英飞凌
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英飞凌推出具备低动态电阻和超低电容的TVS器件
21ic讯 英飞凌科技股份公司日前推出一系列可为移动电子系统提供一流静电释放(ESD)保护的瞬态电压抑制(TVS)器件。ESD102 TVS二极管和阵列器件具备非常低的动态电阻(Rdyn = 0.19Ω)和超低电容(C = 0.4pF)，可使
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英飞凌携手华为进行战略合作 启动华为-英飞凌网络能源联合实验室
21ic讯 英飞凌科技股份公司和华为技术有限公司今天宣布，双方将在新一代通信电源和数据中心能源开发领域进行战略合作，同时启动华为-英飞凌网络能源联合实验室。在通信电源和数据中心能源开发领域，华为选择英飞凌
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英飞凌携手华为进行战略合作，启动华为－英飞凌网络能源联合实验室
2013年6月4日，中国深圳讯——英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）和华为技术有限公司今天宣布，双方将在新一代通信电源和数据中心能源开发领域进行战略合作，同时启动华为-英飞凌网络能源联合实验室。在
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英飞凌为台湾电子护照项目提供安全芯片
21ic讯 2013年6月3日，德国纽必堡讯—英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)今日宣布为台湾电子护照项目提供安全芯片。英飞凌是该项目唯一的安全芯片供应商，已开始装运基于数字安全技术“Integr
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英飞凌推出采用突破性超结技术的CoolMOS™ C7，为硬开关应用带来全球最低的通态电阻
21ic讯 英飞凌科技股份公司进一步壮大其高压产品组合，推出采用全新650V超结MOSFET技术的CoolMOSTM C7。全新的C7产品家族针对所有标准封装实现了一流的通态电阻RDS(on)。另
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英飞凌发布2013财年第二季度财报
英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)近日发布了2013财年第二季度(截至2013年3月31日)的财务数据。 英飞凌科技股份公司首席执行官 Reinhard Ploss博士称：“上一季度，公司营收和利润率出现了喜人的
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英飞凌发布2013财年第二季度财报
英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)近日发布了2013财年第二季度(截至2013年3月31日)的财务数据。英飞凌科技股份公司首席执行官 Reinhard Ploss博士称：“上一季度，公司营收和利润率出现了喜
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NFC芯片应用强劲 国外芯片厂商百花齐放
NFC(NearFieldCommunication)是以RFID(RadioFrequencyIdentification)标准为基础所衍生的短距离无线通讯技术，工作频段为13.56MHz，通讯采用电磁感应方式。今年智能手机新品可望加速采用结合近场无线通讯(NFC)和其他
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英飞凌与GF合作开发40nm嵌入式闪存工艺
英飞凌科技与GLOBALFOUNDRIES 公司宣布，双方围绕40纳米(nm)嵌入式闪存(eFlash)工艺，签订一份合作技术开发与生产协议。双方合作的重点是立足于英飞凌的嵌入式闪存单元设计以及采用40纳米工艺制造汽车单片机和安全微
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英飞凌推出采用超小型SOT23封装TLE496x霍尔传感器
21ic讯 英飞凌科技股份公司推出了针对要求最高精度、最低能耗和最小空间的汽车和工业应用的霍尔传感器。全新TLE496x传感器提供全球最小的霍尔传感器封装(SOT23)。该产品以英飞凌开发的全新0.35µm工艺技术为基础
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英飞凌与GLOBALFOUNDRIES宣布展开合作
英飞凌科技与GLOBALFOUNDRIES 公司宣布，双方围绕40纳米(nm)嵌入式闪存(eFlash)工艺，签订一份合作技术开发与生产协议。双方合作的重点是立足于英飞凌的嵌入式闪存单元设计以及采用40纳米工艺制造汽车单片机和安全微
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英飞凌与GLOBALFOUNDRIES建立开发和生产合作
英飞凌科技(FSE: IFX / OTC QX: IFNNY)与GLOBALFOUNDRIES 公司日前宣布，双方围绕40纳米(nm)嵌入式闪存(eFlash)工艺，签订一份合作技术开发与生产协议。双方合作的重点是立足于英飞凌的嵌入式闪存单元设计以及采用40
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英飞凌与格罗方德共同开发40nm嵌入式Flash制程
英飞凌科技与格罗方德公司 (Globalfoundries Inc.) 今日宣佈共同开发并合作生产 40 奈米 (nm) 嵌入式快闪记忆体 (eFlash) 製程技术。这项合作案将着重于以英飞凌 eFlash 晶片设计为基础的技术开发，以及採用 40nm 製
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英飞凌与GLOBALFOUNDRIES宣布围绕40纳米嵌入式闪存工艺展开合作
英飞凌科技与GLOBALFOUNDRIES 公司今日宣布，双方围绕40纳米（nm）嵌入式闪存（eFlash）工艺，签订一份合作技术开发与生产协议。双方合作的重点是立足于英飞凌的嵌入式闪存单元设计以及采用40纳米工艺制造汽车单片机
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英飞凌与格罗方德共同开发40nm嵌入式Flash制程
英飞凌科技与格罗方德公司 (Globalfoundries Inc.) 今日宣佈共同开发并合作生产 40 奈米 (nm) 嵌入式快闪记忆体 (eFlash) 製程技术。这项合作案将着重于以英飞凌 eFlash 晶片设计为基础的技术开发，以及採用 40nm 製
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欧盟对智慧卡微晶片供应商涉嫌操纵价格展开调查
OFweek电子工程网讯：欧盟执委会宣布，已对多家智慧卡微晶片供应商可能涉及联手操纵价格一案正式展开调查。英飞凌科技、飞利浦电子、三星电子与瑞萨科技公司（Renesas）证实，收到欧盟反托辣斯当局通知，指控它们
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嵌入式厂商各出奇招 MCU方案百花齐放
受到汽车电子、医疗电子、智能能源、智能工业以及智能电网热潮驱动，MCU进入快速增长通道。全球嵌入式厂商纷纷摩拳擦掌争推出各具竞争力技术产品，完善嵌入式产品适应日益复杂的市场应用需求。车用MCU、电机/马达控制
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三星等公司涉嫌操纵智能卡微芯片价格 欧盟将调查
北京时间4月23日消息，据彭博社报道，三星电子、飞利浦等公司涉嫌串谋操纵智能卡微芯片价格，已经接到欧盟反垄断投诉通知。欧盟委员会周一表示，他们已向多家公司发去了异议声明，并指出“这些公司可能参与了卡特尔组
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ASML上季报喜 欧芯片股庆贺
欧洲半导体设备大厂荷商艾司摩尔(ASML)上季营收净利双双优于预测，并且维持今年前景看法，带动市场看好芯片业将展现复苏预期，推升欧洲芯片股周四大涨。 艾司摩尔周四大涨4.85%至55.1欧元，在欧洲科技指数SX8P中表现
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半导体设备大厂ASML上季报喜 欧芯片股庆贺
欧洲半导体设备大厂荷商艾司摩尔(ASML)上季营收净利双双优于预测，并且维持今年前景看法，带动市场看好芯片业将展现复苏预期，推升欧洲芯片股周四大涨。艾司摩尔周四大涨4.85%至55.1欧元，在欧洲科技指数SX8P中表现居
