-
东芝拼了！NAND Flash全面转进43纳米制程
为因应NAND Flash产业景气寒冬，以及进入传统淡季后价格进一步重挫，日系大厂东芝(Toshiba)计划在2009年第1季前，将制程技术全数转进43纳米，现有56纳米制程将逐步退役，届时东芝将是全球NAND Flash制造商成本结构最
-
3家DRAM厂合计减产占全球产能6％ 幅度仍然不够
据DigiTimes网站报道，DRAM报价跌破现金成本，引爆一波减产风潮，继力晶和尔必达(Elpida)宣布减产，海力士(Hynix)也宣布将包括清州M9厂和大陆无锡HC1厂的8寸晶圆厂生产喊停，期望能防止公司营运进一步流血，合计海力
-
3家DRAM厂合计减产占全球产能6％ 幅度仍然不够
-
DRAM产业产能过剩 海力士加速关闭200毫米晶圆厂
海力士半导体公司(Hynix)上周四宣布了该公司加速引退其200毫米晶圆厂的计划，表示将将于本月底关闭位于韩国Icheon的M7工厂。海力士此前宣布过关闭两个200毫米工厂，一个位于韩国Cheongju，另一个位于Ore的Eugene。
-
前海力士员工涉嫌向京东方泄露LCD面板技术遭拘留
据韩国媒体报道，首尔中央地检高科技犯罪调查部近日称，对Boehydis前代表崔某和前开发中心负责人林某进行了不拘留起诉。
-
日本对海力士芯片强征高税 韩国表示不满
日本对海力士芯片强征高税 韩国表示不满
-
日本削减对海力士DRAM芯片征收的反补贴关税
日本计划削减韩国储存芯片厂商海力士(Hynix)半导体在日本销售DRAM芯片征收反补贴关税。媒体援引日本经济、贸易和工业部提供的消息报道说，日本收取的进口反补贴关税将从最初的27.2%削减为9.1%。 数年来，美
-
美光科技成功抵御疲软的NAND市场 在Q2与海力士拉近距离
iSuppli公司表示，第二季度美光科技缩短了与海力士半导体的NAND闪存市场份额差距，从而为实现今年夺取行业季军的目标奠定了基础。
-
韩国海力士将买下台湾茂德8.6%股权 总值34.56亿台币
韩国记忆体晶片制造商海力士半导体周五表示,已同意买下台湾茂德8.6%股权,较6月所宣布的9.5%少.
-
海力士将关闭美国晶圆厂 业内200毫米工厂面临换代
海力士(Hynix)将于近两个月内关闭位于美国俄勒冈州Eugene的200毫米DRAM晶圆厂，原因是DRAM市场供过于求的情况已持续了数月。有报告称，海力士将会关闭晶圆厂并考虑出售该厂，减小在当地的业务规模。 该举动
-
三星与海力士联合开发450毫米晶圆工艺的MRAM
三星公司(Samsung)与海力士半导体公司(Hynix)，两家韩国最大的芯片公司，近日对外宣称，两家将计划联合开发自旋扭矩转换式磁性随机存储器(STT-MRAM)并使之标准化，从而成为采用450毫米晶圆工艺的该芯片市场的领军
-
海力士与三星欲推3-bit-per-cell NAND，或对SanDisk不利
韩国海力士(Hynix)半导体和三星(Samsung)电子各自都在加紧努力，开发每单元三位(3-bit-per-cell)的NAND闪存。据《Chosun Ilbo》报道，海力士在6月4日开发出了一款采用3-bit-per-cell技术的32GB NAND闪存。
-
海力士停电事故未拉起内存价格 仍会持续下跌
尽管海力士半导体公司(Hynix)工厂上周停电，Avian证券公司的研究主管Avi Cohen预计DRAM和NAND闪存的价格仍会出现下跌现象。他认为，在未来两到四周内，内存价格下跌的导火索，是原始设备制造商以及模块制造商的库
