国硕硅晶片订单供不应求国硕科技基于太阳能产业发产之趋势,为扩大生产规模并降低相关成本,以提升竞争力与投资价值,今年10月份收购国内主要太阳能硅晶片厂商「威富光电」,并取得该公司100%股权。「威富光电」纳入
据电子时报报道,环球晶圆(GlobalWafers)子公司中美硅晶制品(SAS)总裁Doris Hsu在11月12日投资者会议上说,公司已成为第六大半导体级硅片生产商,占全球市场份额的7.35%,而SAS持有98.6%的股权。 Hsu表示,
经历了糟糕的2012年后,2013年多晶硅市场的前景是否会好一些?马克?奥斯本(MarkOsborne)对此进行了深入调查。一年前,《SolarBusinessFocus》创刊之际,我们提供了关于光伏多晶硅产业详尽的最新消息,以及产能过剩正
中国有色金属工业协会对中色(宁夏)东方集团有限公司完成的极大规模集成电路300mm硅片工艺用溅射靶材研发与产业化项目进行了鉴定,该项目整体技术已达到国际先进水平,打破了发达国家对集成电路用高端靶材的垄断。据了
日前,中国有色金属工业协会对中色(宁夏)东方集团有限公司完成的极大规模集成电路300mm硅片工艺用溅射靶材研发与产业化项目进行了鉴定,该项目整体技术已达到国际先进水平,打破了发达国家对集成电路用高端靶材的垄断
今年初,美国有关方面宣布,将在5年内创建6大微电子研究中心,以维持其在世界微电子领域的领导地位。未雨绸缪。近来世界各军事强国为抢占微电子领域战略制高点,已形成群雄逐鹿、“狂沙”席卷之势。日本曾提出,谁控
今年初,美国有关方面宣布,将在5年内创建6大微电子研究中心,以维持其在世界微电子领域的领导地位。未雨绸缪。近来世界各军事强国为抢占微电子领域战略制高点,已形成群雄逐鹿、“狂沙”席卷之势。日本曾提出,谁控
今年初,美国有关方面宣布,将在5年内创建6大微电子研究中心,以维持其在世界微电子领域的领导地位。未雨绸缪。近来世界各军事强国为抢占微电子领域战略制高点,已形成群雄逐鹿、“狂沙”席卷之势。日本曾提出,谁控
今年初,美国有关方面宣布,将在5年内创建6大微电子研究中心,以维持其在世界微电子领域的领导地位。未雨绸缪。近来世界各军事强国为抢占微电子领域战略制高点,已形成群雄逐鹿、“狂沙”席卷之势。日本曾提出,谁控
近日,欧盟贸易专员卡瑞尔?德古特(KareldeGucht)表达了他对中欧投资协议的支持,但是他避而不谈正在进行的中国反补贴调查这一话题。而反补贴调查结果将很快公布。欧盟贸易专员卡瑞尔?德古特负责商定了中国光伏组件
近日,欧盟贸易专员卡瑞尔?德古特(Karel de Gucht)表达了他对中欧投资协议的支持,但是他避而不谈正在进行的中国反补贴调查这一话题。而反补贴调查结果将很快公布。欧盟贸易专员卡瑞尔?德古特负责商定了中国光伏组件
制造更高效率的太阳能产品并提升整体成品率最新技术让应用材料公司走在制造高效低成本电池的前列系统更先进的精度和工艺控制实现高重复性和高成品率新系统利用经市场检验行之有效的 Solion 平台2013 年 9 月 30 日法
美国新兴企业Scifiniti日前开发出一款低成本SmartWafer智能硅片,据称可提高晶硅产品性能并大幅降低成本。SmartWafers智能硅片具有30微米厚的高质量多晶硅活跃层针对问题为持续下调成本并促进太阳能发电的发展,整个
大全延迟公布2季报到9月11日。我们认为主要的原因在于和审计师讨论万州资产减值的尺寸。除去大全拥有的石河子5000吨产能,大全在万州有超过4300吨多晶硅产能(账面资产超过20亿人民币)。我们认为此次减值的额度大约在
从全球来看,军用科技的发展在某种程度上一直领先于民用科技。20世纪90年代,美国政府率先采用各种有力措施,加速军用技术转民用项目和军民两用技术项目开发。在我国,目前军用技术转民用还处于缓步推进阶段。2009年
欧盟委员会本周二(27)披露了对中国光伏反倾销调查的终裁结果,硅片(wafers)被排除出本次调查,这意味着今后出口到欧盟的硅片将不受反倾销的约束。然而据环球律师事务所合伙人杭国良律师介绍,由于硅片被排除出反倾销
美国纳米工程研究中心(CRNE)的一个研究组与巴塞罗那大学电子工程系的研究人员共同开发出一种更便捷更便宜的晶体硅制备方法。他们的研究成果刊登在最近一期的应用物理学报上。这种很薄的硅片厚度在10微米左右,造价
半导体业已经迈入14nm制程,2014年开始量产。如果从工艺制程节点来说,传统的光学光刻193nm浸液式采用两次或者四次图形曝光(DP)技术可能达到10nm,这意味着如果EUV技术再次推迟应用,到2015年制程将暂时在10nm徘徊。
半导体业已经迈入14nm制程,2014年开始量产。如果从工艺制程节点来说,传统的光学光刻193nm浸液式采用两次或者四次图形曝光(DP)技术可能达到10nm,这意味着如果EUV技术再次推迟应用,到2015年制程将暂时在10nm徘徊。
半导体业已经迈入14nm制程,2014年开始量产。如果从工艺制程节点来说,传统的光学光刻193nm浸液式采用两次或者四次图形曝光(DP)技术可能达到10nm,这意味着如果EUV技术再次推迟应用,到2015年制程将暂时在10nm徘徊。