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欧盟公布反倾销调查名单 无重庆光伏企业
今年以来，我国光伏企业厄运连连，接连遭到欧盟、美国两大出口市场反倾销、反补贴大棒的打击。昨日，欧盟公布了反倾销立案的中国应诉企业名单。记者发现，欧盟公布的接受抽
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Altera支持硅片融合实现的混合系统架构
20nm硅片技术可支持高密度设计和高功效系统的同时实现。它可以在单片管芯以及多芯片3D硅片器件中集成规模更大、更复杂的硅片功能。多种系统功能，一种架构您经过优化的数字系统可以使用下图所示的一项或者多项硅片技
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赛维LDK Q2营收同比降52.86% 运营亏损率73.4%
近日，赛维LDK公布了2012年Q2季报，主要数据如下：总营收2.354亿美元，上一季度为2亿美元，去年同期为4.994亿美元，同比下降52.86%；硅片出货量为316.7MW，电池和组件出货量为135.6MW；多晶硅总产量538.1公吨；硅片总
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赛维LDK Q2营收同比降52.86% 运营亏损率73.4%
近日，赛维LDK公布了2012年Q2季报，主要数据如下：总营收2.354亿美元，上一季度为2亿美元，去年同期为4.994亿美元，同比下降52.86%；硅片出货量为316.7MW，电池和组件出货量为135.6MW；多晶硅总产量538.1公吨；硅片总
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降低太阳能电池成本新法，硅片厚度减少90%以上
降低太阳能电池成本新法，硅片厚度减少90%以上
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制作压力传感器中用到的简易双面光刻对准技术
在压力传感器的微细加工技术中要求在样品背面的掩膜上光刻出压力腔窗口的图形而且与正面图形严格对准。待别是在设计时必须将力敏电阻安排在膜内；有时离开膜边的距离仅为30P”。正反图形错开时，力敏电阻条对压
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多晶硅巨头保利协鑫公布上半年业绩
国内最大的新能源企业之一保利协鑫今日在港交所公布上半年业绩。今年上半年，保利协鑫实现收益117.82亿港币，同比下滑22.4%;毛利16.89亿，同比下滑71.2%;最终亏损3.3亿港币，而去年同期盈利35.5亿。 保利协鑫上
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多晶硅巨头保利协鑫公布上半年业绩
国内最大的新能源企业之一保利协鑫今日在港交所公布上半年业绩。今年上半年，保利协鑫实现收益117.82亿港币，同比下滑22.4%;毛利16.89亿，同比下滑71.2%;最终亏损3.3亿港币，而去年同期盈利35.5亿。 保利协鑫上
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宜昌南玻高效多晶HM硅片量产
2012年7月，宜昌南玻硅片厂成功推出一款核心产品----高效多晶HM硅片，具有晶粒粒径均匀、少子寿命高等优点。该硅片制成的太阳能电池平均转换效率达到17.1%-17.5%，目前市场上多晶硅片的平均转换率一般在16.8%-17.0%，
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宜昌南玻高效多晶HM硅片量产
2012年7月，宜昌南玻硅片厂成功推出一款核心产品----高效多晶HM硅片，具有晶粒粒径均匀、少子寿命高等优点。该硅片制成的太阳能电池平均转换效率达到17.1%-17.5%，目前市场上多晶硅片的平均转换率一般在16.8%-17.0%，
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MEMS压力传感器综合性能分析
MEMS压力传感器是基于 MEMS（微机电）技术，建立在微米/纳米基础上，在单晶硅片上刻融制作惠斯登电桥组成的硅应变计，这样制造的压力传感器具有输出灵敏度高，性能稳定，批量可靠性、重复性好等优点。下面从传感器的
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2012年第二季度硅片出货量增加
SEMI协会下属全球硅制造商组织（SMG）分析显示，2012年第二季度的全球硅晶片出货总面积较第一季度与去年同期都有所增长。2012年第二季度的硅片出货总面积达到了24.47亿平方英寸，较第一季度的20.33亿平方英寸增长了2
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2012年第二季度硅片出货量增加
SEMI协会下属全球硅制造商组织（SMG）分析显示，2012年第二季度的全球硅晶片出货总面积较第一季度与去年同期都有所增长。2012年第二季度的硅片出货总面积达到了24.47亿平方英寸，较第一季度的20.33亿平方英寸增长了2
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2012年第二季度硅片出货量增加
2012年8月13日，加利福尼亚州圣何塞---据SEMI协会属下的全球硅制造商组织（SMG）关于硅晶片产业的季度分析显示，2012年第二季度的全球硅晶片出货总面积较第一季度有所增长。 2012年第二季度的硅片出货总面积达到了
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2012年第二季度硅片出货量增加
2012年8月13日，加利福尼亚州圣何塞---据SEMI协会属下的全球硅制造商组织（SMG）关于硅晶片产业的季度分析显示，2012年第二季度的全球硅晶片出货总面积较第一季度有所增长。2012年第二季度的硅片出货总面积达到了24.
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2012年第二季度硅片出货量增加
2012年8月13日，加利福尼亚州圣何塞---据SEMI协会属下的全球硅制造商组织（SMG）关于硅晶片产业的季度分析显示，2012年第二季度的全球硅晶片出货总面积较第一季度有所增长。2012年第二季度的硅片出货总面积达到了24.
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制作压力传感器中用到的简易双面光刻对准技术
在压力传感器的微细加工技术中要求在样品背面的掩膜上光刻出压力腔窗口的图形而且与正面图形严格对准。待别是在设计时必须将力敏电阻安排在膜内；有时离开膜边的距离仅为30P”。正反图形错开时，力敏电阻条对压
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日本：DISCO欲将半导体制造装置产能提高一倍
据日本媒体报道，DISCO于8月7日发布消息称，将在主力的桑畑工厂(广岛县吴市)建设新厂房，力争将半导体制造及研磨装置的产能提高一倍。投资额约为110亿日元(约合1.4009亿美元)，预计于2014年10月竣工。DISCO此次提高产
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我国首台单晶硅片多线切割机面世
中国电子科技集团第四十五研究所开发的“太阳能级单晶硅材料多线切割机”近日通过了河北省科技厅组织的专家验收。专家组一致认为：四十五所开发的具有完整自主知识产权的“太阳能级单晶硅材料多线
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我国首台单晶硅片多线切割机面世
中国电子科技集团第四十五研究所开发的“太阳能级单晶硅材料多线切割机”近日通过了河北省科技厅组织的专家验收。专家组一致认为：四十五所开发的具有完整自主知识产权的“太阳能级单晶硅材料多线
