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陕西光电子先导院携“新质生产力”成果亮相慕尼黑上海光博会
2024年慕尼黑上海光博会于3月20-22日举行，陕西光电子先导院科技有限公司携VCSEL单孔晶圆、VCSEL阵列晶圆、砷化镓（GaAs）IPD晶圆、氮化镓（GaN）HEMT晶圆4项成果亮相，展位上的各项产品吸引了众多参观者驻足、交流。
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关于MOCVD、HTCVD 和 MBE 在内的外延设备发展状态，释放分子束外延的潜力
对更强大和更节能设备的空前需求刺激了对砷化镓、氮化镓和碳化硅等化合物半导体的需求。这种材料需要通过外延生长的超纯薄膜。尽管分子束外延 (MBE) 是三种外延设备之一，长期以来一直被认为是利基市场，但它已准备好过渡到批量应用。
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砷化镓智能芯片项目落户山西，投资规模超10亿
据业内信息，近日在山西太原举行了太忻一体化经济区推介会，大约有十几个合作项目签约成功，其中第2代半导体砷化镓面射型智能应用芯片研发生产项目落户山西，总投资规模超10亿元。
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三安集成砷化镓代工平台助力WiFi 6E推广，加速新一代智能局域网络技术落地
厦门2022年6月30日 /美通社/ -- 随着WLAN技术的发展，室内场景更倾向于依赖无线通信技术，2021年互联网约有50%的数据流量采用WiFi接入（来源：思科网络）。庞大的流量和接入需求推动着无线通信技术的发展，Wi...
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三安集成砷化镓代工平台助力WiFi 6E推广
（全球TMT2022年6月30日讯）三安集成凭借成熟的GaAs HBT/p-HEMT工艺平台，是目前国内唯一一家有能力量产WiFi 6E芯片的企业。目前，三安集成已与国内头部射频企业达成深度合作，实现多款WiFi 6E前端模块的量产，产品覆盖18.5-23.5dBm中高功率等级...
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半导体芯片
半导体芯片：在半导体片材上进行浸蚀，布线，制成的能实现某种功能的半导体器件。不只是硅芯片，常见的还包括砷化镓(砷化镓有毒，所以一些劣质电路板不要好奇分解它)，锗等半导体材料。半导体也像汽车有潮流。二十世纪七十年代，因特尔等美国企业在动态随机存取内存(D-RAM)市场占上风。但由于大型计算机的出现，需要高性能D-RAM的二十世纪八十年代，日本企业名列前茅。
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稳懋半导体今年5月营收达4.73亿元 同比增长42%
6月9日消息，全球最大砷化镓晶圆代工服务公司稳懋半导体公布了5月营收数据。 稳懋半导体 稳懋半导体5月合并营收为新台币19.85亿元（约合人民币4.73亿元），年成长率及月成长率分别为42%及-1%
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稳懋半导体今年3月营收达4.88亿元 同比增长66.42%
4月7日消息，全球最大砷化镓晶圆代工服务公司稳懋半导体日前公布了3月营收数据。 稳懋 稳懋半导体3月合并营收为新台币20.79亿元（约合人民币4.88亿元），同比增长66.42%，环比增长5.86%
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半导体材料的全方位解读，你真的了解吗？
说到半导体，你真的了解半导体材料吗?自然界中的物质，根据其导电性能的差异可划分为导电性能良好的导体(如银、铜、铁等)、几乎不能导电的绝缘体(如橡胶、陶瓷、塑料等)和半导体(如锗、硅、砷化镓等)。半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的一种物质。它的导电能力会随温度、光照及掺入杂质的不同而显著变化，特别是掺杂可以改变半导体的导电能力和导电类型，这是其广泛应用于制造各种电子元器件和集成电路的基本依据。
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国际研究团队利用砷化镓纳米颗粒 成功制备出一种超快可调谐超材料
研究人员首先制备出由半导体纳米颗粒阵列组成的砷化镓薄膜，之后利用电子束光刻技术和等离子体刻蚀技术，制备出砷化镓基超材料。
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俄美德三国科学家联合成功制备超快可调谐超材料
俄罗斯莫斯科大学(Moscow State University)、美国桑迪亚国家实验室(Sandia National Laboratories)和德国弗里德里希-席勒大学(Friedrich-Schiller University)研究人员组成的国际研究团队利用砷化镓纳米颗粒，成功制备出一种超快可调谐超材料。
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紫外线能带给半导体器件行业什么变化
两位科学家的一个发现可以推进下一代半导体器件的发展。能源部国家可再生能源实验室(NREL)两位科学家的发现可以帮助下一代半导体器件的发展。
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IDT全新电压可变衰减器 可提供比砷化镓产品高达1,000倍的线性度改进
低插入损耗、高线性度的全新RF电压可变衰减器支持1MHz 到6GHz，扩展了IDT公司的频率覆盖范围
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POET：砷化镓将无限延长摩尔定律寿命
近日消息，美过POET Technologies 预言，砷化镓(Gallium arsenide，GaAs)很快就会取代矽，成为高性能晶片的材料选择;而曾任职于贝尔实验室(Bell Labs)的该公司共同创办人暨首席科学家Geoff Taylor表示，上述论点自19
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GaAs芯片将成为未来移动终端的首选芯片
【导读】GaAs芯片将成为未来移动终端的首选芯片 GaAs芯片得到广泛应用 世界著名的数字信号芯片制造商CSR公司近日在接受记者采访时透露，随着数字芯片技术的不断进步，砷化镓（galliumarsenide ， GaAs）
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CMOS跨越砷化镓雷池 进军PA
【导读】传统功率放大器（PA）均是以砷化镓（GaAs）制作为主，CMOS多难跨越雷池一步。然而目前CMOS制程终于堂而皇之跨入功率放大器的领域之中，并陆续有相关厂商发表最新产品。专为无线应用提供功率放大器技术的无晶
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日本强震 台湾供应紧张 5月底晶圆材料恐断链
【导读】台湾主要半导体厂第1季底时手中仍有1.5至2个月库存，撑到6月中下旬应该没有太大问题。但是，日本夏日限电政策，导致当地供应商无法全产能运行，若晶圆代工新订单持续涌入，导致库存快速去化，5月底就会发生晶
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Peregrine：CMOS将打破GaAs在RF的地位
Peregrine最新推出了一款UItraCMOS Global 1全集成系统解决方案，它采用Peregrine的130纳米RF-SOI工艺技术的UItraCMOS 10工艺技术平台。这是业界又一次对GaAs RF器件提出了挑战。 Global 1集成了三通道多模多频段功
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半导体所在半导体材料砷化镓/锗中拓扑相方面获重要发现
中国科学院半导体研究所常凯研究组，提出利用表面极化电荷在传统常见半导体材料GaAs/Ge中实现拓扑绝缘体相。通过第一性原理计算和多带k.p理论成功的证明了GaAs/Ge极化电荷诱导的拓扑绝缘体相，这为拓扑绝缘体的器件应
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半导体所在砷化镓/锗中拓扑相研究方面获重要发现
中国科学院半导体研究所常凯研究组提出利用表面极化电荷在传统常见半导体材料GaAs/Ge中实现拓扑绝缘体相。通过第一性原理计算和多带k.p理论成功地证明了GaAs/Ge极化电荷诱导的拓扑绝缘体相，这为拓扑绝缘体的器件应用
