尔必达自从2月份申请破产以来,对DRAM市场的波动一直影响很大。其尤其对于苹果这样的大客户来说更是一件麻烦事,可能将来要看三星等其它内存生产商的脸色了。韩国三星第一季
从今年DRAM库存指数上,可以看出,DRAM市场正在稳步增长。今年第一季度,DRAM库存指数降至11.6周,比2011年第四季度的12.1周下降4%,如图3所示。这是自去年第四季度该指数升
据IHS iSuppli公司的DRAM简报,美光最近收购日本破产企业尔必达是一个不无风险的大胆举动,尽管美光将通过这次收购使自己的DRAM产能扩大一倍以上。美国美光7月2日收购尔必
3月30日消息,据路透社报道,美国内存芯片制造商美光科技周四晚称已经就内存芯片价格案与软件巨头甲骨文公司达成和解协议。据悉,甲骨文此前对美光科技提起诉讼,指控美光科
据业界人士表示,美光将会成功收购困难重重的尔必达(Elpida)。尔必达困难重重,想收购它的厂家却是跃跃欲试。据悉,东芝和Globalfoundries都参与了竞购。但是美光似乎在这宗
近日消息,国际研究机构Gartner表示,2014年全球半导体资本支出总金额预计将达645亿美元,较去(2013)年的578亿美元增加11.4%;另由于记忆体平均售价上扬,加以消费产品需求增加,全年度资本度设备支出将年成长17.1%。
三星电子今日宣布已开始量产全球首款20纳米8Gb DDR4企业级服务器用DRAM。今年下半年适用于DDR4的服务器中央处理器已经上市,此时量产该款DRAM产品将推动高端服务器市场从DDR3向DDR4的转换。基于20纳米8Gb DDR4的服
2012 年 4 月 11 日–Invensas Corporation 是半导体技术解决方案的领先供应商,也是 Tessera Technologies, Inc.(纳斯达克:TSRA)的全资子公司,现推出面向轻薄笔记
80C186XL16位嵌入式微处理器是Intel公司在嵌入式微处理器市场的上导产品之一,已广泛应用于电脑终端、程控交换和工控等领域。在该嵌入式微处理器片内,集成有DRAM RCU单元,即DRAM刷新控制单元。RCU单元可以自动产
主攻个人计算机市场的标准型动态随机存取存储器(DRAM)近期呈现强劲的拉货力道,本月价格可望强弹;应用行动装置的储存型快闪存储器(NAND Flash)因补货需求落空,价格看跌。
根据国外媒体报道,作为苹果的重要合作伙伴同时也是竞争对手,三星再一次回归苹果下一代iPhone的零件供应商名单。韩国电子巨头据传将会为iPhone 6提供动态随机访问存储器组件。从iPhone 5到iPhone 5s,苹果老对手三
尔必达这只瘦死的骆驼,虽然在DRAM市场的占有率仍然位列前三,但自2月份尔必达宣告破产以来,DRAM市场的波动明显减弱,与其长期趋势不符。虽上月曾有传闻称苹果为尔必达加码
历经六年的开发时间,DDR4终于踏上征程,扬帆起航。近日英特尔服务器处理器Xeon E5-2600系列,正式推出采用Haswell新运算架构的第三代产品Xeon E5-2600 v3,开始支持时钟频
近日,国际研究暨顾问机构 Gartner发布最新预测称,2014年全球半导体销售业绩将达3,380亿美元,高于上一季所预测的6.7%,较2013年成长了7.2%。 Gartner研究总监Jon Erensen表示:“受惠于美国节庆旺季(holiday
尔必达破产势必推升DRAM价格和营业收入据IHS iSuppli公司的内存与存储研究报告,日本尔必达本周申请破产保护,将有利于DRAM市场中剩余的其它厂商,因为此举将导致今年下半
80C186XL16位嵌入式微处理器是Intel公司在嵌入式微处理器市场的上导产品之一,已广泛应用于电脑终端、程控交换和工控等领域。在该嵌入式微处理器片内,集成有DRAM RCU单元,即DRAM刷新控制单元。RCU单元可以自动产生
三星电子(SamsungElectronics)在稍早正式量产20奈米MobileDRAM,将有望帮助三星提高生产力以及成本竞争力。尤其在竞争对手们仍停留在20奈米中段制程的情况下,随着三星在20奈米时代下画上句点,分析认为,三星将有望
三星电子在稍早正式量产20纳米Mobile DRAM,此举有望拉开与竞争对手的技术差距。(SK海力士(SK Hynix)预计在下半年正式量产20纳米中段制程产品,恐怕要等到2015年才有望能成功研发20纳米产品)尤其在竞争对手们仍停留
北京时间2月16日消息,据国外媒体报道,据集邦科技(TrendForce)旗下的行业研究部门DRAMeXchange称,日本政府也许不会出手援救尔必达,那就会将DRAM半导体市场推向寡头垄断。
Spansion公司近日宣布推出业界最快串行闪存产品——65nm Spansion FL-S NOR闪存系列。该系列产品拥有较同类竞争方案提升20%的更快速的双倍数据率(DDR)读取速度,