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砷化镓太阳能电池有望打破能效记录
美国科学家通过与传统科学研究相反的新思路，用砷化镓制造出了最高转化效率达28.4%的薄膜太阳能电池。该太阳能电池效率提升的关键并非是让其吸收更多光子而是让其释放出更多光子，未来用砷化镓制造的太阳能电池有望突
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砷化镓太阳能电池有望打破能效记录
美国科学家通过与传统科学研究相反的新思路，用砷化镓制造出了最高转化效率达28.4%的薄膜太阳能电池。该太阳能电池效率提升的关键并非是让其吸收更多光子而是让其释放出更多光子，未来用砷化镓制造的太阳能电池有望突
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乾照光电：行业调整中 压力与机遇并存
乾照光电于10月26日公布了2011年三季度报，1-9月公司实现营业总收入为2.76亿元，同比增长32.72%；归属于上市公司股东净利润1.31亿元，同比增长37.45%。实现每股收益为0.44元，同比增长4.76%。其中第三季度公司实现营
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无线基础设施被视为日益增长的砷化镓集成电路市场
随着移动数据消费的持续猛增，运营商正在改进其无线基础设施网络架构，以支持日益增长的数据需求，根据Strategy Analytics公司（波士顿）报告。该公司的最新报告关于砷化镓和复合半导体市场的预测，像多输入/多输出（
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无线基础设施被视为日益增长的砷化镓集成电路市场
根据市场战略研究公司StrategyAnalytics分析：全球无线网络基础设施中使用砷化镓（GaAs）半导体的市场预计将增长，从2011年的大约2.05亿美元达到2015年约为3.2亿美元。随着移动数据消费的持续猛增，运营商正在改进其
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单电源砷化镓场效应晶体管功率放大器
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乾照光电：4年增值20倍 谱写创投资本传奇
乾照光电曾经创下中国新股上市的一个传奇，从2006年成立到创业板上市，只用了4年时间。 与此同时，乾照光电也写下了创投资本的传奇。成立仅一年，知名的创投机构红杉资本便专为入股乾照光电单独成立红杉资本中国II基
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CMOS PA陷入成本和性能两难 “单芯片手机”梦受阻
在基带、电源管理和射频收发等关键器件相继被CMOS工艺集成后，采用砷化镓工艺的功率放大器（PA），成为CMOS工艺通向真正的“单芯片手机”的最后堡垒。多家初创公司一直致力用CMOS PA替代砷化镓PA，其中AXI
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射频集成电路CAD讨论
文章主要介绍了当前射频集成电路研究中的半导体技术和CAD技术，并比较和讨论了硅器件和砷化镓器件、射频集成电路CAD和传统电路CAD的各自特点。 近年来，无线通信市场的蓬勃发展，特别是移动电话、无线因特网接入业
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晶圆材料 5月底恐断链
日本 311强震至今已逾1个月，就在日本科技大厂开始陆续复工之际，近日内强度在6级以上的强烈余震不断，夏日限电问题又是箭在弦上，包括半导体用12寸矽晶圆、磊晶晶圆、砷化镓（GaAs）等化合物半导体晶圆等材料，供货
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晶圆材料缺货问题难解决
日本 311强震至今已逾1个月，就在日本科技大厂开始陆续复工之际，近日内强度在6级以上的强烈余震不断，夏日限电问题又是箭在弦上，包括半导体用12寸矽晶圆、磊晶晶圆、砷化镓(GaAs)等化合物半导体晶圆等材料，供货短
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晶圆材料 5月底恐断链
日本 311强震至今已逾1个月，就在日本科技大厂开始陆续复工之际，近日内强度在6级以上的强烈余震不断，夏日限电问题又是箭在弦上，包括半导体用12寸矽晶圆、磊晶晶圆、砷化镓（GaAs）等化合物半导体晶圆等材料，供货
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晶圆材料 5月底恐断链
日本311强震至今已逾1个月，就在日本科技大厂开始陆续复工之际，近日内强度在6级以上的强烈余震不断，夏日限电问题又是箭在弦上，包括半导体用12寸矽晶圆、磊晶晶圆、砷化镓（GaAs）等化合物半导体晶圆等材料，供货短
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晶圆材料 5月底恐断链
日本311强震至今已逾1个月，就在日本科技大厂开始陆续复工之际，近日内强度在6级以上的强烈余震不断，夏日限电问题又是箭在弦上，包括半导体用12寸矽晶圆、磊晶晶圆、砷化镓（GaAs）等化合物半导体晶圆等材料，供货短
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美方称新一代电子芯片将给军事电子市场带来革命性进展
美国《防务新闻》周刊网站2月28日报道 原题：经过长时间研发，国防业有了高性能芯片(记者戴夫·马宗达)美国国防工业及政府官员表示，新一代电子芯片将注定给军事电子市场带来革命性的变化。美国国防部高级研究
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下游客户提前备货 砷化镓磊晶第1季需求旺
胡皓婷／台北 目前虽是产业传统淡季，但砷化镓(GaAs)产业最上游的磊晶(epi)供应商则未受到季节性循环冲击，显示下游客户后续需求畅旺，导致厂商纷纷提前备货所致。 从砷化镓晶圆代工厂以及国际级整合元件厂(IDM)的
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聚光技术商业应用扬帆 上市企业拥有先动优势
聚光技术（CPV）是使用透镜或反射镜面等光学元件，将大面积的阳光汇聚到一个小面积的太阳能电池片上进行发电的太阳能发电技术。实际上，晶硅电池也可以在低倍聚光条件下发电，但我们平时所说的聚光技术主要指在高倍聚
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2011年智能手机厂商扩展PA供应商名单
DIGITIMES Research指出，受惠于智能手机（Smartphone）出货量在2010年大放光采，也同步带动功率放大器（PA）产品的需求。不过，因国际砷化镓（GaAs）大厂产能扩充不及，导致在2010全年间功率放大器一直处
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缺货余悸未了，2011年手机厂商扩展PA供应商名单
showAd(2009080513234060,236,236); DIGITIMES Research指出，受惠于智能手机(Smartphone)出货量在2010年大放光采，也同步带动功率放大器(PA)产品的需求。不过，因国际砷化镓(GaAs)大厂产能扩充不及，导致在2010全
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台系业者投入砷化镓晶圆代工领域
目前台系砷化镓(GaAs)晶圆代工厂多耕耘HBT(HeterojunctionBipolarTransistor)以及pHEMT(PseudomorphicHighElectronMobilityTransistor)制程。砷化镓HBT的特性在于线性度与高电流增益，具功率放大倍率佳、待机耗电流低
