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长江存储推出全新致钛系列消费级固态硬盘
2020年9月10日，长江存储推出致钛系列两款消费级固态硬盘(SSD)新品，分别为PCIe接口PC005 Active和SATA接口SC001 Active，兼具强劲的性能和可靠的品质。两款产品现已登陆京东预售，参加预售的消费者将享受10元抵50元定金膨胀优惠活动，两款产品将于9月22日起正式开放购买。
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realme真我X50 Pro曝光采用了UFS 3.0+Turbo Write+HPB的先进闪存技术
日前，有数码博主晒出了一组realme真我X50 Pro与小米10的闪存跑分对比图，从图上来看，realme真我X50 Pro的跑分更高，不少网友猜测可能是用了UFS3.1闪存。那是事实是这样吗
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大联大世平集团推出基于NXP LPC55系列之电脑周边产品应用解决方案
2019年7月16日，致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下世平推出基于恩智浦(NXP)MCU LPC55系列之电脑周边产品应用解决方案。
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长江存储将宣布Xtacking 2.0闪存技术 速度堪比DDR4内存
目前NAND闪存主要掌握在三星、东芝、美光、西数等公司中，国内主要有紫光旗下的长江存储专攻NAND闪存，小批量量产了32层堆栈的3D闪存，但对市场影响有限，今年该公司将量产64层堆栈的3D闪存，产能将会积极扩张。
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长江存储将宣布Xtacking 2.0闪存技术 速度堪比DDR4内存
目前NAND闪存主要掌握在三星、东芝、美光、西数等公司中，国内主要有紫光旗下的长江存储专攻NAND闪存，小批量量产了32层堆栈的3D闪存，但对市场影响有限，今年该公司将量产64层堆栈的3D闪存，产能将会积极扩张。
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长江存储将宣布Xtacking 2.0闪存技术 速度堪比DDR4内存
目前NAND闪存主要掌握在三星、东芝、美光、西数等公司中，国内主要有紫光旗下的长江存储专攻NAND闪存，小批量量产了32层堆栈的3D闪存，但对市场影响有限，今年该公司将量产64层堆栈的3D闪存，产能将会积极扩张。
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紫光集团发布声明：与SK共同研发闪存芯片消息不属实
据报道，今天紫光集团发布声明称，有关“与SK海力士就芯片闪存技术许可进行谈判与合作”的消息纯属捕风捉影的市场传言，完全没有事实依据。
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全面解析闪存技术大餐 架构/颗粒/接口/可靠性
闪存最明显特点就是稳定性能，低时延和高随机IOPS。对于闪存，在评估性能时，我们一般主要关注90% IO落入规定的时延范围(性能是一个线性范围，而不是某一个点)。数据保护等
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从华为P10闪存事件，你看到了什么？
日前，网友发现华为P10不同批次手机采用了不同规格的闪存芯片。网上对此众说纷纭。华为官方也因此发表声明，华为手机跟国内外多家优秀的闪存供应商合作，同时为了保证华为P10手机的流畅，选用的闪存都达到了华为的验收标准，华为方面都会采用最优秀的硬件配置。
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11年经验积淀 华为闪存技术怎么样了？
云计算、大数据、移动互联正在改变世界。据预测，到2020年，全球移动宽带用户将从2016年的40亿基础上，增加20亿移动宽带用户，全球大数据、大数据分析以及大数据技术市场规模将高达2000亿美元。华为在2016全球联接指
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走进闪存技术
作为EPROM(可擦除可编程只读存储器)和EEPROM(电可擦除可编程只读存储器)两种存储器的折衷，闪存是20世纪80年代问世的。像EEPROM存储器一样，闪存支持电擦除数据;保存新数据
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ST闪存技术解析
前言闪存是手机、数码相机、数字电视和机顶盒或发动机控制模块等数字应用中一种十分常见的半导体存储器，这类芯片需具备系统级编程功能和断电数据保存功能。闪存兼备高存储
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走进闪存技术
作为EPROM(可擦除可编程只读存储器)和EEPROM(电可擦除可编程只读存储器)两种存储器的折衷，闪存是20世纪80年代问世的。像EEPROM存储器一样，闪存支持电擦除数据;保存新数据
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ST闪存技术解析
前言闪存是手机、数码相机、数字电视和机顶盒或发动机控制模块等数字应用中一种十分常见的半导体存储器，这类芯片需具备系统级编程功能和断电数据保存功能。闪存兼备高存储
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IBM重大技术突破 能耗低于NAND闪存技术
根据Computerworld网站报道，IBM研究人员在自旋电子学领域(“自旋迁移电子学”的简称)取得了重大技术突破，能够利用电子在磁场内的自旋并结合读写头，在半导体材
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赛普拉斯向UMC授权55纳米嵌入式闪存技术
嵌入式非易失性存储解决方案领导者赛普拉斯半导体公司与全球领先的半导体代工厂联华电子公司(纽交所代号 UMC， 台湾证券交易所代号 TWSE： 2303)日前联合宣布，UMC获得了赛
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NAND价格缩水暗藏发展契机 闪存技术有望拓展新兴应用
【导读】NAND价格缩水暗藏发展契机 闪存技术有望拓展新兴应用 NAND闪存业务正在走上正轨，根据Semico Research公司的研究，尽管“第一季度出现了显著的跌价”但这并没有妨碍NAND成为有史以来成长最快的半
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台积电与超捷在90nm混载闪存技术领域展开合作
【导读】台积电与超捷在90nm混载闪存技术领域展开合作 美国超捷（SST）与台积电（TSMC）日前就面向90nm逻辑LSI混载的闪存技术签订了授权合同。TSMC将接受SST公司90nm混载闪存技术“超快闪（SuperFlash）”
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恒忆与海力士扩大合作，共同推广创新的NAND闪存技术与产品
【导读】恒忆与海力士扩大合作，共同推广创新的NAND闪存技术与产品 恒忆（Numonyx）宣布与海力士半导体公司达成为期五年的协议，在飞速增长的NAND闪存领域扩展联合开发计划。针对NAND技术在未来五年面临的挑战，两家
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NAND闪存技术将在十年之内遭遇技术极限
《IEEE Transactions on Magnetics》上最近发表了卡内基梅隆大学教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。师徒俩研究了13种非易失性存储技术，看它们到2020年
