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车用市场给力 NOR闪存再成大厂发展重点
智能汽车、5G以及工业物联网的到来，驱动了市场对高密度NOR Flash的需求。一度因为容量小、成本高等缺点而边缘化的NOR Flash，再次受到厂商的重视。曾一度被传将要淡出NOR Flash领域的赛普拉斯近期推出Semper NOR闪存产品系列，美光的Xccela Flash系列也为NOR Flash打开新的大门。聚光灯终于不是只照在NAND Flash或DRAM上，在各大新势能应用的带动下，NOR Flash是否会迎来新的机遇?
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美光DRAM/NAND路线图：下半年推96层3D闪存，GDDR6已完成验证
受益于eMMC、eMCP市场，美光高价值移动NAND闪存营收环比几乎翻倍，其中85%都是TLC闪存类型，去年同期比例不足1%。此外，来自数据中心市场的内存、闪存营收同比增长了87%。
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短期内中国大陆集成电路制造业仍系于中芯国际与存储器族群
中国大陆存储器业者的生产计划包括福建晋华、合肥长鑫、长江存储、紫光集团，预定投产时间介于2018年下半年-2019年，主要产品包括DRAM、利基型存储器、NAND Flash，初期产能介于2-5万片，未来最大产能可望上冲4-10万片，中长期计划更将扩大至12.5-30万片的规模。但是由于短期内国际购并案推行不易，技术、人才取得受阻，导致短期内中国大陆发展存储器产业仍需克服专利及人力等重重障碍。
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三星已启动EUV 1ynm工艺的DRAM内存芯片研发 最快2020年投产使用
EUV光刻目前被三星、台积电、Intel等用于7nm工艺节点上，制造的普遍是AP(应用处理器)。三星曾表示，7nm LPP工艺将在今年下半年量产，明年上半年推出首款可商用的逻辑芯片。
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如何玩转DDR？要先从这五大关键技术下手
差分时钟是DDR的一个重要且必要的设计，但大家对CK#（CKN）的作用认识很少，很多人理解为第二个触发时钟，其实它的真实作用是起到触发时钟校准的作用。
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美光：下一代1Y nm工艺DRAM正在验证中，暂不需要EUV光刻
三星是第一家量产18nm工艺，也就是第一个进入1X nm节点的，遥遥领先其他公司，美光现在也开始向1X nm工艺转进，下一代的1Y nm工艺已经进入客户验证阶段了，今年下半年问世，1Z nm工艺节点在处于工艺优化阶段，1α及1β工艺则是在不同研发阶段。
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2018年全球半导体超预期发展，资本支出将首度破千亿美元大关
受惠于半导体产业仍处于循环周期高档的因素，市场调查机构 IC insight 调查报告指出，2018 年全球半导体产业的资本支出将首次突破千亿美元大关。
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被动元器件缺料涨价，代工厂在苦撑
被动元器件自去年以来一直在涨价，截止目前涨价势头未见缓和。尤其是今年铝电解电容的材料价格的上涨，以及环保政策使得原材料生产供应减少，不少代工厂甚至面临断料危机，灾情惨烈。 受此影响，被动元件厂商供货愈发紧俏，部分产品供应开始倾向部分客户。据供应链厂商透露，近期，以国巨为代表的台系被动元件大厂不再宣布价格调涨幅度，而是采取个别客户议价方式，有些规格产品加价幅度甚至高达7成，仍然供不应求。
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2018一季度全球内存市场“喜提”历史新高
根据 TrendForce 存储器储存研究(DRAMeXchange)调查显示，2018 年第一季的 DRAM 价格走势，除了绘图用存储器(graphic DRAM)受惠于基期较低以及虚拟挖矿(cryptocurrency)需求的增温，带动价格有 15% 显著上涨外，其余各应用别的存储器在第一季约有 3-6% 不等的季涨幅，今年第一季全球 DRAM 总营收较 2017 年第四季成长 5.4%，再创新高。
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DRAM产能不断扩大，美光有望赶超SK海力士成全球第2大存储器厂
近期DRAM需求畅旺，价格持续上涨，销售量不断攀升。面对制造DRAM势不可挡利润，芯片厂已将其视为肥肉，不断扩大DRAM产能，但全球DRAM三大厂商的竞争仍有高低之分。
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三星控制全球三分之二DRAM市场，中国企业无法超越
前两天，三星电子发布公告显示，第一季度营收为60.56万亿韩元(约561亿美元)，同比增长19.8%;营业利润为15.64万亿韩元(约145亿美元)，同比增长58%。 而值得关注的是，在这15.64万亿韩元的利润中，绝大部分来自于芯片业务，三星芯片业务第一季度实现营业利润11.6万亿韩元，达到手机业务的3倍。从这个角度来看，三星已经不是传统意义上人们认识中的智能手机厂商，而是一家标准的半导体(芯片)企业。
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美光台湾工厂今年导入先进制程
台湾是全球第三大存储器厂商美光科技(Micron)重要的DRAM生产基地，该公司持续于台中厂与桃园厂投资先进制程，同时增聘人员。该公司从去年初至今年底，预计台湾员工数将增加1,700人，成长幅度约三成。
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矽品砸8.66亿元新台币在福建建新厂
台湾封测大厂矽品积极布局大陆福建，已砸下新台币8.66亿元，着手厂房新建工程。
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中国崛起！中国首个自主研发的 DRAM 芯片有望于2018年底在合肥诞生
在近日于合肥举办的“国家集成电路重大专项走进安徽活动”中，长鑫存储技术有限公司董事长、睿力集成电路有限公司首席执行官王宁国介绍了合肥长鑫存储器项目的 5 年规划：2018 年 1 月一厂厂房建设完成，并开始设备安装;2018 年底量产 8Gb DDR4 工程样品;2019 年 3 季度量产 8Gb LPDDR4;2019 年底实现产能 2 万片/月;2020 年开始规划二厂建设;2021 年完成 17 纳米技术研发。王宁国表示，希望 2018 年底第一个中国自主研发的 DRAM 芯片能够在合肥诞生。
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韩国央行表示半导体需求依旧热络，厂商应重非存储器市场
有史以来维持最大成长周期的半导体产业，未来会再继续成长吗?这答案恐怕是肯定的。因为，近日韩国央行在 8 日所发出的报告指称，全球半导体产业的强劲需求趋势仍会持续一年，并且呼吁韩国本土的半导体制造商仍应当重点关注非存储器产品的生产，以为未来的发展做好准备。
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DRAM价格同比暴涨47%，手机厂商都开始退缩了
根据市调机构IC Insights最新研究显示，在1978年至2012年的34年间，DRAM每位元(bit)价格平均每年下跌33%。然而，从2012年到2017年，DRAM平均每位元价格下跌仅为每年3%。此外，2017年全年DRAM价格涨幅达到47%，是自1978年以来最大的年度涨幅，超过了1988年30年前的45%涨幅。
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新增产能能不能跟上连续上涨的存储器价格？
记忆体储存研究(DRAMeXchange)指出，记忆体价格连涨六季，数家中国智慧机品牌不堪成本压力，去年中国对三星半导体表达不满，进一步造成第1季行动式记忆体涨幅收敛。
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新式DRAM存取技术倍增超频性能
微处理器的频率频率可以透过许多方式大幅增加，但却受限于主存储器的性能而必须降低其频率频率来维持计算机系统的稳定性。 本文透过对于静态随机存取内存(SRAM)单元缩减布局面积的研究，提出一种新的存取技术，可望提升动态随机存取内存(DRAM)单元的访问速度。
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NAND Flash价格先降后升，DRAM则持续走高
2017 年，整体记忆体产业不论DRAM 或NAND Flash，都度过了一个黄金好年，那么2018 年可否持续荣景呢?
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有哪些低成本DRAM解决方案
DRAM正转变为卖方市场，也为DRAM厂商写下利润新高纪录。就像石油危机一样，在DRAM危机下，客户必须为DRAM付出更多代价。现在正是寻找低成本替代方案的时候了!
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