台积电24日宣布已将低耗电工艺纳入28纳米高介电层/金属闸(High-k Metal Gate,HKMG)工艺的技术蓝图,预计于2010年第三季进行试产(Risk Production)。台积电自2008年九月发表28纳米技术以来,技术的发展与进入量产的时
台积电24日宣布率业界之先,不但达成28纳米64Mb SRAM试产良率,而且分别在28纳米高效能高介电层/金属闸(简称28HP)、低耗电高介电层/金属闸(简称28HPL)与低耗电氮氧化硅(简称28LP)等28纳米全系列工艺验证均完成相同的
台积电24日宣布已将低耗电工艺纳入28纳米高介电层/金属闸(High-k Metal Gate,HKMG)工艺的技术蓝图,预计于2010年第三季进行试产(Risk Production)。台积电自2008年九月发表28纳米技术以来,技术的发展与进入量产的时
引 言有潜在缺陷的芯片有可能通过生产测试,但是在实际应用中却会引起早期失效的问题,进而引起质量问题。为了避免这个问题,就需要在产品卖给客户之前检测出这种有问题的芯片。一般的检测技术包括Burn—in、IDDQ测试
据日本共同社报道,日本大型家电卖场“上新电机”18日宣布正式涉足二手手机销售业务。据该公司透露,大型卖场销售二手手机尚属首次。报道称,上新电机计划于21日开始在关西地区的主要店铺启动手机收购及以
“目前,水晶灯仍然在扮演着它应有的角色,虽然价格贵,但倍受高端客户青睐。优质的国产一级水晶,由于价格便宜且质量与进口水晶差别无几,一直受到消费者的追宠。”中意水晶灯设计师苏盛昌深谙时下水晶灯的潮流趋势
日本京都大学大学院工学研究科的一个研究小组日前发布消息称,他们开发出一种能够大大缩短三维电子晶体制造时间的新工艺.三维电子晶体是一种能自由操纵光的新 型材料,可用来高速处理光信号以及制造超小型光集成电路片
日本京都大学大学院工学研究科的一个研究小组发布消息称,他们开发出一种能够大大缩短三维电子晶体制造时间的新工艺.三维电子晶体是一种能自由操纵光的新 型材料,可用来高速处理光信号以及制造超小型光集成电路片,在下
style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;">奥地利EV Group(EVG)开发出了在采用TSV(硅通孔)的3维层叠上低成本实现芯片与晶圆键合的技术。该方法能够大幅缩
实际应用中的电路元件要比理想电阻复杂得多,并且呈现出阻性、容性和感性特性,它们共同决定了阻抗特性。阻抗与电阻的不同主要在于两个方面。首先,阻抗是一种交流(AC)特性;其次,通常在某个特定频率下定义阻抗