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如何选择电路中的电容
通常音频电路中包括滤波、耦合、旁路、分频等电容，如何在电路中更有效地选择使用 各种不同类型的电容器对音响音质的改善具有较大的影响。 1.滤波电容 整流后由于滤波用的电容器容量较大，故必须使用电解电容。滤
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如何选择电路中的电容
通常音频电路中包括滤波、耦合、旁路、分频等电容，如何在电路中更有效地选择使用 各种不同类型的电容器对音响音质的改善具有较大的影响。 1.滤波电容 整流后由于滤波用的电容器容量较大，故必须使用电解电容。滤
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工信部公布九大行业产值：2009年生产手机6.2亿部
1月27日上午消息（李明）在今天上午举行的“2009年度工业通信业运行新闻发布会”上，工信部运行监测协调局局长辛国斌透露，2009年我国电子制造业增加值同比增长5.3%，其中生产手机6.2亿部，增长9.8%。辛国
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大日本印刷开发出铜线用量减半的金属布线膜
大日本印刷开发出了可使引线键合工序中的铜线用量减至原来约1/2的金属布线膜。将于2010年6月开始面向QFP（quad flat package）销售。大日本印刷称，由于铜价上涨等因素，“订单相当多”。大日本印刷力争2010年度销售
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电磁兼容设计注意的问题
1.1电子线路设计准则 电子线路设计者往往只考虑产品的功能，而没有将功能和电磁兼容性综合考虑，因此产品在完成其功能的同时，也产生了大量的功能性骚扰及其它骚扰。而且，不能满足敏感度要求。 电子线路的电磁
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电磁兼容设计注意的问题
1.1电子线路设计准则 电子线路设计者往往只考虑产品的功能，而没有将功能和电磁兼容性综合考虑，因此产品在完成其功能的同时，也产生了大量的功能性骚扰及其它骚扰。而且，不能满足敏感度要求。 电子线路的电磁
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肖特基二极管的结构与封装及应用
肖特基二极管分为有引线和表面安装（贴片式）两种封装形式。肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属（用钼或铝等材料制成的阻挡层）、二氧化硅（SiO2）电场消除材料、N-外延层（砷材
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特斯拉线圈的原理及制作方法
特斯拉线圈的制作前的准备和注意事项及其它： 整个制作我们以变压器功率为1000w的中型特斯拉线圈为设计标准.(放电距离:>=120cm)备注:特斯拉线圈的放电距离和功率成正比. 主要材料及大概成本: 1.高压变压器---&
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采用LGD金属箔片基板材质技术电子书将亮相CES
Skiff, LLC、Sprint Nextel 4日宣布将在2010年1月7-10日在美国拉斯维加斯所举行的消费电子展(CES)上发表业界第一款专为报纸、杂志内容设计的电子书阅读器“Skiff Reader”。Skiff Reader将是全球首款采用L
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美国陆军研制可佩戴的柔性OLED显示器
美国通用显示器公司（Universal Display）是一家磷光OLED显示器和照明技术知名开发商。10月20日，该公司宣布获得了美国陆军授予的一份小型企业创新研究（SBIR）第III阶段合同的延长合同。根据这份价值33万美元的延长
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低压断路器智能测控系统的设计与实现
0.引言 低压断路器产品主要应用在低压配电网络中，用于分配电能和保护线路、电源及用电设 备免受过载、欠电压和短路的危害，提高了供电的可靠性。低压断路器智能测控系统是集计 算机技术、智能控制技术、检测技术
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台湾联电称将于2010年下半年推出28纳米制程
台湾芯片代工厂商联电日前在美国巴尔的摩所举办的2009国际电子组件会议上表示，将于2010年下半年推出28纳米制程，采用高K金属栅极技术的半导体产品。业内人士指出，联电此举是为了追赶自己的竞争对手台积电。 据悉，
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晶圆双雄有志一同 跨足ＬＥＤ
晶圆代工龙头台积电、联电，跨足ＬＥＤ（发光二极管）有志一同，联电昨日宣布，子公司联电新投资事业，投资山东冠铨光电八百万美元，台积电昨日则是推出模块化ＢＣＤ制程，将为客户生产高电压整合发光二极管(LED)驱动
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台湾联电称将于2010年下半年推出28纳米制程
台湾芯片代工厂商联电日前在美国巴尔的摩所举办的2009国际电子组件会议上表示，将于2010年下半年推出28纳米制程，采用高K金属栅极技术的半导体产品。业内人士指出，联电此举是为了追赶自己的竞争对手台积电。据悉，早
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台湾联电称明年发展28纳米技术疑追赶台积电
台湾芯片代工厂商联电昨日在美国巴尔的摩所举办的2009国际电子组件会议上表示，将于2010年下半年推出28纳米制程，采用高K金属栅极技术的半导体产品。腾讯科技讯12月11日讯，台湾芯片代工厂商联电昨日在美国巴尔的摩所
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随意扭曲加自我修复，液态天线在美诞生
在便携式无线通讯装置的天线已经变成隐藏式之后，天线设计专家已经转向开发可挠式的金属制模块，但任何一种固态金属都有可能因为太长弯折而断裂。现在有一种液态天线(liquid antennas)，能在不施加压力的状态下变化成
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联电28奈米 明年量产
联电（2303）昨（10）日宣布在美国巴尔的摩所举办的2009国际电子组件会议（IEDM），发表28奈米制程混合型高介电系数／金属闸极（HK/MG）技术，联电预计明年下半年量产28奈米，与台积电落差拉近在半年以内。 台积电
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传台积电取消32nm工艺
据称，全球第一大半导体代工厂台积电已经完全取消了下一代32nm工艺，算上一直不顺利的40nm工艺真可谓是屋漏偏逢连夜雨了。 台积电方面尚未就此发表官方评论，不过已经有多个消息来源确认了这一点。 不过这并不意味着
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一种处理金属和介质混合结构连接边界的新方法
0 引言 由金属和均匀介质组成的混合结构在雷达散射、天线、微波工程等众多领域都有着广泛的应用。采用矩量法求解由此类问题得到的表面积分方程，是一种广泛而行之有效的数值分析方法。应用等效原理，介质散射
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