存储行业随着物联网时代的来临也迎来了一波新的发展机遇,近日,根据最新消息显示,美系存储巨头,美光的第四代3D NAND芯片完成首批流片,新一代产品基于美光全新研发的替代栅极架构,将于明年开始小范围量产
华为作为美光最大的客户之一,美国将华为列入实体名单一事对美光产生了非常严重的影响,美光业绩已经逐渐露出下滑趋势,上周五美光股价大跌近7%,南亚科、华邦电、威刚等存储器企业也纷纷走低。 近期DRAM及N
美光宣布,已经完成第四代3D NAND闪存的首次流片,应用了全新的替换栅极(RG)架构,并计划在明年投入量产。 美光第四代3D闪存堆叠了最多128层,继续使用阵列下CMOS设计思路,不过美光与Inte
9月29日消息,据国外媒体报道,存储芯片及存储解决方案提供商美光科技的财报显示,他们在2019财年营收234亿美元,不到2018财年的8成。 美光科技的财报是在近日发布的,他们在发布第四财季财报的同
美国对华为的打压已经给美国半导体公司带来了严重的负面影响。 美光日前发布了2019财年Q4季度财报,当季营收48.7亿美元,环比增长2%,同比下滑了42%,净利润直接从去年同期的43亿跌到了5.6亿,
2019年国产内存实现了0的突破,合肥长鑫前不久宣布量产10nm级DDR4内存,核心容量8Gb。除此之外,另外一家存储芯片公司兆易创新也宣布研发内存,10.1日该公司宣布融资43亿元,主要用于研发1Xnm工艺的内存芯片。 根据兆
近年来,中国在内存、存储领域不断取得新突破。紫光旗下长江存储正式量产32层堆叠NOR Flash闪存之后,NOR Flash闪存也迎来好消息。 CINNO Research公布的最新数据显示,2019
8月26日下午消息,据报道,全球第三大存储芯片厂商美光(Micron)将在台中兴建两座晶圆厂,使用下代最新制程工艺生产DRAM,总投资额高达新台币4000亿元(约人民币909亿元)。 报道称,这是继
存储器半导体巨头美光持续推动攻击性投资,韩国2大半导体企业三星电子、SK海力士则密切关注市场变化,调节投资速度。据韩媒《朝鲜日报》报道,市调公司IC Insights日前预测,今年DRAM设备投资规模
为了满足未来在5G时代中包括人工智能、物联网、智能驾驶等应用的需求,全球第三大DRAM制造商之一的美光(Micron)将斥资超过新台币4,000亿元(约人民币909亿元),在台中中科厂区兴建两座晶圆厂
从去年Q4季度开始,全球内存也从牛市转向了熊市,价格开始下滑,一直持续到今年Q2季度,据DRAMeXchange统计,Q2季度全球内存价格也跌了10%,全球产值也下滑了9.1%。 不过Q2季度已经是过
继此前Intel、高通等美国芯片大厂暂停与华为合作之后,当地时间5月29日,美国内存芯片大厂美光科技也正式发出声明,宣布暂停向华为供货。美光在这份声明中指出,作为一家拥有全球业务的美国企业,美光尊重并
根据国外科技媒体报导指出,日前美系存储器大厂美光科技(Micron)正式宣布,将采用第3代10纳米级制程(1Znm)来生产新一代DRAM。而首批使用1Znm制程来生产的DRAM将会是16GB的DDR4及LPDDR4X存储器。对此,市场预估,美光的该项新产品还会在2019年底前,在美光位于中国台湾台中的厂区内建立量产产线。
8月19日讯,美光宣布1z nm制程存储芯片量开始产,器件功耗降低40%。
继英特尔、高通、赛灵思、博通等美国科技大企之后,内存芯片大厂美光科技5月29日也发出声明正式暂停向华为供货。美光(Micron)发布正式声明指出,遵守美国及各营运据点所在国家的所有法律与法规,目前已暂
6月中旬全球第二大闪存供应商东芝在日本5座NAND闪存工厂遭遇断电事故,导致部分工厂要停产到这个月,再加上本月初爆发的日本与韩国之间的贸易制裁,连跌了6个季度的闪存市场存在着多种不确定性。 影响闪存价
最担心的事情还是来了,自从前几天内存现货价格首次出现10个月来的涨价之后,这几天现货价格连续上涨了。尽管半导体研究中心(DRAMeXchange)上周才给内存涨价泼了一盆冷水,指出价格跌幅从之前的10
6月30日消息 在本周早些时候与投资者和金融分析师召开的收益电话会议上,美光对其长期未来及对其产品的强劲需求表示了信心,该公司还概述了扩大产能的计划,并迅速转向更先进的工艺技术。 美光表示,“我们相
6月中旬全球第二大闪存供应商东芝在日本5座NAND闪存工厂遭遇断电事故,导致部分工厂要停产到这个月,再加上本月初爆发的日本与韩国之间的贸易制裁,连跌了6个季度的闪存市场存在着多种不确定性。影响闪存价格走势的还
一款产品要获得大众的认可,通常要在技术和性能、价格之间达到一个很好的平衡,硬盘从SLC、MLC、TLC、QLC……不同闪存规格一路走下来,性能强劲并不是第一