表28纳米
晶圆代工厂格罗方德（Globalfoundries）昨（26）日宣布，与Rambus共同发表双方合作开发的28纳米两款独立存储器架构式矽测试芯片。 格罗方德是台积电（2330）竞争对手之一，28纳米进度下半年预计进入量产。 格罗方德
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Globalfoundries 发表28纳米
晶圆代工厂格罗方德（Globalfoundries）昨（26）日宣布，与Rambus共同发表双方合作开发的28纳米两款独立存储器架构式矽测试芯片。 格罗方德是台积电（2330）竞争对手之一，28纳米进度下半年预计进入量产。 格罗
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超微新单 台积电受宠不减
处理器大厂超微（AMD）第2季财报不佳，第3季展望不如预期，股价上周末重跌逾13％，不过，超微仍在法说会中指出，虽然28纳米产能吃紧，但超微没有受到影响，现在晶圆代工伙伴仍只有台积电（2330）及格罗方德（GlobalF
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格罗方德主管：HKMG成28nm量产致胜关键
格罗方德技术长办公室先进技术架构主管SubramaniKengeri表示，该公司在32nm节点即引进HKMG制程，为更高密度电晶体实现低漏电流效益；相较于至28奈米才改用HKMG的竞争对手，技术成熟度略胜一筹。因此，拥有充足的HKMG
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格罗方德：HKMG成28nm量产致胜关键
格罗方德技术长办公室先进技术架构主管SubramaniKengeri表示，该公司在32nm节点即引进HKMG制程，为更高密度电晶体实现低漏电流效益；相较于至28奈米才改用HKMG的竞争对手，技术成熟度略胜一筹。因此，拥有充足的HKMG
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格罗方德：HKMG成28nm量产致胜关键
格罗方德技术长办公室先进技术架构主管Subramani Kengeri表示，该公司在32nm节点即引进HKMG制程，为更高密度电晶体实现低漏电流效益；相较于至28奈米才改用HKMG的竞争对手，技术成熟度略胜一筹。因此，拥有充足的HKM
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专访格罗方德Subramani Kengeri HKMG成28奈米量产致胜关键
格罗方德技术长办公室先进技术架构主管Subramani Kengeri表示，该公司在32奈米节点即引进HKMG制程，为更高密度电晶体实现低漏电流效益；相较于至28奈米才改用HKMG的竞争对手，技术成熟度略胜一筹。因此，拥有充足的H
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携手格罗方德 虹晶完成28nm设计服务
虹晶科技 (Socle Technology Corporation)与格罗方德 (GLOBALFOUNDRIES) 10日共同宣布，完成虹晶首件28纳米特殊应用芯片(ASIC)设计服务案。该设计案采用ARM Cortex A9多核心处理技术，透过格罗方德(GLOBALFOUNDRI
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携手格罗方德 虹晶完成28nm设计服务
虹晶科技 (Socle Technology Corporation)与格罗方德 (GLOBALFOUNDRIES) 10日共同宣布，完成虹晶首件28纳米特殊应用芯片(ASIC)设计服务案。该设计案采用ARM Cortex A9多核心处理技术，透过格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)
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携手格罗方德 虹晶完成28nm设计服务
虹晶科技 (Socle Technology Corporation)与格罗方德 (GLOBALFOUNDRIES) 10日共同宣布，完成虹晶首件28纳米特殊应用芯片(ASIC)设计服务案。该设计案采用ARM Cortex A9多核心处理技术，透过格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)
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携手格罗方德 虹晶完成28nm设计服务
虹晶科技 (Socle Technology Corporation)与格罗方德 (GLOBALFOUNDRIES) 10日共同宣布，完成虹晶首件28纳米特殊应用芯片(ASIC)设计服务案。该设计案采用ARM Cortex A9多核心处理技术，透过格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)
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ST委托格罗方德代工28/20奈米FD-SOI晶片
意法半导体(ST)宣布格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)将采用意法半导体独有的完全空乏型矽绝缘层金氧半电晶体元件(Fully Depleted Silicon-on-Insulator, FD-SOI)技术，为意法半导体生产28奈米和20奈米晶片。 意法半导体负责
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强打HKMG技术格罗方德抢食28奈米大饼
趁台积电28奈米(nm)产能供应不及之际，格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)已积极展开抢单攻势。挟在高介电常数金属闸极(HKMG)技术丰富经验，格罗方德已成功拿下超微(AMD)第二代加速处理器(APU)、意法半导体(ST)及多家通讯晶片
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台积有望获超微转单工
处理器大厂超微（AMD）今年3月出清阿布达比创投（ATIC）旗下的格罗方德（GF）股权后，业界人士最新指出，在超微取消GF的28nm加速处理器（APU）独家代工合约后，预计2013年APU晶片转单台积电的机率大增，将替台积电28
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台积有望获超微转单工
处理器大厂超微（AMD）今年3月出清阿布达比创投（ATIC）旗下的格罗方德（GF）股权后，业界人士最新指出，在超微取消GF的28奈米加速处理器（APU）独家代工合约后，预计2013年APU晶片转单台积电的机率大增，将替台积电
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格罗方德新技术 为移动与消费性应用实现3D晶片堆叠
格罗方德（GLOBALFOUNDRIES）宣布新技术，将可为新一代的行动与消费性应用实现三维（3D）晶片堆叠，位于纽约萨拉托加郡的晶圆八厂已安装一套特殊生产工具，可在半导体晶圆上建立矽穿孔（TSV）技术，作业于20奈米技术
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格罗方德晶圆八厂实现20奈米3D晶片制程技术
格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)宣布新技术，将可为新一代的行动与消费性应用实现三维(3D)晶片堆叠，位于纽约萨拉托加郡的晶圆八厂已安装一套特殊生产工具，可在半导体晶圆上建立矽穿孔(TSV)技术，作业于20奈米技术平台上
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高通 下单联电格罗方德
智慧手机晶片龙头高通受台积电28奈米产能吃紧影响，出货成长受阻，业界传出，高通紧急向联电、格罗方德寻求28奈米产能支援，填补台积电产能不足缺口，藉此避开市占率衰退问题。 台积电、联电等业者都不愿对单一客
