Diodes公司推出单门逻辑器件系列,有助于各种便携式消费电子产品节省用电及空间,包括手机、电子书阅读器与平板电脑。74AUP1G系列逻辑器件采用3V的先进超低功率CMOS (互补式金属氧化物半
最近关于半导体行业最令人关注的事便是美国对于华为芯片的限制了,美国的该限令,让我们再一次意识到了国产芯片独立自主的重要性。过去多年虽然我国投入了很多精力进行芯片研发,但是因为在一些核心技术上始终没有得到突破,所以我国芯片研发仍然面临重重困难。
你知道X-Class CMOS传感器吗?它有什么作用?推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON)宣布推出X-Class图像传感器平台,使单一摄像机设计不仅能支持多种产品分辨率,还能支持不同的像素功能。这个新平台的首两款器件是1200万像素(MP)XGS 12000和4k / 超高清(UHD)分辨率XGS 8000图像传感器,它们为机器视觉、智能交通系统和广播成像等应用提供高性能成像功能。
5月20日消息,索尼日前召开了企业战略会议,公布了各业务领域发展方向。 图片来自索尼官网 关于影像及传感解决方案业务,索尼表示,由于不确定的市场环境,索尼将在截至2022年3月31日的财年中,谨慎评
什么是16通道高性能脉冲发生器?它有什么作用?针对重要的医疗和工业应用领域,意法半导体采用其经过验证的支持单片集成模拟电路(双极晶体管)、数字电路(CMOS)和电源(DMOS)电路的BCD8s-SOI制造工艺,推出一款新的尺寸紧凑、性能稳健、高成本效益的高压发射脉冲发生器解决方案。
什么是高速全局快门CMOS成像传感器?它有什么作用?全局快门CMOS成像传感器在当今的机器视觉领域十分常见,因为它拥有与CCD传感器和卷帘快门传感器相同的光学性能, 同时还具备众多优势。全局快门CMOS传感器目前主要是在较低分辨率的市场中取代CCD和卷帘快门传感器。在高分辨率市场中,主要采用的技术仍然是CCD,但我们看到这些市场也有转向CMOS的需求,因为这可以简化摄像头设计和操作,同时提高帧率并导入全局快门技术。
转眼时间来到了8月,算算日子今年的新机扎堆大战又要开始了。其中华为已经公布了将会参加9月6日在德国举办的IFA大展,新机Mate 30系列很有可能会在会上发布。目前网上关于这款旗舰的配置信息已经
如果你在过去的五年里一直担任首席营销官(CMO),你肯定还记得那些企业家们用充满炒作的眼睛看区块链的那些日子。一些人认为这是赚大钱的机会,而其他人则害怕媒体由于他们的自由监管而给加密市场上贴上“
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过去的几年里,我们见证了不少智能手机品牌的诞生与消亡,有些几年前还为大众熟知的品牌,现在已经彻底消失,有些新起之秀,则是在暗自发力,企图在全球竞争中占据一席之地。realme作为一个后起之秀,根
Linux服务器系统的安装方式主要包括图形用户界面的安装和文本方式的安装。 今天,我们将为您详细介绍Linux系统的安装步骤,以帮助您安装Linux系统。
2019年,围绕国外先进制造技术领域的最新发展动向和研究热点,跟踪积累形成了大量情报研究成果。遴选出以下对国防科技发展和武器装备研制生产具有重要影响的20条技术动向。 1.用于复杂武器系
2 月 1 日讯,自动驾驶或无人驾驶可以说已不算新鲜,伴随着这一波人工智能技术的走红,这一名词已家喻户晓。很多人都想到这一技术能给我们的生活带来极大的便利,同时也是对人们旅途驾车疲劳的一种释放。
努比亚品牌联合创始人倪飞昨天曝光的“红魔5G透明版工程机”赚足了眼球,也让大家对这款手机更加好奇。近日,这款红魔5G新机的部分配置信息在网上曝光,配置很符合其电竞定位。 疑似红
随着相机技术的发展,各大相机厂商纷纷更新旗下相机产品,作为大家熟悉的富士近日推出富士X100高端紧凑型数码相机系列的第五代产品富士X100V微单相机,遗憾的是,富士还没有公布关于该相机具体上市时
拍照一直是华为P系列上的一大亮点所在,将于本月底的P40系列自然也不会例外。3月6日晚间,华为P40 Pro的部分拍照配置在网上曝光。 华为P40 Pro有望首发定制IMX70
相比其他手机品牌,荣耀显得安静许多,但是其下一款旗舰手机预计也离我们不远了。日前,疑似荣耀30系列成功通过中国质量认证中心认证,并公布了部分配置。 疑似荣耀新机通过质量认证
3月10日,距离华为P40系列全球线上发布会还有16天的时间,大家对这款旗舰产品有哪些期待呢?不管是从历代P系列产品的定位,还是从目前各种各样的曝光来看,华为P40系列都将成为华为2020年上半
随着科技的进步,手机相机从最初的30w像素,进化到了现在的1200w、4800w、6400w甚至是1亿像素。现在的手机最大的卖点似乎已经变成了相机,连千元机都开始凑热闹,纷纷用起了6400w像素的相机
ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位静态RAM,组织为512K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路