Nov. 18, 2024 ---- 第四季为DRAM产业议定合约价的关键时期,根据TrendForce集邦咨询最新调查,制程较成熟的DDR4和LPDDR4X因供应充足、需求减弱,目前价格已呈现跌势。DDR5与LPDDR5X等先进制程产品的需求展望尚不明确,加上部分买卖方库存水位偏高,价格不排除于今年第四季底开始下跌。
Nov. 6, 2024 ---- DRAM产业历经2024年前三季的库存去化和价格回升,价格动能于第四季出现弱化。TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示,由于部分供应商在今年获利后展开新增产能规划,预估2025年整体DRAM产业位元产出将年增25%,成长幅度较2024年大。
新款GDDR7提供了业界出众的容量和超过40Gbps的速度,极大提升了图形DRAM的性能,为未来应用注入强劲动力 今年将携手主要GPU客户进行验证,并计划于明年年初投入生产 深圳2024年10月17日 /美通社/ -- 三星电子今日宣布,已成功开发出其首款24Gb GDDR7...
Oct. 9, 2024 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新调查,2024年第三季之前,消费型产品终端需求依然疲软,由AI 服务器支撑起存储器主要需求,加上HBM排挤现有DRAM产品产能,供应商对合约价格涨幅保持一定的坚持。然而,近期虽有服务器OEM维持拉货动能,但智能手机品牌仍在观望,TrendForce集邦咨询预估第四季存储器均价涨幅将大幅缩减,其中,一般型DRAM (Conventional DRAM)涨幅为0%至5%之间,但由于HBM比重逐渐提高,DRAM整体平均价格估计上涨8%至13%,较前一季涨幅明显收敛。
Sep. 30, 2024 ---- 近期市场对于2025年HBM可能供过于求的担忧加剧,而据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示,由于明年厂商能否如期大量转进HBM3e仍是未知数,加上量产HBM3e 12hi的学习曲线长,目前尚难判定是否会出现产能过剩局面。
随着科技的飞速发展,尤其是物联网、自动驾驶、人工智能等领域的蓬勃兴起,对存储技术的需求日益增长。传统的存储器如DRAM和Flash虽已占据市场主流,但其在性能、功耗、耐久性和可靠性等方面已逐渐接近物理极限。因此,新兴存储器技术如磁阻随机存取存储器(MRAM)和电阻式随机存取存储器(ReRAM)开始崭露头角,特别是在嵌入式市场中展现出巨大的潜力。
Aug. 15, 2024 ---- 根据TrendForce集邦咨询调查,受惠主流产品出货量扩张带动多数业者营收成长,2024年第二季整体DRAM(内存)产业营收达229亿美元,季增24.8%。价格方面,合约价于第二季维持上涨,第三季因国际形势等因素,预估Conventional DRAM(一般型内存)合约价涨幅将高于先前预期。
Jun. 27, 2024 ---- 根据全球市场研究机构TrendForce集邦咨询最新调查显示,由于通用型服务器(general server)需求复苏,加上DRAM供应商HBM生产比重进一步拉高,使供应商将延续涨价态度,第三季DRAM均价将持续上扬。DRAM价格涨幅达8~13%,其中Conventional DRAM涨幅为5-10%,较第二季涨幅略有收缩。
Jun. 25, 2024 ---- 全球市场研究机构TrendForce集邦咨询观察,2024年大型云端CSPs,如Microsoft、Google、Meta、AWS等厂商,将仍为采购高阶主打训练用AI server的主力客群,以作为LLM及AI建模基础。待2024年CSPs逐步完成建置一定数量AI训练用server基础设施后,2025年将更积极从云端往边缘AI拓展,包含发展较为小型LLM模型,以及建置边缘AI server,促其企业客户在制造、金融、医疗、商务等各领域应用落地。
Jun. 13, 2024 ---- 根据全球市场研究机构TrendForce集邦咨询调查显示,2024年第一季DRAM产业主流产品合约价走扬、且涨幅较2023年第四季扩大,带动营收较前一季度成长5.1%,达183.5亿美元,推动多数业者营收延续季增趋势。
May 7, 2024 ---- 据TrendForce集邦咨询最新预估,第二季DRAM合约价季涨幅将上修至13~18%;NAND Flash合约价季涨幅同步上修至约15~20%,全线产品仅eMMC/UFS价格涨幅较小,约10%。
May 6, 2024 ---- 根据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示,受惠于HBM销售单价较传统型DRAM(Conventional DRAM)高出数倍,相较DDR5价差大约五倍,加上AI芯片相关产品迭代也促使HBM单机搭载容量扩大,推动2023~2025年间HBM之于DRAM产能及产值占比均大幅向上。产能方面,2023~2024年HBM占DRAM总产能分别是2%及5%,至2025年占比预估将超过10%。产值方面,2024年起HBM之于DRAM总产值预估可逾20%,至2025年占比有机会逾三成。
双核心,出色安全性功能、内部堆栈DRAM、丰富的外围
业内消息,近日韩国存储芯片巨头SK 海力士宣布,为应对用于 AI 的半导体需求剧增,决定扩充 AI 基础设施(Infra)的核心产品即 HBM 等新一代 DRAM 的生产能力(Capacity) 。
Apr. 10, 2024 ---- 根据TrendForce集邦咨询于403震后对DRAM产业影响的最新调查,各供货商所需检修及报废晶圆数量不一,且厂房设备本身抗震能力均能达到一定的抗震效果,因此整体冲击较小。美光、南亚科、力积电、华邦电等,均大致恢复100%的产线运作,其中仅有美光已经转进至先进制程,多为1alpha与1beta nm,预估将影响整体DRAM产出位元占比;其余DRAM厂仍停留在38、25nm,产出占比相对小。整体而言,预期本次地震对第二季DRAM产出位元影响仍可控制在1%以内。
2024年3月27日上午,美光西安新封测厂奠基仪式成功召开。
美光首个可持续发展卓越中心彰显了公司对中国运营及本地社区的不懈承诺
DRAM和NAND产品的可持续供货渠道
Mar. 26, 2024 ---- 目前观察DRAM供应商库存虽已降低,但尚未回到健康水位,且在亏损状况逐渐改善的情况下,进一步提高产能利用率。不过,由于今年整体需求展望不佳,加上去年第四季起供应商已大幅度涨价,预期库存回补动能将逐渐走弱。因此,TrendForce集邦咨询预估, 第二季DRAM合约价季涨幅将收敛至3~8%。
Mar. 18, 2024 ---- 由于HBM售价高昂、获利高,进而造就广大资本支出投资。据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷预估,截至2024年底,整体DRAM产业规划生产HBM TSV的产能约为250K/m,占总DRAM产能(约1,800K/m)约14%,供给位元年成长约260%。此外,2023年HBM产值占比之于DRAM整体产业约8.4%,至2024年底将扩大至20.1%。