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禁售华为，DRAM将价格继续下跌15％
没有最低，只有更低。这句话用在存储领域最为合适。闪存与内存的价格持续下跌，目前在售固态硬盘已经来到了历史最低价位，甚至折算下来0.5元/GB的SSD型号也屡见不鲜。
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集邦咨询：第三季DRAM价格跌幅将扩大至15%
集邦咨询(TrendForce)旗下半导体研究中心(DRAMeXchange)指出，受到贸易摩擦的影响，个别禁售事件可能对全球智能手机及服务器产品总体出货量造成阻碍，并将冲击下半年DRAM产品的旺季需求与价格落底时间。集邦咨询(Tre
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今年存储器市场销售额恐衰减三成，明年才能恢复增长
中美贸易战下，存储器市场波动情形持续受关注，研调机构集邦科技近日举行“Compuforum 2019：资料经济大未来”研讨会，资深协理吴雅婷预估，今年整体DRAM销售额将年减29.3%，整体NAND Flash业绩则将较去年下滑27.3%，不过，两者均将在明年恢复正成长。
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DRAM-芯片国产化不得不跨的栏杆
2018年，中国进口了超过900亿美元的存储芯片，这其中三星电子、SK海力士和美光电子三分天下，而国内厂商的份额为——0%。
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NAND Flash 和 DRAM 的价格将持续下滑将延续到第二季度
集邦科技记忆体储存研究(DRAMeXchange)表示，今年第一季除了受到传统淡季因素影响外，智能手机及伺服器OEM厂从去年第四季便因需求疲弱而开始调节库存，进一步使得各项产品的位元出货量表现均呈现衰退，导致整体NAND Flash的合约价跌幅来到去年第一季以来最剧烈的一季。而第一季NAND Flash品牌厂营收季减约23.8%。
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SK海力士应对市场行情 将停产36层和48层3D NAND产品
SK海力士今年第一季财报和当初预期相同，受存储器行情影响，营收和营益骤减，对此SK海力士准备以强化技术、调整生产线应对市场，预计今年NAND晶圆投入量将比去年减少10%以上。
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大砍3成，南亚科降今年资本支出至70亿元
台系存储器大厂南亚科 16 日召开 2019 年首季法说会，并公布营运状况。南亚科 2019 年第 1 季，截至 3 月 31 日自行结算合并财务数字，营收为113.72 亿元(新台币，下同)，较 2018 年第 4 季减少 32.9%。DRAM 平均售价季减略高于二十百分比，销售量季减低十位数百分比。
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三星DRAM爆瑕疵 亚马逊紧急采购SK产品代替
据韩国Etnews4月9日报道，目前全球最大的 DRAM 存储器供应商三星电子，除了面临因存储器价格下跌，使得营运业绩严重下跌的危机之外，日前还爆发出该公司提供给美国亚马逊(Amazon)使用的1x(18nm)纳米制程产品出现瑕疵，让亚马逊紧急更换由另一家韩国存储器大厂SK海力士(SK Hynix)来供应，并且对三星进行索赔的情况，严重冲击了三星DRAM的市场商誉。
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中小容量存储界的黑马，集齐NAND/DRAM/NOR召唤神兽
Fidelix的加入对东芯无异于锦上添花，需要强调的是，Fidelix在韩国是继三星、海力士之后的第三大存储器芯片生厂商。因此，东芯半导体有着和主流市场接触和竞争的机会，也有了引领国内存储技术发展的使命。是目前国内唯一可以同时提供NAND/ NOR/DRAM设计工艺和产品方案的本土存储芯片研发设计公司。
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三星10纳米DRAM有瑕疵，亚马逊转而订购SK海力士产品
日前爆出三星供货给亚马逊的服务器DRAM出现瑕疵，据韩媒《etnews》报导，亚马逊为寻找替代产品，开始转向SK海力士订购DRAM，外界也开始关注三星DRAM瑕疵事件是否会为SK海力士带来间接利益。
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验证李在镕诺言，三星用技术差距挽救DRAM事业
半导体业界分析，三星电子以技术领先的策略，阻止了主力商品DRAM市场恶化。随着全球客户减少数据中心的投资，DRAM价格暴跌、需求开始钝化，从今年起到2月底为止，DRAM价格已下跌将近30%。
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IHS报道：DRAM市场将在2019年大幅萎缩
昨(27)日，据IHS Markit报道，最近对市场状况的担忧加上平均销售价格急剧下滑，将导致DRAM市场在2019年达到770亿美元，同比下降22%。此外，DRAM的价格下跌和需求疲软可能会持续到2019年第三季度。
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用数据说话：美光谈存储市场的发展趋势
从整个内存和存储市场规模来看， PC和互联网时代贡献了380亿美元市场规模，移动时代大约620亿美元，2017年的数据经济时代整个全球市场规模达到1280亿，未来机会是不可限量的，根据很多市场统计数据可以发现，到2021年每年会产生62万亿GB数据。迅速增长的存储市场，具体有什么驱动因素呢?
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存储器价格下跌恐持续到第三季度！
根据DRAMeXchange调查，累积在DRAM供应商的库存水位在第1季底普遍已超过六周(含Wafer bank)，而买方库存水位虽在不同产品别略有增减，但平均亦至少达五周，在服务器以及PC客户端甚至超过七周。
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美光宣布削减5%产能：反击市场，阻止内存价格持续下滑
美光公司已宣布计划将其DRAM和NAND闪存产品的产量削减5%，并将资本支出将调降5亿美元，用来抵消内存价格下跌带来的影响。
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突破技术挑战，三星开发首款10纳米第三代超高性能和高功效DRAM
随着10纳米成为业界最小的存储器工艺节点，三星现在已准备好应对日益增长的市场需求，新的DDR4 DRAM与之前的1Y纳米级版本相比，制造生产率提高了20%以上。
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美光科技第二财季净利下降51%，但盘后股价上涨5%
二季度美光科技净利润为16.2亿美元，超出预期，每股收益为1.42美元。财报发布后，美光科技股价上涨5%。美光同时表示，预计下半年内存芯片市场将出现复苏。
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三星再次更新内存技术：容量最高16GB，带宽高达410GB/s
三星再次更新内存技术，在NVIDIA的GTC大会上专门为数据中心、GPU等高性能计算带来了更新的HBM2E内存。这款芯片是业界首款符合HBM2E规范的产品。
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重大突破！清华大学团队突破 MRAM 技术瓶颈
台湾科技部在14日发表由清华大学团队研发出的最新磁阻式随机存取内存(MRAM)技术，称对半导体产业发展将有决定性的影响力。
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三星将量产移动式12GB DRAM
三星电子14日表示，将批量生产史上最大容量的移动式DRAM“12GB LPDDR4X”(Low Power Double Data Rate 4X)。
