DRAM

英飞凌与中芯将合作协议扩展至90纳米

英飞凌科技股份有限公司和中芯国际集成电路制造有限公司近日共同宣布，双方已经签署合作协议，进一步扩展在标准记忆芯片（DRAM）产品生产领域中的现有合作，开始90纳米标准的产品合作生产。 根据新协议的内容，英飞凌

三星将提高DRAM芯片价格 客户反映提价过高

据业界消息灵通人士称，由于去年年底DRAM储存芯片价格下滑和市场需求已经出现了回弹，全球最大的计算机储存芯片制造商三星电子公司将从今年一月前半月份开始提高DRAM储存芯片的合同价格，预期提高价格的幅度为10

中国企业家：台湾IT产业发展的两大教训

英飞凌不再投资90纳米工艺芯片厂

英飞凌董事长兼首席执行官WolfgangZiebart近日证实，该公司将不再投资90纳米工艺芯片厂，而是转向轻晶圆厂(fab-lite)策略。Ziebart表示，他怀疑会有多少公司能够经营自己的65纳米、300mm晶圆厂。 Ziebart提到了英特尔

内存长期衰退 2007年还会大跌

来自英国伦敦的消息，市场调研公司Gartner近日公布的调查数据表明：全球DRAM内存市场正处在一个长期的衰退阶段，相应的，DRAM内存价格也会在未来几年内不断下滑。Gartner表示，这对于DRAM内存买家来说是一个不错

英飞凌确认将实施“轻晶圆厂”策略

英飞凌董事长兼首席执行官Wolfgang Ziebart日前确认，该公司不会兴建90纳米以下的产能，而是向“轻晶圆厂”(fab-lite)策略转变。 Ziebart在接受《EE Times》电话采访时公开表示怀疑会有多少公司将经营自己的6

三星3亿美元了结内存价格操纵案 金额创纪录

瑞萨将退出NAND闪存市场 可能分拆闪存部门

供给过剩 DRAM跌价趋势已渐成形

DRAM市场买气低迷不振，但由于供给端新产能一直快速开出，根据集邦科技统计，DRAM全球供给量月成长率已经连两个月达10%幅度，所以在供给量持续增加，需求量持续消退下，11月以来价格频频下滑，跌价趋势已渐成形。

英飞凌本周开会将决定DRAM事业部前途走向

英飞凌和南亚科技扩大合作范围