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DDR2器件HY5PS121621BFP在嵌入式系统中的应用
DDR2器件HY5PS121621BFP在嵌入式系统中的应用
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尔必达宣布减产内存芯片产能10%
继力晶在本周一宣布减产10-15%后，日本内存芯片厂商尔必达在昨天正式对外宣布，自9月中旬起将正式减产总产能10%，全球每月内存芯片(DRAM)总供给量可望因此减少约1.5%。 力晶前天对外正式宣布将减少10-15%的标准型
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台湾力晶半导体或推迟新工厂设备安装
台湾力晶半导体表示，由于晶片价格下跌，公司很可能推迟两家新12英寸晶片厂的设备安装。综合外电8月27日报道，力晶半导体股份有限公司（5346.OT）发言人谭仲民27日表示，由于晶片价格下跌，公司很可能推迟两家新12英
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台厂被逼到墙角 坚持DRAM不减产
尽管DRAM价格一再探底，记忆体厂的日子苦哈哈，然尔必达(Elpida)仍持续在中国内地和台湾大举扩产，与三星电子(Samsung Electronics)强调2008年位元成长率(bit growth)要达到100％策略如出一辙
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新一代 3A DDR 端接稳压器（TI）
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款可满足 DDR、DDR2、 DDR3 与 DDR4 等各种低功耗存储器终端电源管理要求的汲极／源极双数据速率 (DDR) 终端稳压器 TPS51200。
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低价低功耗DDR接口非挥发性RAM产品（恒忆）
恒忆 (Numonyx)推出 Velocity LPTM NV-RAM 产品系列，此系列是业界最快速的低功耗双倍数据传输速率 (LPDDR) 非挥发性存储器，不但可以给手机和消费性电子产品厂商提供更高的存储性能，而且比目前其他解决方案价格更低。
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三大DRAM厂商供应GDDR5，瞄准下一代图形控制器
三家DRAM厂商正在供应采用新型接口的器件，初步支持每个引脚4Gbits/秒的数据传输速度。这些芯片将面向AMD和Nvidia的下一代图形控制器，预计这些控制器最早将于6月推出。 这三家DRAM厂商是海力士(Hynix)半导
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奇梦达最新512Mb显存GDDR5首获AMD采用
内存供货商奇梦达公司(Qimonda)近日宣布其最新显存GDDR5已被运算、绘图及消费性电子市场创新处理器方案供货商AMD采用。日前，奇梦达已开始量产并向AMD出货其容量512Mb、频率为每秒4.0G的GDDR5内存组件。 G
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市场吃紧 DRAM听到了
DRAM现货价本季走势上扬，5月上半月的合约价也成功调涨10%，由于目前DRAM厂表示供给出现吃紧现象，预料下周将出炉的下半月价格可望还有涨价空间，而随6月初台北国际电脑展将登场，以及PC下半年旺季效应到来，DRA
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DRAM制造商将减少内存现货供应 力争稳定价格
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速度超快 三星计划明年量产GDDR5新型显存
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内存市场升级换代 明年1GB DDR2芯片将成主流
内存市场升级换代 明年1GB DDR2芯片将成主流
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大陆长假效应未显 DDR2未见起色 NAND报价短线持稳
内存市场买气持续低迷，五一二Mb有效测试（eTT）跌至一美元左右的新低价之后，虽暂时止跌并微幅反弹，但始终在一．○二至一．○五美元间低档震荡，显见市况毫无起色。反观NAND闪存部分，虽十月上旬合约价下杀，但降价
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集邦：9月下旬DRAM合约价格预计下滑10%
DRAM现货市场需求不佳，整体报价呈现下跌的情形。DDR2512Mb667MHz下跌幅度达7.8%，价格下跌至1.54美元。其余颗粒报价皆呈现微幅下跌，DDR2eTT下跌至1.31美元。 8月以来由于市场需求不振以及买卖双方抱持观望
