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全球首颗2nm EUV芯片面世
日前，IBM宣布造出了全球第一颗2nm工艺的半导体芯片。
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延续摩尔定律，台积电2nm芯片工艺获重大突破
据摩尔定律延续，由14nm，7nm，再到5nm，芯片制程工艺技术一直在突破。在5nm刚刚起步实现大规模突破的时候，台积电对于2nm芯片工艺技术的研发就已经实现重大突破，并开始向1nm制程迈进。
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台积电芯片研发超前，半导体工艺芯片蚀刻起重要作用
据台媒透露，有别于3nm与5nm采用鳍式场效晶体管(FinFET)架构，台积电2nm改采全新的多桥通道场效晶体管(MBCFET)架构，研发进度超前。根据台积电近年来整个先进制程的布局，业界估计，台积电2nm将在2023下半年推出，有助于其未来持续拿下苹果、辉达等大厂先进制程大单，狠甩三星。
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台媒：台积电规划建2nm及3nm厂 供应商汉唐帆宣将受惠
8月26日消息，据台湾媒体报道，台积电正规划建2nm及3nm厂，未来资本支出有望高达新台币1.2兆元（约合人民币2822亿元），台积电供应商汉唐、帆宣将受惠。 台积电 台积电昨日在技术论坛说明最新建
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2nm研发取得重大突破！台积电迈向GAA为什么比三星晚？
根据台湾经济日报报道，近日台积电在2nm研发上取得重大突破，目前已找到路径，将切入全环栅场效应晶体管GAA，这是台积电继从鳍式场效应晶体管FinFET技术取得全球领先地位之后，向另一全新的技术节点迈进
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台媒：台积电2nm制程研发取得突破 将切入GAA技术
7月13日消息，据台湾媒体报道，台积电冲刺先进制程，在2nm研发有重大突破，已成功找到路径，将切入环绕式栅极技术(gate-all-around，简称GAA)技术。 台积电 台媒称，三星已决定在3n
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台积电迈向GAA，2nm芯片取得重大突破
据报道，台积电在 2nm 研发有重大突破，并且已成功找到路径，台积电2nm预计将在2023至2024推出，该技术为切入环绕式栅极技术 (gate-all-around，简称 GAA技术)。尽管5nm刚实现量产不久，台积电和三星就开始瞄准更先进的制程。
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重大突破！台积电2nm制程研发神速：将切入GAA技术
据7月13日消息，台湾媒体报道，台积电冲刺先进制程，在2nm研发有重大突破，已成功找到路径，将切入环绕式栅极技术(gate-all-around，简称GAA)技术。
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台积电、三星争霸2nm工艺：能做出来 就怕没人用得起
根据台积电的规划，他们今年上半年就会量产5nm EUV工艺，下半年产能会提升到7-8万片晶圆/月，今年的产能主要是供给苹果和华为。台积电的3nm工艺工艺今年也会启动建设，三星更是抢先宣布了3nm GA
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中国CPU芯片将实现弯道超车 中科院表示国产2nm芯片有望破冰
近日，中科院对外宣布，中国科学家研发出了新型垂直纳米环栅晶体管，这种新型晶体管被视为2nm及一下工艺的主要技术候选。这意味着此项技术成熟后，国产2nm芯片有望成功“破冰”，意义重大。 目前最为先进的
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台积电3nm工艺进展顺利 2nm工艺2024年量产
随着高通骁龙865使用台积电N7+工艺量产，台积电的7nm工艺又多了一个大客户，尽管三星也抢走了一部分7nm EUV订单，不过整体来看台积电在7nm节点上依然是抢占了最多的客户订单，远超三星。 接下来
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台积电CEO：2nm工艺已有先导规划 将给4万员工发红包
11月2日，全球第一大晶圆代工厂台积电举行了公司成立33周年庆典，董事长、联席CEO刘德音谈到了台积电的先进工艺规划，最先进的2nm工艺也进入了先导规划中，明年则会量产5nm工艺。 刘德音谈到了台积电
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全球第一 台积电宣布研发2nm工艺 2024年问世
在今天开幕的科技创新论坛会议上，台积电研发负责人、技术研究副总经理黄汉森除了探讨未来半导体工艺延续到0.1nm的可能之外，还宣布了一个重要消息—;—;台积电已经启动2nm工艺研发，预计四年后问世。 在
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冲向2nm工艺！台积电豪砸460亿元
台积电董事会已经批准了大约65亿美元(折合人民币460亿元)的资本拨款投资，将用于新工艺研发与升级、新工厂建设与产能扩充等等。 台积电上个月曾披露，今年的资本支出总额将超过110亿美元，高于早先预计的
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台积电豪砸460亿元扩充产能 冲向2nm工艺
台积电董事会已经批准了大约65亿美元(折合人民币460亿元)的资本拨款投资，将用于新工艺研发与升级、新工厂建设与产能扩充等等。 台积电上个月曾披露，今年的资本支出总额将超过110亿美元，高于早先预计的
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半导体五年内进入将2纳米，台湾欲靠基础研究突破物理极限
台积电10纳米量产目前已进入量产，2年后将进入7纳米，不到5年将进入3纳米、2纳米。
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