据国外媒体报道,利用闪存技术建立储存阵列的科技公司ViolinMemory,计划于下周一宣布完成规模达5000万美元的D轮融资。该公司迄今为止已累积获得投资资金8亿美元。参与此轮融资的投资者包括有:出于战略考量的日本芯
韩国三星先进技术研究所总裁兼CEO Kinam Kim 博士在2012年中国国际半导体技术大会(CSTIC2012)带来主题为“探索硅技术的前景(Exploring Si Technology’s Horizon)”的精彩演讲。Kim博士表示,闪存技术
瑞萨发布首款嵌入式闪存技术
改变IT世界三大力量之 闪存的故事 未来10年,对计算机改变最大的技术。 解决计算机硬盘性能瓶颈,正在逐步替代硬盘的闪存。 话说现代计算机,都是依据冯·诺依曼型原理开发的,俗称冯&mi
北京时间12月20日消息,据国外媒体报道,苹果已经以5亿美元价格收购了以色列闪存技术厂商Anobit。报道称,Anobit管理层正在集合员工以正式宣布公司被苹果收购的消息。上周有媒体报道称,苹果正在同Anobit进行谈判,打
试制的40nm闪存混载芯片瑞萨电子2011年12月14日宣布开发出了40nm工艺的MCU混载闪存技术。采用该技术的首款产品——车载闪存混载MCU预定2012年初秋开始样品供货。目前正在量产的闪存混载MCU,即使是最高端产
北京时间6月10日,美国闪存技术公司Fusion-io周四登陆纽交所,发行价每股19美元。Fusion-io以每股25美元开盘,股价一度走高至33美元,截至收盘大涨18.42,报每股11.50美元,目前总市值15.1亿美元。6月7日,公司宣
英特尔与美光称上周宣布了20纳米Nand闪存制造技术,英特尔称利用这一技术将有望制造出业界体积最小、密度最高的闪存装置。英特尔的非挥发性内存解决方案部门的总经理TomRampone表示,“英特尔与美光的合作是制造业的
东芝日前对旗下24纳米工艺闪存芯片进行升级并推出了最新SmartNAND系列产品,东芝此次闪存升级可能是在为苹果下一代iPhone 5手机的发布做准备。SmartNAND系列产品基于24纳米制程工艺,芯片最大容量可达64GB,适用于媒
北京2011年4月1日电 /美通社亚洲/ -- 全球领先的软件安全和媒体技术公司爱迪德今日宣布,公司条件接收系统3.0(CAS 3.0)获得了由中国广播电视设备工业协会颁发的“科技创新国际贡献奖”。爱迪德的 CAS 3.0可以帮助广
GlobalFoundries除了在28纳米制程上,宣布以28纳米高介电金属栅极(HKMG)技术,试产出全球首颗安谋(ARM)Cortex-A9架构的芯片外,同时也宣布与飞思卡尔(Freescale)合作研发90纳米闪存技术,进一步强化合作关系。
全球晶圆(Global Foundries)除了在28奈米制程上,宣布以28奈米高介电金属闸极(HKMG)技术,试产出全球首颗安谋(ARM)Cortex-A9架构的芯片外,同时也宣布与飞思卡尔(Freescale)合作研发90奈米闪存技术,进一步强化合作关
据台湾媒体报道,台湾创新内存公司(TIMC)将联合茂德、晶豪科、翔准等公司,布局自有储存型闪存(NAND Flash)技术,而政府层面将给予40%的研发补贴。 此前TIMC规划以日本厂商尔必达为技术合作伙伴进行DRAM产业再造,
据日本媒体报道,日本半导体厂商Renesas瑞萨科技与台湾力晶半导体已经决定终结双方合资的闪存研发合资企业。瑞萨计划把股权、设计资产及债权债务转让给力晶,并于今日正式解散双方在日本的合资公司。力晶最早于2006年
《IEEE Transactions on Magnetics》上最近发表了卡内基梅隆大学教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。师徒俩研究了13种非易失性存储技术,看它们到2020年的时候能否在单位容量成本上超越机械硬盘,
针对先前有媒体报导飞索暂停了与武汉新芯的合作,飞索公司企业营销总监John Nation昨日驳斥上述说法,并指出这是一场误解。事实上,飞索与中芯国际和武汉新芯的合作,都还在持续进行中,包括尽快移转43纳米的技术,还
美光科技股份有限公司宣布,Semiconductor Insights选择美光公司两项业内领先的DRAM和NAND创新作为其第八届Insight年度大奖的获胜者。美光公司的32Gb、34纳米的NAND闪存获得“最具创新性工艺技术”奖,其1Gb、50纳米
据存储在线报道,在近期的CES展会上,SanDisk与索尼共同宣布了一项计划,双方打算联合开发两款新型大容量闪存,将闪存容量提升到TB级以上。这两款新产品目前被暂时定名为"Memory Stick format for Extended Hig